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编程问答

notes for 电子技术技术(模拟部分) 康华光

發布時間:2023/12/10 编程问答 25 豆豆
生活随笔 收集整理的這篇文章主要介紹了 notes for 电子技术技术(模拟部分) 康华光 小編覺得挺不錯的,現在分享給大家,幫大家做個參考.

http://bbs.ednchina.com/BLOG_sheafh_294159-18.HTM 可以學習一下電子設計的博客 =========================================================================== bjt 共射極放大電路 雖然這些電流電壓的瞬時值是變化的,但它們的方向是始終不變的 無輸入信號時,晶體管的電壓、電流都是直流分量。有輸入信號后,iB、iC、vCE都在原來靜態值的基礎上疊加了一個交流分量。雖然iB、iC、vCE的瞬時值是變化的,但它們的方向始終不變,即均是脈動直流量。 ? ---------------------------------------------- 要正確地理解正向壓降的含義, 談到電壓,必須規定好正方向,離開了正方向談電壓毫無意義,分析bjt的公射極和共基極放大電路時,輸入電壓的變化,導致輸出電壓的變化時,要認清 輸入電壓和輸出電壓是什么, --------------------------------------------------------------------------- 溫度升高時,PN結的正向電流增大、正向壓降降低,即正向電流具有正的溫度系數,正向壓降具有負的溫度系數; 這主要是由于PN結的勢壘高度降低所造成的結果。并且反向電流隨著溫度的升高也增大,這主要是由于兩邊少數載流子濃度增大的結果。

?

嚴格地說,在外加電壓、溫度和摻雜濃度都一定時,內建電場和內建電壓V即確定,則勢壘厚度和勢壘高度qV也就一定。

在外加電壓、溫度一定時,若摻雜濃度提高,則勢壘厚度減薄,同時內建電場和內建電壓V都會增大,則勢壘高度qV也升高。

在外加電壓和摻雜濃度一定時,若溫度升高,勢壘厚度也會減薄,但內建電場和內建電壓V都將減小,則勢壘高度qV降低。

在摻雜濃度和溫度變化時,說內建電壓V不變是錯誤的,不過這種變化在一定條件下相對來說往往不大,故在討論內建電場變化時可以說“內建電壓基本不變”。

從另一種觀點看, 溫度身高導致 平衡少子 濃度增大, 而摻雜增大,則導致 非平衡多子 濃度增大,兩者本質是不同的

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點接觸二極管電容較小,反向耐壓低,承受電流也較小


理論上擊穿電壓與結面積無關,但是實際上小面積的結,它的邊緣的影響往往變成主要的了。

理論上擊穿電壓與結面積無關,但是實際上小面積的結,它的邊緣的影響往往變成主要的了。而對于大面積的結,可以通過一些措施來消除邊緣的影響。

結構相同,doping profile相同的device耐電壓值相同,與面積無關
但面積越小,能承受的電流或者說energy越小,所以可以說越容易被擊穿。

?
能承受的反向電壓與面積是沒有直接關系的,面積只會影響charge,電流或energy。
不過如果P與N的接觸部分形狀比較突兀(比如一點接觸),由于edge effect,會使得PN電場大于理論的平面性接觸,從而降低break down voltage,

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pn加正向偏壓時,pn結不會消失


畫一張energy band diagram,就可以看到,只要是從P變為N不管如何加bias,都會經過ni state,一定會有depletion region.
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有一種假想的方法可以實現消除delpetion region,就是假設有一個P-N+ diode,同時P的width很窄,加上足夠的bias之后是的P先實現depletion再實現inversion(與MOSinversion類似),使得P的minority electron多于hole concentration,就算得上是一個沒有depletion region的器件,但此時也不是diode,只能算一個N+doping的resistor而已。

費米能級可以反映半導體的可移動的carrier數量,費米能級=Ei,說明此時基本上只有很少的可移動carrier,對于一個doping過得device,carrier沒了自然就只剩下不能移動的空間電荷區了,就是depletion region.

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一個微電子的學習網站

http://nanohub.org/tags/pndiode

http://blog.163.com/xmx028@126/

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http://wenku.baidu.com/view/0c5a042c7375a417866f8f6b.html

----------------------------------------------------------------------------- p型半導體主要是靠空穴導電 也就是 價帶中的 所有電子的整體效應,導帶中的電子很少 ---------------------------------------------------------------------------------------------

半導體中兩種載流子的電性不是相反的嗎?加起來不是零嗎?

半導體的導電機制是電子和空穴導電(電子和空穴均稱為載流子),其中電子是實際存在的,而空穴是一個物理模型,不是實際存在的。為什么要用空穴來描述導電呢?因為在價帶頂,大部分能級是被電子占據的,只有少數能級沒被電子占據,假如價帶中有100個能級,其中99個被電子占據,剩下的1個沒被電子占據(稱之為空穴),如果用電子描述價帶導電,那么要考慮99個電子,如果用空穴描述價帶導電,只需要考慮1個空穴,簡化了問題。 所以空穴其實代表是大量的電子,帶正電的空穴是不存在的,就不存在電性相反抵消后為零的情況了。

“電流是兩種載流子之和”的意思是不是用電子描述價帶導電的電流加上用空穴描述價帶導電的電流之和呢?

應該是用電子描述 導帶 導電的電流 加上 用空穴描述 價帶 導電的電流之和。對于導帶,電子為少數載流子,所以用電子描述導電更方便;對于價帶,空穴為少數載流子,所以用空穴描述導電更方便。

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半導體價帶頂的問題

在價帶頂 電子的有效質量為負
??
先不用空穴的概念,來解釋電流方向問題??
??
假如加一個向右的電場
由于準經典運動的 牛頓定律 F=dp/dt=hbar* dk/dt
??
價帶的大量帶負電的電子獲得向左的力(F<0)?? 從而k的改變量 為負值
??
如果畫出加了電場以后 的 E-k 關系 將是
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??????????????????????????*
?????????????????????????????? -
?????????????????????????????????? -
?????????????????????????????????????? -
???????? -??????????????????????????????-
???? -???????????????????????????????????? -
-????????????????????????????????????????????-??????????????????
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其中??
*代表 價帶頂?? -代表電子是帶負電??
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多余一部分電子在k>0 區域 說明速度 是向左(因為有效質量為負, v=p/m*=hbar*
k/m*) 電子負電 所以電流向右??
??
??
好像是沒有問題??
--------------------------
??
但現在如果引入空穴的概念??
假如加一個向右的電場
由于準經典運動的 牛頓定律 F=dp/dt=hbar* dk/dt
??
價帶的少量空穴獲得向右的力(F>0)?? 從而k的改變量 為正值
如果畫出加了電場以后 的 E-k 關系 將是
??
??????????????????????????*
????????????????????+??????????+
?????????????????????????????????????? +
??????????????????????????????????????????+????????
??
多余一部分空穴在k>0 區域 說明速度 是向右 空穴正電 所以電流向右
??
-------
??
我現在的問題是 這兩個圖 看起來對不上??我本來以為 空穴是填補空位的 可是加電場以
后 圖1的空位在左??可是圖2空穴卻在右 并不是像平衡態的時候 空穴對應空位的位置
??
??
為什么? 要把空穴 的 k變成-k嗎?
??
另外上面所有的分析里有沒有錯誤的地方? 實在需要弄懂價帶頂的問題??多謝????
?搞明白了 看了好幾本教材 只有Kittel對這個問題講得比較清楚
??
價帶頂miss掉一個波矢為k的電子 相應的空穴的波矢將為-k 而不是k
所以引入空穴概念以后 k軸要左右調換 沒錯?
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注:加電場之前的E-k關系為:
??
??
??
????????????????????????*
????????????????????????????????
??
?????????? -?????????????????????? -
????????-??????????????????????????????-
????-???????????????????????????????????? -
-????????????????????????????????????????????-?

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規定正電荷的流動方向為電流方向!電路一般都是電子(負電荷)的流動!所以電源外部就是電流從正極流向負極(即電子從負極流向正極)電源做正功。 電源內部電流從負極流向正極(即電子從正極流向負極)電源做負功,這個過程電源要消耗其他能量轉化為電能!整個過程能量守恒,電子守恒!電荷守恒! 電源相當于水泵!


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總結

以上是生活随笔為你收集整理的notes for 电子技术技术(模拟部分) 康华光的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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