最近一段時間，三星的新工藝負(fù)面新聞不斷，之前有傳聞稱良率只有35%，嚇跑了NVIDIA及高通等客戶，不過三星一直否認(rèn)，現(xiàn)在又有報(bào)道稱3nm工藝已經(jīng)量產(chǎn)，最關(guān)鍵的良率也在改善中。

這個喜訊是三星管理層向董事會報(bào)告的，顯示了三星對3nm工藝的信心，表示良率已經(jīng)改善，但是現(xiàn)在依然沒有具體的細(xì)節(jié)泄露出來了。

此前的三星公布了2022年Q1季度財(cái)報(bào)會議，三星官方也否認(rèn)了傳聞中的良率不行的傳聞。

三星表示，5nm工藝已經(jīng)進(jìn)入成熟階段，還在擴(kuò)大服務(wù)，4nm工藝雖然良率提升過程出現(xiàn)了延遲，但已經(jīng)進(jìn)入了預(yù)定的良率曲線，未來的3nm工藝還在準(zhǔn)備設(shè)立一條新的研發(fā)生產(chǎn)線。

對三星來說，3nm節(jié)點(diǎn)是他們押注芯片工藝趕超臺積電的關(guān)鍵，因?yàn)榕_積電的3nm工藝不會上下一代的GAA晶體管技術(shù)，三星的3nm節(jié)點(diǎn)就會啟用GAA技術(shù)，這是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺積電3nm FinFET工藝。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的功耗降低50% 三星3nm工艺量产传来喜讯：良率改善中的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。