雙極性晶體管：NPN和PNP管；

單極性晶體管：場效應(yīng)管（MOSFET和JFET）；

MOS管相對三極管具有速度快、輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、容易集成等優(yōu)點。

下面總結(jié)下其主要參數(shù)與重要特性，只有比較好的理解了各種參數(shù)和特性才能設(shè)計出穩(wěn)健可靠的電路。

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主要參數(shù)：

• 靜態(tài)特性參數(shù)

BVDSS：漏源擊穿電壓，為正溫度系數(shù)。

BVGS：柵源擊穿電壓

VGS(th)：閾值電壓，為負(fù)溫度系數(shù)。

RDS(on)：導(dǎo)通電阻；

RGS：柵源電阻，柵源之間電壓與柵極電流之比；

IDSS：零柵壓漏極電流，正溫度系數(shù)；

IGSS：柵源漏電流，特定的柵源電壓下流過柵極的電流；

• 動態(tài)特性參數(shù)

Ciss輸入電容，漏源短接，交流信號測得的柵極和源極之間的電容。

Ciss=Cgs+Cgd，輸入電容充電到閾值電壓時器件開啟，放電到一定值器件關(guān)斷，因此驅(qū)動電路和Ciss對器件的開啟和關(guān)斷延時有直接影響；

Coss輸出電容，柵源短接，交流信號測得漏極和源極之間的電容。

Coss=Cds+Cgd，對于軟開關(guān)應(yīng)用，可能引起電路諧振；

Crss反向傳輸電容，源極接地，測得漏極和柵極之間電容，等同于Cgd。

也叫做米勒電容，對于開關(guān)的上升和下降時間及其重要。

Td（on）導(dǎo)通延遲時間：柵源電壓上升到10%柵極驅(qū)動電壓時到漏電流升到規(guī)定電流的90%所經(jīng)歷的時間。

Td（off）關(guān)斷延時時間：柵源電壓下降到90%柵極驅(qū)動電壓時到漏電流下降到規(guī)定電流的10%所經(jīng)歷的時間。

Tr：上升時間：漏極電流從10%上升到90%所經(jīng)歷的時間；

Tf：下降時間：漏極電流從90%下降到10%所經(jīng)歷的時間；

NF低頻噪聲系數(shù)：噪聲是由管子內(nèi)部載流子運動的不規(guī)則性所引起的，由于它的存在可以使放大器在沒有信號輸入時，輸出端也會有不規(guī)格的電壓電流變化。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)一般幾個分貝，比雙極性三極管的要小。

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重要特性：

• 導(dǎo)通特性

導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合。Vgs滿足一定條件就會導(dǎo)通。

• 損失特性

導(dǎo)通后均有導(dǎo)通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分叫做導(dǎo)通損耗；

小功率的管子導(dǎo)通電阻一般幾毫歐幾十毫歐，Vgs電壓不一樣電阻也不一樣。

管子在導(dǎo)通和截止時，兩端電壓有個降落過程，電流有個上升過程，在這段時間內(nèi)

管子的損失是電壓和電流的乘積，稱之為開關(guān)損失；通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大很

多，頻率越快，損失越大。縮短開關(guān)時間，降低開關(guān)頻率均能減小開關(guān)損失。

• 寄生電容驅(qū)動特性

GS GD之間存在寄生電容，MOS管的驅(qū)動理論上是對電容的充放電；

對電容的充電需要一個電流，由于電容充電瞬間可以看成短路，所以瞬間電流會比

較大，所以選型時需要注意抗沖擊電流大小。

• 寄生二極管

漏極源極之間有個寄生二極管也叫做體二極管，在感性負(fù)載（馬達(dá)繼電器）應(yīng)用

中，主要用來保護(hù)回路。不過體二極管只在單個MOS管中，集成芯片中是沒有的。

• 轉(zhuǎn)移特性

場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性是指漏源電壓固定時，柵源電壓Vgs對漏極電流Id的控制特性；

Vertical D-MOS管2N7002的轉(zhuǎn)移特性；VDMOS的跨導(dǎo)（gm）線性度較好。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的MOS管的主要参数与重要特性的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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