與臺(tái)積電、三星相比，Intel這幾年在半導(dǎo)體工藝上落后跟EUV工藝量產(chǎn)有關(guān)，Intel之前認(rèn)為EUV不成熟，并不急著上馬EUV光刻機(jī)，結(jié)果被臺(tái)積電三星反超，Intel會(huì)在今年下半年的Intel 4工藝上使用EUV光刻機(jī)。

Intel在當(dāng)前的EUV光刻工藝上吃虧了，但是接下來他們追趕的步伐可要加快了，Intel把賭注押在了新一代High NA EUV光刻機(jī)上，NA數(shù)值孔徑從目前的0.33提升到0.55，該數(shù)字越大，EUV光刻機(jī)的分辨率越高，適合3nm以內(nèi)的先進(jìn)工藝。

ASML的新一代EUV光刻機(jī)型號(hào)為EXE:5200，Intel這次會(huì)成為首發(fā)用戶，搶下了第一臺(tái)0.55 NA的EUV光刻機(jī)，而且首批6臺(tái)中Intel也占了大頭，臺(tái)積電三星會(huì)慢一波。

升級(jí)到NA 0.55的EUV光刻機(jī)技術(shù)難度也更大，光是價(jià)格就翻了一兩倍，相比目前1.4億美元一臺(tái)的價(jià)格，新一代EUV光刻機(jī)的價(jià)格要4億美元左右，約合人民幣26億元了。

盡管如此，Intel還是會(huì)大力推進(jìn)0.55 NA的EUV光刻機(jī)，高管Mark Phillips最近在一次會(huì)議上透露了Intel的路線圖，他們正在跟ASML合作，預(yù)計(jì)在2023年底到2024年初在美國(guó)俄勒岡州的工廠安裝，2025年正式量產(chǎn)。

Intel的芯片工藝路線圖中，最先進(jìn)的還是18A工藝，不過2024年就要量產(chǎn)了，而且這一代使用的還是當(dāng)前的EUV光刻機(jī)，0.55 NA的光刻機(jī)會(huì)用于再下一代的新工藝。

這個(gè)新工藝目前還沒消息，不過按照工藝演進(jìn)，應(yīng)該也是1.4nm級(jí)別的，估計(jì)代號(hào)是Intel 14A，對(duì)標(biāo)臺(tái)積電的1.4nm工藝。

總結(jié)

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