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ASML 与三星签署谅解备忘录,共同投资 1 万亿韩元在韩国建立研发中心

發布時間:2023/12/13 windows 51 传统文化
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12 月 12 日消息,當地時間周二,三星電子董事長李在镕攜手 SK 集團董事長崔泰元訪問 ASML 荷蘭總部,并與 ASML 以及韓國總統尹錫悅就半導體芯片聯盟事宜進行探討。

今日晚間,ASML 宣布與三星電子簽署備忘錄,將共同投資 1 萬億韓元(備注:當前約 54.5 億元人民幣)在韓國建立研究中心,并將利用下一代極紫外(EUV)光刻機研究超精細半導體制造工藝。

同時,ASML 還宣布與 SK 海力士簽署 ESG 諒解備忘錄,就環境、社會和公司治理項目展開合作。

值得一提的是,上個月初還有消息稱三星在五年內從 ASML 采購 50 套設備,每臺單價約為 2000 億韓元,總價值可達 10 萬億韓元(當前約 545 億元人民幣)。

三星電子于去年 6 月推出了全球首個采用全柵極(GAA)技術的 3nm 代工技術,因此該公司一直在努力確保采購更多 EUV 光刻設備,目標是在明年上半年進入 3nm 世代的第二代工藝,在 2025 年進入 2nm 工藝,在 2027 年進入 1.4nm 工藝。

正因如此,李在镕董事長去年 6 月訪問了 ASML 總部,與首席執行官 Peter Bennink 討論了 EUV 采購問題,并在同年 11 月訪問韓國期間與 Bennink 進行了進一步會談。鑒于 EUV 的交付周期(從下單到收貨)至少需要一年,這些會議看起來確實取得了實際成果。

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總結

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