國產存儲芯片正蓬勃發展，代表企業有合肥長鑫（DRAM）、武漢長江存儲等。

日前，韓國研究機構OERI在一份報告中分析指出，中韓DRAM芯片技術的差距大約是5年，NAND閃存芯片則已經縮短至2年。

據悉，長江存儲從2021年8月開始量產64層3D NAND，比三星、SK海力士只晚了兩年。至于更先進的超200層3D閃存，三星和SK海力士需要等到明年初，預計長江存儲會在2024年做到這一點。

不過，報告認為有個變量是如果蘋果真的為旗下產品比如iPhone引入長江存儲的芯片，那么或將起到打破產業鏈格局的作用。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的国产SSD奋起直追：中韩闪存芯片技术差已缩短至2年的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。