ASML中国:现有技术搞定1nm芯片绰绰有余
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ASML中国:现有技术搞定1nm芯片绰绰有余
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5月16日是聯合國教科文組織定義的“國際光日”,ASML中國官方在一篇中寫道“創新,讓摩爾定律重煥光彩”。
ASML中國強調,過去15年,摩爾定律依然生效且狀況良好,未來十年甚至更長時間內將繼續保持勢頭。
ASML自信滿滿地指出“在元件方面,目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點,包括gate-all-around FETs(環繞柵極晶體管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。
此外,光刻系統分辨率的改進(預計每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現。
據了解,納米之后將進入埃米時代,臺積電、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工藝早期路線圖。也許,技術創新之所以彌足珍貴,內核要義就在于不會被困難打倒。
總結
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