在半導(dǎo)體技術(shù)上，日本在上世紀(jì)80年曾是全球第一，還最早發(fā)明了NAND閃存，如今日本半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)下滑，雖然在閃存芯片、制造設(shè)備等領(lǐng)域還有競(jìng)爭(zhēng)力，但最先進(jìn)的邏輯工藝僅40nm左右，已經(jīng)落后于中國(guó)。

日本半導(dǎo)體衰落跟美國(guó)當(dāng)年的打壓以及刻意扶植韓國(guó)等因素有關(guān)，當(dāng)年Intel退出內(nèi)存芯片領(lǐng)域也是跟日本公司的競(jìng)爭(zhēng)有關(guān)，不過(guò)現(xiàn)在的形勢(shì)變了，日本在先進(jìn)工藝上已經(jīng)跟美國(guó)展開(kāi)了合作，試圖在未來(lái)幾年量產(chǎn)2nm工藝。

據(jù)日本媒體報(bào)道，日本與美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)成了合作，美國(guó)國(guó)立研究機(jī)構(gòu)和日本的大學(xué)計(jì)劃在日本國(guó)內(nèi)成立聯(lián)盟，Intel以及IBM公司也有可能參與其中，他們提供技術(shù)平臺(tái)，與日本的半導(dǎo)體設(shè)備及材料公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)可以用于數(shù)據(jù)中心及汽車(chē)自動(dòng)駕駛等行業(yè)的先進(jìn)技術(shù)。

此前的消息稱(chēng)，日本與美國(guó)計(jì)劃在2025年左右量產(chǎn)2nm工藝，這將是世界上最先進(jìn)的工藝，屆時(shí)不輸臺(tái)積電、三星或者Intel公司的工藝水平。

總結(jié)

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