國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片正蓬勃發(fā)展，代表企業(yè)有合肥長(zhǎng)鑫（DRAM）、武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)等。

日前，韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI在一份報(bào)告中分析指出，中韓DRAM芯片技術(shù)的差距大約是5年，NAND閃存芯片則已經(jīng)縮短至2年。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)從2021年8月開始量產(chǎn)64層3D NAND，比三星、SK海力士只晚了兩年。至于更先進(jìn)的超200層3D閃存，三星和SK海力士需要等到明年初，預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)在2024年做到這一點(diǎn)。

不過，報(bào)告認(rèn)為有個(gè)變量是如果蘋果真的為旗下產(chǎn)品比如iPhone引入長(zhǎng)江存儲(chǔ)的芯片，那么或?qū)⑵鸬酱蚱飘a(chǎn)業(yè)鏈格局的作用。

總結(jié)

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