內存顆粒識別

存儲顆粒主要有這樣的一些品牌：美國的Micron(美光)、德國的Infineon(英飛凌)；韓國的SAMSUNG(三星)、HY(現代)；日本的NEC(日本電氣)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(東芝)；臺灣的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(鈺創)、Winbond(華邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先進)、Nanya(南亞)。

有的品牌現在已經沒有被采用了，只有在SDRAM時代采用過，有的品牌在DDR時代采用的也不多了。顯存種類主要分SD和DDR兩種，有時候，他們可以從編號上區分，DDR的可能會注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。另外主要從管角數量上來區分，以TSOP封裝來說，SDRAM的管腳數量是27x2＝54，DDR的管腳數量為33X2=66。

注：“bit”為“數位”，“B”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關于內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

SAMSUNG

目前使用三星的內存顆粒來生產內存條的廠家非常多，在市場上有很高的占有率。由于其產品線龐大，所以三星內存顆粒的命名規則非常復雜。三星內存顆粒的型號采用一個15位數字編碼命名的。這其中用戶更關心的是內存容量和工作速率的識別，所以我們重點介紹這兩部分的含義。

編碼規則：K 4 X X X X X X XX - X X X X

主要含義：

第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、D代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數(代寬)，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位－－連線“-”，沒有實際意義。

第12、13位――為速度標志。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。

例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits(兆數位) × 16片/8bits=256MB(兆字節)。

Hynix(Hyundai)現代

韓國現代公司的顯存，應該為大多數朋友熟悉了。目前全球排名第四位，它的產品線也是很豐富的，在內存中，現代HY是物美價廉的代表。

現代內存的含義：HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X??X??XX

1??2??3??4??5??6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現代的產品

2、內存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_2

8、芯片內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、內存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、K :DDR266A

第一個編號為HY5DV641622AT-36的顆粒，它是DDR顯存顆粒，第4位的字母“D”即代表為DDR，單顆64/8＝8MB，速度為3.6ns；第二顆編號為HY57V641620HG T-6，它是SDR顆粒，它的第6、7兩位標稱了顯存單顆粒為64/8＝8MB，8，9兩位代表了顯存位寬為16bit，T-6表示速度為6ns，一般以-2A的標識方式進行標注。

Infineon(億恒)

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標識的是該顆粒的容量，后三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：1條Kingston的內存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits(兆數位)×16片/8=256MB(兆字節)。

1條Ramaxel的內存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits(兆數位) × 8 片/8=128MB(兆字節)。

這顆編號為HYB25D128323C-3.3，編號中正數第10、11位，也就是“32”代表了該顆粒的數據輸出位寬。32也就是單顆32位。順便說一下，這是DDR SGRAM顯存顆粒。

KINGMAX

Kingmax內存都是采用TinyBGA封裝(Tiny ball grid array)。并且該封裝模式是專利產品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號后用短線符號隔開標識內存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits(兆數位)×16片/8=128MB(兆字節)。

Micron(美光)

美光是美國第一大、全球第二大內存芯片廠商，目前顯卡廠商采用它顯示芯片較少，它主要供應內存OEM商，下面用上圖的實例對Micron(美光)顆粒編號的簡單含義作介紹：

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M(地址)×8位數據寬度。

A2——內存內核版本號。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR內存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。 其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字節)。

顆粒編號MT 48LC8M8A2 TG-75，從編號上的48很容易知道這是SDRAM顆粒，采用TSOP封裝方式，速度為7.5ns，單顆粒為8M，位寬8bit。

Winbond(華邦)

臺灣華邦為臺灣5大內存芯片廠商之一，近年來，大陸客戶采用它的內存顆粒較多，因此為我們較熟悉的一種品牌。

含義說明：

W XX XX XX XX

1 2??3??4??5

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

這顆粒編號為W946432AD-5H，第1位W為臺灣華邦顯存顆粒開頭標志，編號中的4、5為64表示單顆顯存為64/8=8Mb，第6、7為32表示單顆粒位寬為32位，第9位D表示位DDR顆粒，后面的第11、12位表示顆粒速度位5ns。

臺灣晶豪電子

臺灣晶豪電子是臺灣5大內存芯片廠商之一，它近年來發展迅速，主要中國大陸顯卡商采用它的顆粒較多。

這顆顯存編號為-5.5Q，9948S M32L32321SB，-5.5Q代表顯存的速度為5.5ns，對應的運行速度=1/5.5=183MHz；9948S表示封裝日期為99年第48周；第二行中的3232表示容量為32/8=4MB，數據帶寬為32bit。

這顆顯存編號為M13L128168A-4T，5、6、7位的128表示單顆是128/8＝16MB，8、9位表示位寬16bit，最后的-4T表示速度為4ns。

臺灣鈺創科技

臺灣鈺創科技為最近興起的存儲芯片領域里的一顆新星，它的內存顆粒被各大顯卡產商大量采用，品質性能都非常不錯。這顆顯存編號為EM658160TS-4.5，其中EM代表EtronTech(鈺創)顯存，65代表容量為64/8=8MB，16代表數據帶寬為16bit。T代表工作電壓為2.5V，S代表種類為DDR SDRAM。4.5代表顯存速度為4.5ns，額定工作頻率為230MHz。

南亞科技(NANYA)

南亞科技是全球第六大內存芯片廠商，也是去年臺灣內存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。

這顆顯存編號為NT5SV8M16CT-7K，其中第4位字母“S”表示是SDRAM顯存，6、7位8M表示單顆粒容量8M，8、9位16表示單顆粒位寬16bit，-7K表示速度為7ns。

臺灣茂矽(MOSEL)

臺灣茂矽科技是臺灣一家較大的內存芯片廠商，對大陸供貨不多，因此我們熟悉度不夠。

這顆粒編號為V54C365164VDT45，從編號的6、7為65表示單顆粒為64/8＝8MB，從編號的8、9位16可知單顆粒位寬16bit，從編號的最后3位T45可知顆粒速度為4.5ns。

總結

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