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ASML中国:现有技术搞定1nm芯片绰绰有余

發(fā)布時間:2023/12/10 综合教程 26 生活家
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5月16日是聯(lián)合國教科文組織定義的“國際光日”,ASML中國官方在一篇中寫道“創(chuàng)新,讓摩爾定律重?zé)ü獠?rdquo;。

ASML中國強(qiáng)調(diào),過去15年,摩爾定律依然生效且狀況良好,未來十年甚至更長時間內(nèi)將繼續(xù)保持勢頭。

ASML自信滿滿地指出“在元件方面,目前的技術(shù)創(chuàng)新足夠?qū)⑿酒闹瞥掏七M(jìn)至至少1納米節(jié)點,包括gate-all-around FETs(環(huán)繞柵極晶體管),nanosheet FETs,forksheet FETs以及complementary FETs”。

此外,光刻系統(tǒng)分辨率的改進(jìn)(預(yù)計每6年左右縮小2倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進(jìn)一步推動芯片尺寸縮小的實現(xiàn)。

據(jù)了解,納米之后將進(jìn)入埃米時代,臺積電、Intel等都制定了雄心勃勃的埃米工藝早期路線圖。也許,技術(shù)創(chuàng)新之所以彌足珍貴,內(nèi)核要義就在于不會被困難打倒。

總結(jié)

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