教育
-模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-章節(jié)資料考試資料-西北工業(yè)大學(xué)【】
常用半導(dǎo)體器件原理
1、【單選題】N型半導(dǎo)體是在純凈半導(dǎo)體中摻入____；
A、帶正電的離子
B、三價(jià)元素，如硼等
C、五價(jià)元素，如磷等
D、帶負(fù)電的電子
參考資料【 】
2、【單選題】用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示，試判斷這些晶體管處于什么狀態(tài)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/80141E7E68C11EB921A96D213E576884.png?imageView
A、放大
B、飽和
C、截止
D、損壞
參考資料【 】
3、【單選題】用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示，試判斷這些晶體管處于什么狀態(tài)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FD65FCFD5DC12F652A8B7C330CAE0A35.png?imageView
A、放大
B、截止
C、飽和
D、損壞
參考資料【 】
4、【單選題】圖中所示是三種不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線。試判斷它們各屬于什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管
A、N溝道結(jié)型
B、N溝增強(qiáng)型MOS
C、N溝耗盡型MOS
D、P溝耗盡型MOS
參考資料【 】
5、【單選題】圖中所示是三種不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線。試判斷它們各屬于什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管
A、N溝道結(jié)型
B、P溝道結(jié)型
C、N溝道絕緣柵型增強(qiáng)型MOS
D、P溝道絕緣柵型耗盡型MOS
參考資料【 】
6、【單選題】圖中所示是三種不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管的漏極特性曲線。試判斷它們各屬于什么類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/19DEE148BC4BD407D2D96E2A4712D760.png?imageView
A、P溝道結(jié)型
B、N溝道結(jié)型
C、P溝道耗盡型MOS
D、P溝道增強(qiáng)型MOS
參考資料【 】
7、【單選題】晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)為_(kāi)___
A、正向偏置
B、反向偏置
C、零偏置
D、無(wú)
參考資料【 】
8、【單選題】晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)，集電結(jié)為_(kāi)___
A、零偏置
B、正向偏置
C、反向偏置
D、無(wú)
參考資料【 】
9、【單選題】用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示，試判斷這些晶體管處于什么狀態(tài)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/8A086E320E87E38E7843EB8C0A77B180.png?imageView
A、放大
B、截止
C、飽和
D、損壞
參考資料【 】
10、【單選題】用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示，試判斷這些晶體管處于什么狀態(tài)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/FE9D02689B3E677389F3FC17DDC32084.png?imageView
A、飽和
B、放大
C、截止
D、損壞
參考資料【 】
11、【單選題】用直流電壓表測(cè)得電路中晶體管各電極的對(duì)地靜態(tài)電位如圖所示，試判斷這些晶體管處于什么狀態(tài)。<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/D1FA9CD05542A8828DA1DD16146558A9.png?imageView
A、飽和
B、截止
C、損壞）
D、放大
參考資料【 】
12、【單選題】在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于____
A、溫度
B、雜質(zhì)濃度
C、摻雜工藝
D、無(wú)
參考資料【 】
13、【單選題】電路如圖所示，ui=0.1sinwt(V)，當(dāng)直流電源電壓V增大時(shí)，二極管rd的動(dòng)態(tài)電阻將____。
A、保持不變
B、增大
C、減小
D、無(wú)
參考資料【 】
14、【單選題】隨著溫度升高，晶體管的共射輸出特性曲線將___
A、上移
B、下移
C、左移
D、右移
參考資料【 】
15、【單選題】在某放大電路中，測(cè)得晶體管的三個(gè)電極①、②、③的流入電流分別為－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判斷電極①是
A、發(fā)射極
B、基極
C、集電極
D、無(wú)
參考資料【 】
16、【單選題】設(shè)圖中的二極管和三極管均為硅管，三極管的β均為100，試判斷三極管的工作狀態(tài)
A、飽和
B、截止
C、放大
D、倒置
參考資料【 】
17、【單選題】在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度主要取決于____
A、溫度
B、摻雜工藝
C、雜質(zhì)濃度
D、無(wú)
參考資料【 】
18、【單選題】電路如圖1所示，ui=5sinwt(V)二極管可視為理想二極管。分析以下情況中uo的波形，從以下四種波形中選擇正確資料填空。UDC＝0V， 波形如圖____所示。
A、
B、
C、
D、
參考資料【 】
19、【單選題】場(chǎng)效應(yīng)管柵極的靜態(tài)輸入電流比雙極型晶體管基極的靜態(tài)輸入電流_____
A、大
B、小
C、相等
D、無(wú)
參考資料【 】
20、【單選題】在某放大電路中，測(cè)得晶體管的三個(gè)電極①、②、③的流入電流分別為－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。電極①是____
A、發(fā)射極
B、基極
C、集電極
D、漏極
參考資料【 】
21、【單選題】設(shè)圖中的二極管和三極管均為硅管，三極管的β均為100，試判斷三極管的工作狀態(tài)<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/536A95553A1897C41EDE00DBC36F65DA.png?imageView
A、截止
B、飽和
C、放大
D、倒置
參考資料【 】
22、【單選題】在保持二極管反向電壓不變的條件下，二極管的反向電流隨溫度升高而____；
A、不變
B、減小
C、增大
D、無(wú)
參考資料【 】
23、【單選題】在保持二極管的正向電流不變的條件下，二極管的正向?qū)妷弘S溫度升高而____。
A、減小
B、增大
C、不變）
D、無(wú)
參考資料【 】
24、【單選題】電路如圖1所示，ui=5sinwt(V)二極管可視為理想二極管。分析以下情況中uo的波形，從以下四種波形中選擇正確資料填空。UDC＝-10V， 波形如圖____所示。
A、
B、
C、
D、
參考資料【 】
25、【單選題】電路如圖1所示，ui=5sinwt(V)二極管可視為理想二極管。分析以下情況中uo的波形，從以下四種波形中選擇正確資料填空。UDC＝10V， 波形如圖____所示。
A、
B、
C、
D、
參考資料【 】
26、【判斷題】穩(wěn)壓管是一種特殊的二極管，它通常工作在反向擊穿狀態(tài)，它不允許工作在正向?qū)顟B(tài)
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
27、【判斷題】P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
28、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是有很高的輸入電阻和很低的輸出電阻。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
29、【判斷題】在P型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的五價(jià)磷元素可以改型為N型半導(dǎo)體。（ ）
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
30、【判斷題】PN結(jié)內(nèi)的漂移電流是少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作用下形成的。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
31、【判斷題】PN結(jié)方程既描寫(xiě)了PN結(jié)的正向特性和反向特性，又描寫(xiě)了PN結(jié)的反向擊穿特性。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
32、【判斷題】摻雜半導(dǎo)體因含有雜質(zhì)，所以在制造半導(dǎo)體器件時(shí)是沒(méi)有用處的。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
33、【判斷題】本征半導(dǎo)體在溫度升高后，自由電子和空穴數(shù)目都增加，但增量相同。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
34、【判斷題】小功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在使用中，其源極和漏極可以互換
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
35、【判斷題】雙極型晶體管具有NPN或PNP對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，所以發(fā)射極和集電極也可以互換
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
36、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制電流器件
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
37、【判斷題】單極型晶體管交流輸入電阻只和交流參數(shù)有關(guān)和直流參數(shù)無(wú)關(guān)
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
38、【判斷題】鍺管PNP管工作在放大狀態(tài)時(shí)其集電結(jié)直流偏置電壓大于0
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
39、【判斷題】鍺管PNP管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，其集電結(jié)直流偏置電壓大于0
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
40、【判斷題】 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管是靠空穴導(dǎo)電的
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
41、【判斷題】P溝道場(chǎng)效應(yīng)管是靠空穴導(dǎo)電的
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
42、【判斷題】場(chǎng)效應(yīng)管的電流放大系數(shù)是gm
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
第三章 晶體三極管和場(chǎng)效應(yīng)三極管及放大電路基礎(chǔ)單元測(cè)試
1、【單選題】共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中，希望帶負(fù)載能力強(qiáng)，應(yīng)選用___
A、共基組態(tài)
B、共集組態(tài)
C、共射組態(tài)
D、無(wú)
參考資料【 】
2、【單選題】在共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中，希望從信號(hào)源索取電流小，應(yīng)選用____
A、共射組態(tài)
B、共集組態(tài)
C、共基組態(tài)
D、無(wú)
參考資料【 】
3、【單選題】共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中希望即能放大電壓，又能放大電流，應(yīng)選用____；
A、共基組態(tài)
B、共射組態(tài)
C、共集組態(tài)
D、無(wú)
參考資料【 】
4、【單選題】共射、共基、共集三種基本放大電路組態(tài)中希望高頻響應(yīng)性能好，應(yīng)選用____。
A、共射組態(tài)
B、共集組態(tài)
C、共基組態(tài)
D、無(wú)
參考資料【 】
5、【單選題】如下圖，不用計(jì)算可以粗略估計(jì)電路（1）的輸入電阻約為_(kāi)___
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
參考資料【 】
6、【單選題】如下圖，不用計(jì)算可以粗略估計(jì)電路（2）的輸入電阻約為_(kāi)___，
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
參考資料【 】
7、【單選題】如下圖，不用計(jì)算可以粗略估計(jì)電路（3）的輸入電阻約為_(kāi)___
A、1M
B、100k
C、3k
D、100
參考資料【 】
8、【單選題】對(duì)于1kHz正弦輸入信號(hào)，圖中哪些電路的電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值能大于1？（不必計(jì)算具體的數(shù)值，設(shè)晶體管）
A、（a），（b）
B、（a），（d）
C、（b），（d）
D、（a），（c）
參考資料【 】
9、【單選題】對(duì)于1kHz正弦輸入信號(hào)，圖中哪些電路的電壓放大倍數(shù)絕對(duì)值能小于1？（不必計(jì)算具體的數(shù)值，設(shè)晶體管）<img src="http://edu-image.nosdn.127.net/7BF96B4FC683D554EE2B450CBA9C7B07.jpg?imageView
A、（a），（b）
B、（c），（b）
C、（d），（b）
D、（d），（a）
參考資料【 】
10、【單選題】共基放大電路及其交流等效電路如圖所示。在下面幾種求輸入電阻的公式中，哪個(gè)是正確的？（電容的容抗可忽略不計(jì)）
A、
B、
C、
D、
參考資料【 】
11、【單選題】選擇正確圖號(hào)，用a、b、c、d填空，具有同相放大能力的電路有____；
A、a, b
B、b, d
C、b, c
D、a, c
參考資料【 】
12、【單選題】選擇正確圖號(hào)，用a、b、c、d填空,具有反相放大能力的電路有____；
A、a
B、a, c
C、a, b
D、c, b
參考資料【 】
13、【單選題】已知圖（a)的電路的幅頻響應(yīng)特性如圖（b）所示。選擇正確資料，影響fL大小的因素是____，影響fH大小的因素是____。
A、晶體管極間電容， 晶體管的非線性特性
B、晶體管極間電容， 耦合電容
C、耦合電容， 晶體管極間電容
D、晶體管的非線性特性，耦合電容
參考資料【 】
14、【單選題】電路如圖所示，調(diào)整Rb,使得UCEQ=6V，判斷以下說(shuō)法的正誤，隨正弦輸入信號(hào)幅度增大，輸出電壓
A、首先出現(xiàn)頂部削平失真
B、首先出現(xiàn)底部削平失真
C、同時(shí)發(fā)生頂部和底部削平失真
D、無(wú)
參考資料【 】
15、【單選題】電路如圖所示，調(diào)整Rb,使得UCEQ=6V，判斷以下說(shuō)法的正誤，隨正弦輸入信號(hào)幅度增大，輸出電壓
A、首先出現(xiàn)截止失真
B、首先出現(xiàn)飽和失真
C、飽和失真，截止失真同時(shí)出現(xiàn)
D、無(wú)
參考資料【 】
16、【單選題】要求輸入電阻大于 10MΩ，電壓放大倍數(shù)大于 300，第一級(jí)應(yīng)采用( )電路 ，第二級(jí)應(yīng)采用 （ ）電路
A、共射電路 ，共集電路
B、共源電路，共射電路
C、共集電路，共射電路
D、共漏電路，共射電路
參考資料【 】
17、【判斷題】為了保證晶體管工作在線性放大區(qū)，雙極型管的基、射極之間和場(chǎng)效應(yīng)管的柵、源極之間都應(yīng)加上正向偏置電壓（ ）。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
18、【判斷題】直流放大器必須采用直接耦合方式（ ），所以它無(wú)法放大交流信號(hào)（ ）
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
19、【判斷題】組成放大電路的基本原則之一是電路中必須包含直流電源,對(duì)于雙極型晶體管放大電路來(lái)說(shuō)，發(fā)射結(jié)必須加上正向偏置，集電結(jié)必須加上反向偏置，所以基極電源應(yīng)為正電源，集電極電源應(yīng)為負(fù)電源（ ）。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
20、【判斷題】圖示放大電路具備以下特點(diǎn)：電壓放大倍數(shù)接近于1，與晶體管的大小關(guān)系不大；
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
21、【判斷題】圖示放大電路具備以下特點(diǎn)：輸入電阻比5.1k大得多；
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
22、【判斷題】圖示放大電路具備以下特點(diǎn)：輸出電阻隨晶體管的增大而增大。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
23、【判斷題】圖示放大電路具備以下特點(diǎn)：電壓放大倍數(shù)接近于1，負(fù)載是否接通關(guān)系不大；
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
24、【判斷題】晶體管的輸入電阻rbe是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻，所以它與靜態(tài)工作點(diǎn)無(wú)關(guān)
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
25、【判斷題】放大電路的非線性失真表現(xiàn)為輸入某一頻率正弦信號(hào)時(shí)，輸出信號(hào)中出現(xiàn)一定量的諧波成分。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
26、【判斷題】當(dāng)放大電路的輸入端接上一個(gè)線性度良好的三角波信號(hào)時(shí)，輸出三角波的線性不好，可以肯定該放大電路存在非線性失真。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
27、【判斷題】某擴(kuò)音器的高音不豐富，主要是因?yàn)槠浞糯箅娐返姆蔷€性失真大
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
28、【判斷題】某擴(kuò)音器的高音不豐富，主要是因?yàn)槠浞糯箅娐返耐l帶窄。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
29、【判斷題】在共射放大電路中，當(dāng)負(fù)載電阻RL減小，電壓放大倍數(shù)下降，輸出電阻也減小。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
30、【判斷題】MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極輸入電流幾乎等于零，所以MOS管組成的放大電路的輸入電阻總可以視為無(wú)窮大
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
31、【判斷題】欲使多級(jí)放大電路易于集成化，只能采用直接耦合方式。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
32、【判斷題】放大電路的放大倍數(shù)是指輸出與輸入之間的變化量之比，因此它與靜態(tài)工作點(diǎn)無(wú)關(guān)。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】
33、【判斷題】直接耦合多級(jí)放大電路各級(jí)的 Q 點(diǎn)相互影響，它只能放大直流信號(hào)。
A、正確
B、錯(cuò)誤
參考資料【 】

總結(jié)

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