NOR FLASH:
??NOR flash是intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是芯片內執行（XIP, eXecute In Place），這樣應用程序可以直接在flash閃存內運行，不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

NAND FLASH:
??Nand-flash內存是flash內存的一種，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構。其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

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一、NAND flash和NOR flash的性能比較
??flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的，執行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的，執行相同的操作最多只需要4ms。執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，設計師必須權衡以下的各項因素。
??1、NOR的讀速度比NAND稍快一些。
??2、NAND的寫入速度比NOR快很多。
??3、NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5s快。
??4、大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
??5、NAND的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

二、NAND flash和NOR flash的接口差別
??NOR flash帶有SRAM接口，有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。
??NAND器件使用復雜的I/O口來串行地存取數據，各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。NAND讀和寫操作采用512字節的塊，這一點有點像硬盤管理此類操作，很自然地，基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。

三、NAND flash和NOR flash的容量和成本
??NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產過程更為簡單，NAND結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量，也就相應地降低了價格。

四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性
??采用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統來說，Flash是非常合適的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。

五、NAND flash和NOR flash的壽命(耐用性)
??在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。

六、位交換
??所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見，NAND發生的次數要比NOR多)，一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。一位的變化可能不很明顯，但是如果發生在一個關鍵文件上，這個小小的故障可能導致系統停機。如果只是報告有問題，多讀幾次就可能解決了。當然，如果這個位真的改變了，就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存，NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候，同時使用

七、EDC/ECC算法
??這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是致命的。當然，如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時，必須使用EDC/ECC系統以確保可靠性。

八、壞塊處理
??NAND器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力，但發現成品率太低，代價太高，根本不劃算。
??NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊，并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進行這項處理，將導致高故障率。

九、易于使用
??可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲器那樣連接，并可以在上面直接運行代碼。
??由于需要I/O接口，NAND要復雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。在使用NAND器件時，必須先寫入驅動程序，才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧，因為設計師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進行虛擬映射。

十、軟件支持
??當討論軟件支持的時候，應該區別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件，包括性能優化。
??在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持，在NAND器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程序，也就是內存技術驅動程序(MTD)，NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
??使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些，許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件，這其中包括M-System的TrueFFS驅動，該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。
??驅動還用于對DiskOnChip產品進行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

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NAND Flash和Nor Flash各自特點概述

??Intel于1988年首先開發出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。

	NAND Flash	NOR Flash
芯片容量	<32GBit	<1GBit
訪問方式	順序讀寫	隨機讀寫
接口方式	任意I/O口	特定完整存儲器接口
讀寫性能	讀取快（順序讀） 寫入快 擦除快（可按塊擦除）	讀取快（RAM方式） 寫入慢
使用壽命	百萬次	十萬次
價格	低廉	高昂

??從實用的角度來看,和Flash和NAND閃存之間的主要區別在于接口。NOR Flash全隨機訪問內存映射和專用接口(如EPROM)地址和數據行。另一方面,NAND閃存沒有地址專線。它是由通過8/16發送命令,地址和數據總線位寬(I / O接口)內部寄存器，這樣就為許多主控提供了更靈活的配置方式。

??NAND Flash更適合在各類需要大數據的設備中使用，如U盤、各種存儲卡、MP3播放器等，而NOR Flash更適合用在高性能的工業產品中。

??NOR Flash內的工藝能保證每個存儲單元都保證是好的，類似與ROM一樣。而NAND Flash的結構及生產工藝，會隨機產生無效塊。這些無效塊無法確定編程時的狀態，就是大家常說的“壞塊”。

??NandFlash芯片廠商為了區分好塊與壞塊，會在出廠的時候在備用區某個地址中標記非FFh表示壞塊。

??Flash工廠在寬溫和寬電壓范圍內測試了NAND；一些由工廠標記為壞的區塊可能在一定的溫度或電壓條件下仍然能工作，但是，將來可能會失效。所以不要擦除壞塊標記，這一點很重要。如果壞塊信息被擦除，就無法再恢復，將給你的存儲文件帶來隱患。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的NOR Flash与NAND Flash区别的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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