http://bbs.ednchina.com/BLOG_sheafh_294159-18.HTM 可以學(xué)習(xí)一下電子設(shè)計(jì)的博客 =========================================================================== bjt 共射極放大電路 雖然這些電流電壓的瞬時(shí)值是變化的，但它們的方向是始終不變的 無(wú)輸入信號(hào)時(shí)，晶體管的電壓、電流都是直流分量。有輸入信號(hào)后，iB、iC、vCE都在原來(lái)靜態(tài)值的基礎(chǔ)上疊加了一個(gè)交流分量。雖然iB、iC、vCE的瞬時(shí)值是變化的，但它們的方向始終不變，即均是脈動(dòng)直流量。 ? ---------------------------------------------- 要正確地理解正向壓降的含義, 談到電壓,必須規(guī)定好正方向,離開(kāi)了正方向談電壓毫無(wú)意義,分析bjt的公射極和共基極放大電路時(shí),輸入電壓的變化,導(dǎo)致輸出電壓的變化時(shí),要認(rèn)清 輸入電壓和輸出電壓是什么, --------------------------------------------------------------------------- 溫度升高時(shí)，PN結(jié)的正向電流增大、正向壓降降低，即正向電流具有正的溫度系數(shù)，正向壓降具有負(fù)的溫度系數(shù)； 這主要是由于PN結(jié)的勢(shì)壘高度降低所造成的結(jié)果。并且反向電流隨著溫度的升高也增大，這主要是由于兩邊少數(shù)載流子濃度增大的結(jié)果。

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嚴(yán)格地說(shuō)，在外加電壓、溫度和摻雜濃度都一定時(shí)，內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓V即確定，則勢(shì)壘厚度和勢(shì)壘高度qV也就一定。

在外加電壓、溫度一定時(shí)，若摻雜濃度提高，則勢(shì)壘厚度減薄，同時(shí)內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓V都會(huì)增大，則勢(shì)壘高度qV也升高。

在外加電壓和摻雜濃度一定時(shí)，若溫度升高，勢(shì)壘厚度也會(huì)減薄，但內(nèi)建電場(chǎng)和內(nèi)建電壓V都將減小，則勢(shì)壘高度qV降低。

在摻雜濃度和溫度變化時(shí)，說(shuō)內(nèi)建電壓V不變是錯(cuò)誤的，不過(guò)這種變化在一定條件下相對(duì)來(lái)說(shuō)往往不大，故在討論內(nèi)建電場(chǎng)變化時(shí)可以說(shuō)“內(nèi)建電壓基本不變”。

從另一種觀點(diǎn)看, 溫度身高導(dǎo)致 平衡少子 濃度增大, 而摻雜增大,則導(dǎo)致 非平衡多子 濃度增大,兩者本質(zhì)是不同的

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點(diǎn)接觸二極管電容較小,反向耐壓低,承受電流也較小

理論上擊穿電壓與結(jié)面積無(wú)關(guān)，但是實(shí)際上小面積的結(jié)，它的邊緣的影響往往變成主要的了。

理論上擊穿電壓與結(jié)面積無(wú)關(guān)，但是實(shí)際上小面積的結(jié)，它的邊緣的影響往往變成主要的了。而對(duì)于大面積的結(jié)，可以通過(guò)一些措施來(lái)消除邊緣的影響。

結(jié)構(gòu)相同，doping profile相同的device耐電壓值相同，與面積無(wú)關(guān)
但面積越小，能承受的電流或者說(shuō)energy越小，所以可以說(shuō)越容易被擊穿。

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能承受的反向電壓與面積是沒(méi)有直接關(guān)系的，面積只會(huì)影響charge，電流或energy。
不過(guò)如果P與N的接觸部分形狀比較突兀（比如一點(diǎn)接觸），由于edge effect，會(huì)使得PN電場(chǎng)大于理論的平面性接觸，從而降低break down voltage，

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pn加正向偏壓時(shí)，pn結(jié)不會(huì)消失

畫一張energy band diagram，就可以看到，只要是從P變?yōu)镹不管如何加bias，都會(huì)經(jīng)過(guò)ni state，一定會(huì)有depletion region.
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有一種假想的方法可以實(shí)現(xiàn)消除delpetion region，就是假設(shè)有一個(gè)P-N+ diode，同時(shí)P的width很窄，加上足夠的bias之后是的P先實(shí)現(xiàn)depletion再實(shí)現(xiàn)inversion（與MOSinversion類似），使得P的minority electron多于hole concentration，就算得上是一個(gè)沒(méi)有depletion region的器件，但此時(shí)也不是diode，只能算一個(gè)N+doping的resistor而已。

費(fèi)米能級(jí)可以反映半導(dǎo)體的可移動(dòng)的carrier數(shù)量，費(fèi)米能級(jí)=Ei，說(shuō)明此時(shí)基本上只有很少的可移動(dòng)carrier，對(duì)于一個(gè)doping過(guò)得device，carrier沒(méi)了自然就只剩下不能移動(dòng)的空間電荷區(qū)了，就是depletion region.

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----------------------------------------------------------------------------- p型半導(dǎo)體主要是靠空穴導(dǎo)電 也就是 價(jià)帶中的 所有電子的整體效應(yīng)，導(dǎo)帶中的電子很少 ---------------------------------------------------------------------------------------------

半導(dǎo)體中兩種載流子的電性不是相反的嗎？加起來(lái)不是零嗎？

半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)制是電子和空穴導(dǎo)電（電子和空穴均稱為載流子），其中電子是實(shí)際存在的，而空穴是一個(gè)物理模型，不是實(shí)際存在的。為什么要用空穴來(lái)描述導(dǎo)電呢？因?yàn)樵趦r(jià)帶頂，大部分能級(jí)是被電子占據(jù)的，只有少數(shù)能級(jí)沒(méi)被電子占據(jù)，假如價(jià)帶中有100個(gè)能級(jí)，其中99個(gè)被電子占據(jù)，剩下的1個(gè)沒(méi)被電子占據(jù)（稱之為空穴），如果用電子描述價(jià)帶導(dǎo)電，那么要考慮99個(gè)電子，如果用空穴描述價(jià)帶導(dǎo)電，只需要考慮1個(gè)空穴，簡(jiǎn)化了問(wèn)題。 所以空穴其實(shí)代表是大量的電子，帶正電的空穴是不存在的，就不存在電性相反抵消后為零的情況了。

“電流是兩種載流子之和”的意思是不是用電子描述價(jià)帶導(dǎo)電的電流加上用空穴描述價(jià)帶導(dǎo)電的電流之和呢？

應(yīng)該是用電子描述 導(dǎo)帶 導(dǎo)電的電流 加上 用空穴描述 價(jià)帶 導(dǎo)電的電流之和。對(duì)于導(dǎo)帶，電子為少數(shù)載流子，所以用電子描述導(dǎo)電更方便；對(duì)于價(jià)帶，空穴為少數(shù)載流子，所以用空穴描述導(dǎo)電更方便。

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半導(dǎo)體價(jià)帶頂?shù)膯?wèn)題

在價(jià)帶頂 電子的有效質(zhì)量為負(fù)
??
先不用空穴的概念，來(lái)解釋電流方向問(wèn)題??
??
假如加一個(gè)向右的電場(chǎng)
由于準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動(dòng)的 牛頓定律 F=dp/dt＝hbar＊ dk／dt
??
價(jià)帶的大量帶負(fù)電的電子獲得向左的力(F<0)?? 從而k的改變量 為負(fù)值
??
如果畫出加了電場(chǎng)以后 的 E－k 關(guān)系 將是
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??????????????????????????＊
?????????????????????????????? －
?????????????????????????????????? －
?????????????????????????????????????? －
???????? －??????????????????????????????－
???? －???????????????????????????????????? －
－????????????????????????????????????????????－??????????????????
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其中??
＊代表 價(jià)帶頂?? －代表電子是帶負(fù)電??
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多余一部分電子在k>0 區(qū)域 說(shuō)明速度 是向左（因?yàn)橛行з|(zhì)量為負(fù), v=p/m*=hbar＊
k/m*） 電子負(fù)電 所以電流向右??
??
??
好像是沒(méi)有問(wèn)題??
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－
??
但現(xiàn)在如果引入空穴的概念??
假如加一個(gè)向右的電場(chǎng)
由于準(zhǔn)經(jīng)典運(yùn)動(dòng)的 牛頓定律 F=dp/dt＝hbar＊ dk／dt
??
價(jià)帶的少量空穴獲得向右的力(F>0)?? 從而k的改變量 為正值
如果畫出加了電場(chǎng)以后 的 E－k 關(guān)系 將是
??
??????????????????????????＊
????????????????????+??????????+
?????????????????????????????????????? +
??????????????????????????????????????????+????????
??
多余一部分空穴在k>0 區(qū)域 說(shuō)明速度 是向右 空穴正電 所以電流向右
??
－－－－－－－
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我現(xiàn)在的問(wèn)題是 這兩個(gè)圖 看起來(lái)對(duì)不上??我本來(lái)以為 空穴是填補(bǔ)空位的 可是加電場(chǎng)以
后 圖1的空位在左??可是圖2空穴卻在右 并不是像平衡態(tài)的時(shí)候 空穴對(duì)應(yīng)空位的位置
??
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為什么？ 要把空穴 的 k變成－k嗎？
??
另外上面所有的分析里有沒(méi)有錯(cuò)誤的地方？ 實(shí)在需要弄懂價(jià)帶頂?shù)膯?wèn)題??多謝????
?搞明白了 看了好幾本教材 只有Kittel對(duì)這個(gè)問(wèn)題講得比較清楚
??
價(jià)帶頂miss掉一個(gè)波矢為k的電子 相應(yīng)的空穴的波矢將為－k 而不是k
所以引入空穴概念以后 k軸要左右調(diào)換 沒(méi)錯(cuò)?
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注：加電場(chǎng)之前的E-k關(guān)系為：
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??
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????????????????????????＊
????????????????????????????????
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?????????? －?????????????????????? －
????????－??????????????????????????????－
????－???????????????????????????????????? －
－????????????????????????????????????????????－?

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規(guī)定正電荷的流動(dòng)方向?yàn)殡娏鞣较?#xff01;電路一般都是電子（負(fù)電荷）的流動(dòng)！所以電源外部就是電流從正極流向負(fù)極（即電子從負(fù)極流向正極）電源做正功。 電源內(nèi)部電流從負(fù)極流向正極（即電子從正極流向負(fù)極）電源做負(fù)功，這個(gè)過(guò)程電源要消耗其他能量轉(zhuǎn)化為電能！整個(gè)過(guò)程能量守恒，電子守恒！電荷守恒！ 電源相當(dāng)于水泵！

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的notes for 电子技术技术(模拟部分) 康华光的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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