全球首发3nm工艺 三星自己建议拆分自己:跟台积电拼了
在全球半導(dǎo)體晶圓代工市場(chǎng)上,三星雖然是僅次于臺(tái)積電的第二大公司,但是三星跟臺(tái)積電的差距還是很大的,技術(shù)及產(chǎn)能都遠(yuǎn)不如后者,今年又丟了高通的驍龍8+訂單,未來的解決辦法可能就是拆分業(yè)務(wù),將晶圓代工業(yè)務(wù)獨(dú)立運(yùn)營。
三星在半導(dǎo)體行業(yè)的整體實(shí)力不俗,但主要優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)芯片上,包括閃存及內(nèi)存都是全球第一,但在晶圓代工業(yè)務(wù)上多年來都是老二,而且差距還在擴(kuò)大,不過三星早就定下目標(biāo),希望在2030年前超越臺(tái)積電。
如何實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo),同為三星集團(tuán)的三星證券提出了意見,那就是三星電子拆分晶圓代工部門,并且去美國上市,以力拼臺(tái)積電。
目前三星在先進(jìn)工藝上已經(jīng)追上來了,6月最后一天還宣布全球首發(fā)量產(chǎn)了3nm工藝,與5nm相比,新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗,減少16%的面積,并同時(shí)提升23%的性能。
第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同時(shí)面積減少35%,效果更好。
總結(jié)
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