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9 月 6 日消息，ASML 首席執行官 Peter Wennink 近日在接受路透社采訪時表示，盡管供應商出現了一些阻礙，但公司仍會按照此前設定的計劃，在今年年底之前交付 High NA EUV 機器。

ASML 表示一臺高數值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）設備的體積和卡車相當，每臺設備的售價超過 3 億美元（備注：當前約 21.9 億元人民幣），可以滿足一線芯片制造商的需求，可以在未來十年內制造更小、更好的芯片。

Wennink 表示部分供應商無法提高組件的數量和質量，因此導致了輕微的延誤，但整體而言這些困難都可以控制，承諾會在今年年底之前交付首臺機器。

此前報道，對于后 3nm 時代，ASML 及其合作伙伴正在開發一種全新的 EUV 光刻機 ——Twinscan EXE:5000 系列，該系列機器將具有 0.55 NA（高 NA）的透鏡，分辨率達 8nm，從而在 3 nm 及以上節點中盡可能地避免雙重或是多重曝光。

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《ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展：目標 2024-2025 年進廠》

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的ASML CEO 承诺年底前交付首台 High-NA EUV 光刻机：体积和卡车相当，每台售价 3 亿美元的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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