1：單選題
下列幾種存儲器中，（）是易失性存儲器。

A： Cache

B： EPROM

C： Flash Memory

D： CD-ROM

2：單選題
以下哪種存儲器是目前已被淘汰的存儲器（）。

A： 半導體存儲器

B： 磁表面存儲器

C： 磁芯存儲器

D： 光盤存儲器

3：單選題
在存儲器分層結構中，存儲器從容量最大到最小的排列順序是（）。

A： 寄存器----主存----Cache----輔存

B： 主存----輔存----Cache----寄存器

C： 輔存----主存----Cache----寄存器

D： Cache----輔存----寄存器----主存

4：單選題
在存儲器分層體系結構中，存儲器從速度最快到最慢的排列順序是（）。

A： 寄存器----主存----Cache----輔存

B： 寄存器----主存----輔存----Cache

C： 寄存器----Cache----輔存----主存

D： 寄存器----Cache----主存----輔存

5：單選題
以下有關系統主存的敘述中，錯誤的是（）。

A： RAM是可讀可寫存儲器，ROM是只讀存儲器

B： ROM和RAM的訪問方式相同，都采用隨機訪問方式進行讀寫

C： 系統的主存由RAM和ROM組成

D： 系統的主存都是用DRAM芯片實現的

6：單選題
EPROM是指（ ）。

A： 讀寫存儲器

B： 掩膜只讀存儲器

C： 可編程的只讀存儲器

D： 可擦除可編程的只讀存儲器

7：單選題
多模塊交叉存儲器所以能以較高帶寬進行讀/寫，是因為采用了（ ）。

A： 高速芯片技術

B： 新型存儲器件

C： 流水技術

D： 相互獨立的存儲模塊和讀寫電路

8：單選題 ）
假定一臺計算機的主存儲器最大可裝機容量為4GB，按字節編址，則該存儲器的MAR應為（）。

A： 16位

B： 32位

C： 48位

D： 64位

9：單選題
假定一個主存空間大小為1024MB，按字節編址，每次讀寫操作最多可以一次存取32位。不考慮其它因素，則存儲器地址寄存器MAR，和存儲器數據寄存器MDR的位數至少應分別為（）。

A： 30，8

B： 30，32

C： 28，8

D： 28，32

10：單選題
用存儲容量為16K×1位的存儲器芯片來組成一個64K×8位的存儲器，則在字方向和位方向上分別擴展了（）倍。

A： 4和2

B： 8和4

C： 2和4

D： 4和8

11：單選題
相聯存儲器是按（）進行尋址的存儲器。

A： 地址指定方式

B： 堆棧方式

C： 內容指定方式

D： 地址指定與堆棧

12：單選題
以下4種類型的半導體存儲器中，讀出數據傳輸率最高的是（）。

A： DRAM

B： SRAM

C： Flash Memory

D： EPROM

13：單選題
一個動態存儲器芯片的容量是16K×8位, 若采用地址復用技術，則該芯片需要的地址和數據引腳至少分別為（ ）。

A： 14，8

B： 7，8

C： 14，1

D： 7,1

14：單選題
某SRAM芯片，其容量為1024×4位，其地址和數據引腳的數目至少分別為（）。

A： 10，4

B： 5，4

C： 10，8

D： 5，8

15：單選題
某計算機字長16位，存儲容量是64KB，按字節編址，則它的尋址范圍是（）。

A： 0 ～(64K-1)

B： 0 ～(32K-1)

C： 0 ～(64KB-1)

D： 0 ～(32KB-1)

16：單選題
計算機的主存儲器容量為1GB，也就等于（）。

A： 2 的30次方個字節

B： 10 的30次方個字節

C： 2 的9次方個字節

D： 10 的9次方個字節

17：單選題
以下有關存儲器組織的敘述中，錯誤的是（）。

A： 存儲單元由若干個存放或1的記憶元件構成

B： 一個存儲單元有一個編號，就是存儲單元的地址

C： 存儲器編號總是從0開始

D： 同一個存儲器中，每個存儲單元的寬度可以不同，有8位、16位或32位不等，分別存放不同長度的數據和指令

18：單選題
以下有關半導體存儲器的敘述中，錯誤的是（ ）。

A： 半導體存儲器都采用隨機存取方式進行讀寫

B： ROM芯片屬于半導體隨機存儲器芯片

C： SRAM是半導體靜態隨機訪問存儲器，可用作cache

D： DRAM是半導體動態隨機訪問存儲器，可用作主存

總結

以上是生活随笔為你收集整理的第三章 内部存储器（一）的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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