0. 緒言

0.1 什么是電子技術(shù)

電子元器件包括三個層面的技術(shù)：第一層是電子元器件的設(shè)計生產(chǎn)，第二層是利用電子元器件實現(xiàn)某種實際的功能，第三層是把若干個功能模塊組成一個系統(tǒng)。

電子技術(shù)就是完成第二層面的工作，它的核心定義是，以集成電路、分立元器件等電子零部件為基礎(chǔ)，設(shè)計生產(chǎn)出符合要求的功能電路或者獨立小系統(tǒng)。

一般來講，電子技術(shù)又被分為信息電子技術(shù)、功率電子技術(shù)(又叫電力電子技術(shù))兩類，前者以采集信息、處理信息、釋放信息為核心，手機、電腦、醫(yī)療設(shè)備等都屬于此類；后者以控制大功率設(shè)備為主，比如電網(wǎng)中的電能質(zhì)量監(jiān)測和改善、大功率電源、電動汽車等都屬于此類。

在信息電子技術(shù)中，又包含模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)。

0.2 模擬電子技術(shù)

對原始信號不進行數(shù)字化處理的電子技術(shù)，稱為模擬電子技術(shù)。專門研究數(shù)字信號的運算處理的電子技術(shù)稱為數(shù)字電子技術(shù)。

模擬電子技術(shù)一般分為信號的放大、信號的調(diào)理、信號的功率驅(qū)動、信號的產(chǎn)生，以及專門的電源技術(shù)。由于我們生活的世界中，存在的信號都是模擬信號，我們的感官也只能接受模擬信號，因此，無論數(shù)字電子技術(shù)怎樣發(fā)展，它都不能取代模擬電子技術(shù)。比如我們現(xiàn)在使用的手機都是數(shù)字化手機，但是麥克風(fēng)拾取說話聲音，喇叭發(fā)出對方的說話聲都是模擬技術(shù)在發(fā)揮作用。雙麥克風(fēng)降噪技術(shù),可以把遠處嘈雜背景音幾乎全部去掉,而只保留主人說話的聲音，就是一個典型的模擬技術(shù)應(yīng)用。

0.3 模擬電子技術(shù)的學(xué)習(xí)方法

以解決實際電路問題為主

學(xué)習(xí)過程中，不再嚴(yán)格遵循“公理——定理——推論”的流程。在很多場合，結(jié)論可能是來自于試驗科學(xué)，公式可能是一個近似公式。請合理應(yīng)用它們

熟練掌握仿真軟件。Multism、TINA、PSPICE等均可。

對關(guān)鍵電路進行“理論估算——仿真驗證——對比分析”。

注重實驗與仿真。

1. 晶體管分類

1947年肖克利發(fā)明的晶體管，屬于雙極型晶體管[Bipolar Junction Transistor-BJT]。 此外，晶體管還有另外一個分支，叫場效應(yīng)管(Field effect Transistor-FET) ，由結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor-JFET，1952年誕生)和應(yīng)用更為廣泛的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管( Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET，1960年誕生)組成。它們各有特點，應(yīng)用于不同的場合，且到目前為止，長期共存。

2. 雙極型晶體管的原理及其放大特性

2.1 晶體管的引入

為了實現(xiàn)對電壓信號的放大，可以通過受控源來實現(xiàn)。受控源共有四種類型：電壓-電壓受控源(VCVS)、電流-電壓受控源(CCVS)、電壓-電流受控源(VCCS)、電流-電流受控源(CCCS)。

可惜的是，目前為止，實現(xiàn)VCVS功能的，只有變壓器，而且只能放大高頻信號，無法放大低頻或直流信號；且目前沒有實現(xiàn)CCVS功能的器件。

不過能夠?qū)崿F(xiàn)CCCS功能的器件已經(jīng)在1947被發(fā)明出來了，就是BJT。

實現(xiàn)VCCS功能的器件也在1952年被發(fā)明，就是JFET，并且在1960年時，MOSFET也誕生了，它們兩個也屬于晶體管，合成為FET。

2.2 雙極型晶體管

如下圖所示，晶體管中箭頭方向代表了管子的類型:箭頭向外的，是NPN型，箭頭朝里的，是PNP型。因此，一個箭頭起到了兩個作用:第一， 標(biāo)注了哪個管腳是發(fā)射極，第二，指明該晶體管是NPN還是PNP。

BJT的電流定義非常簡單，它依從于發(fā)射極電流的方向。對NPN管，發(fā)射極電流i_E是流出的，那么基極電流i_B和集電極電流i_C都定義為流入的。對于PNP管，發(fā)射極電流i_E是流入的，那么基極電流i_B和集電極電流i_C都定義為流出的。

對于NPN管，基極是P型半導(dǎo)體，定義基極電位減去發(fā)射極電位為發(fā)射結(jié)電壓u_BE,此值為正值才能讓發(fā)射結(jié)的PN結(jié)處于正向?qū)顟B(tài)。
對于PNP管，基極是N型半導(dǎo)體，定義發(fā)射極電位減去基極電位為發(fā)射結(jié)電壓u_BE,此值為正值才能讓發(fā)射結(jié)的PN結(jié)處于正向?qū)顟B(tài)。

完成上述的基本定義后，給出晶體管表現(xiàn)出的最簡單的規(guī)律：

• 晶體管的三個管腳的電流，永遠滿足KCL：i_B + i_C = i_E
• 在晶體管處于放大狀態(tài)下，它的集電極電流i_C唯一受控于基極電流i_B，而與C、E兩端的電壓u_CE無關(guān)：i_C = βi_B

因此，晶體管其實就是一個受控電流源。

2.3 NPN型晶體管的伏安特性

描述一個電學(xué)器件的特性，最直觀的方法就是了解其伏安特性。晶體管有三個引腳，因此晶體管的伏安特性一般有兩種：輸入伏安特性和輸出伏安特性。

• 輸入伏安特性
  晶體管的輸入伏安特性，是指在一個確定的u_CE下，基極電流i_B與發(fā)射結(jié)電壓u_BE之間的關(guān)系。
  一般情況下，當(dāng)u_BE>0.7V時，晶體管的i_B開始呈現(xiàn)出較為明顯的電流。
  

• 輸出伏安特性
  晶體管的輸出伏安特性，是指在一個確定基極電流i_B下，集電極電流i_C與u_CE之間的關(guān)系。
  
  
• 簡化的輸出伏安特性
  

2.4 靜態(tài)和動態(tài)

靜態(tài)，是指某一特定的 ，不變化的狀態(tài)。比如給一個無源部件施加一個電壓，此時部件確定，電壓不變，流過部件的電流也不會變化，電路中所有參量都處于靜止?fàn)顟B(tài)，這就叫靜態(tài)。研究靜止?fàn)顟B(tài)下，各個參量之間的關(guān)系，稱為靜態(tài)分析。
靜態(tài)時的所有量，都用一個下標(biāo)Q(quiescent，靜止、沉寂)來表達。比如U_Q,代表靜態(tài)時部件兩端的電壓，而l_Q，則代表靜態(tài)時流過部件的電流。

動態(tài)，是指電路中某一個量發(fā)生一定數(shù)量的變化 ，導(dǎo)致其它參量隨之發(fā)生一定的變化 ，這種變化的狀態(tài)，稱為動態(tài)。研究動態(tài)時變化量之間的關(guān)系，稱為動態(tài)分析。

2.5 靜態(tài)和信號的耦合

要想實現(xiàn)完美的放大，就要讓晶體管在不加入信號的時候，就處于一個較為合適的位置。這個合適的位置，就是晶體管的靜態(tài)工作點。

所謂的靜態(tài)工作點，是指晶體管放大電路在電源供應(yīng)正常，且沒有施加輸入信號的情況下，晶體管各管腳電流以及電壓的集合 ，它是對靜態(tài)的準(zhǔn)確描述，通常在輸入、輸出伏安特性圖中， 表現(xiàn)為一個確定的位置，因此稱為靜態(tài)工作點。該點用Q表示，代表該點的電壓、電流量以下標(biāo)加Q ,全大寫表示。

要想讓晶體管對輸入電壓信號進行有效的放大，必須解決兩個問題:確定合適的靜態(tài)工作點，以及完成對信號的輸入耦合，輸出耦合。

何謂耦合？耦合，英文為coupling，源自couple (兩個東西的對接)。雖然在不同的領(lǐng)域耦合有不同的解釋，但是在電子學(xué)領(lǐng)域，耦合的含義是兩組或者兩組以上的電子學(xué)系統(tǒng)通過合適的方法(無論有線、無線，電阻、電容、變壓器或者空間場),實現(xiàn)能量或者信息的傳遞。

下圖電路是一個靜態(tài)工作點合適的電路，那么如何連接，才能使輸入信號u_i(交流信號)介入到這個電路中？這個問題也可以叫做：輸入信號如何耦合到放大電路中，或者叫如何實現(xiàn)輸入耦合。

下圖電路給出了一種解決方案，它即解決了輸入耦合，也解決了輸出耦合。該電路的全稱是“"NPN管組成的阻容耦合共射級單級放大電路”。C₁實現(xiàn)輸入耦合，C₂實現(xiàn)輸出耦合。

這種阻容耦合方法的缺點是：只能耦合交流信號，阻隔了低頻或者直流信號。

2.6 晶體管的四種工作狀態(tài)

• 截止?fàn)顟B(tài)
  是指晶體管基極沒有產(chǎn)生明顯的電流，即l_BQ 非常小，導(dǎo)致I_CQ 也很小，就像整個晶體管沒有導(dǎo)通一樣。至于多么小算截止，取決于電路的具體要求。
  一般情況下 ，當(dāng)認定發(fā)射結(jié)零偏或者反偏，而集電結(jié)反偏時，為截止?fàn)顟B(tài)。

• 放大狀態(tài)
  是指晶體管處于l_BQ 合適，且滿足l_CQ=βl_BQ 的狀態(tài)，在輸出伏安特性圖中，靜態(tài)工作點處于放大區(qū)。這種狀態(tài)是模擬電子技術(shù)最常使用的狀態(tài)，此時，輸入導(dǎo)致i_B 變化，會相應(yīng)引起i_C變化。
  一般情況下 ，當(dāng)認定發(fā)射結(jié)正偏，且集電結(jié)反偏時，為放大狀態(tài)。

• 飽和狀態(tài)
  飽和狀態(tài)是指在晶體管;在輸出伏安特性圖中，進入了飽和區(qū)。此時，l_CQ<βl_BQ且隨U_CEQ變化。飽和狀態(tài)容易被人理解為I_CQ 太大，大到不能再大了。這是錯誤的，I_CQ 很小時，也會進入飽和態(tài)。任何狀態(tài)下，只要U_CEQ小于U_CES，晶體管就處于飽和狀態(tài)。
  在飽和狀態(tài)下，再增加l_BQ，I_CQ則幾乎不再增加，這是飽和的唯一關(guān)鍵特征。
  一般情況下，當(dāng)認定發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)也正偏，為飽和狀態(tài)。

• 倒置狀態(tài)
  除此之外，晶體管還有第4種奇異的狀態(tài)，叫倒置狀態(tài)。所謂的倒置狀態(tài)，就是在放大電路中把集電極和發(fā)射極接反了。比如一個設(shè)計好的電路，按照晶體管管腳排列,正常接入就是放大電路，但是有人就粗心，把晶體管的管腳搞錯了，該接集電極的插孔，接入了晶體管的發(fā)射極，而該接入發(fā)射極的插孔，就接成了集電極。這樣，就使得電路中的晶體管處于了倒置狀態(tài)。把它拔下來，c和e管腳顛倒一下，就好了。
  由于晶體管在PN結(jié)拓撲上，集電極和發(fā)射極沒有本質(zhì)區(qū)別，因此這樣接一般不會燒毀晶體管，只是此時的晶體管β下降非常嚴(yán)重。
  一般情況下 ，當(dāng)認定晶體管發(fā)射結(jié)處于反偏，集電結(jié)正偏時，為倒置狀態(tài)。

上述中，前三種狀態(tài)，是晶體管常見的工作狀態(tài):在模擬電路中，常工作于放大狀態(tài)，避免出現(xiàn)截止或者飽和;而在數(shù)字電路中或者電力電子中，則期望晶體管或者處于截止?fàn)顟B(tài)，或者處于飽和狀態(tài)，唯獨不期望它出現(xiàn)放大狀態(tài)。

2.7 晶體管電路的工作狀態(tài)判斷以及靜態(tài)分析

晶體管電路的靜態(tài)分析求解，決定了晶體管目前處于4種工作狀態(tài)的哪一種，也就決定了晶體管電路的性質(zhì)：

• 對模擬信號放大來說，晶體管在靜態(tài)時一般處于放大狀態(tài)。
• 對于數(shù)字信號傳遞或者運算時，晶體管一般處于飽和狀態(tài)或者截止?fàn)顟B(tài)。 倒置狀態(tài)比較特殊,一般很少使用。

判斷晶體管工作狀態(tài)的判斷流程圖如下圖所示。

首先來看，如何判斷一個電路是不是放大結(jié)構(gòu)呢？

下圖中的實線箭頭，繪出了NPN、PNP晶體管正常放大狀態(tài)時的靜態(tài)電流方向，暫稱為"期望電流方向”。在電路中，晶體管外部的電源都是試圖讓晶體管產(chǎn)生電流的，把晶體管的任何兩極之間視為電阻，則電源會產(chǎn)生一個"電源電流方向”。在一個電路中 ，當(dāng)“電源電流方向”與晶體管的”期望電流方向” 吻合，則該電路屬于放大結(jié)構(gòu)。

下圖是各種不同類型的晶體管直流通路(β均為100)。所謂的直流通路，是完整電路中去除信號耦合部分(因為電容隔直通交，所以把電容部分電路去掉)，留下的只影響晶體管直流(靜態(tài))狀態(tài)的那部分電路。利用它可以清晰計算出靜態(tài)工作點。請判斷下圖中哪些電路屬于放大結(jié)構(gòu)。

可以看出，子圖(a)、子圖(b)、 子圖(d)、子圖(f)屬于放大結(jié)構(gòu)。其余都不是。在這些不是放大結(jié)構(gòu)的電路中，實線為“期望電流方向”，虛線為“電源電流方向”。

子圖(c)的電源電流方向與期望電流方向不一致，子圖(e)中的電容阻斷了基極的電源電流，子圖(g)和子圖(h)中不會產(chǎn)生基極電流。

學(xué)會了如何判斷電路是否為放大結(jié)構(gòu)后，我們繼續(xù)按照流程圖判斷晶體管的工作狀態(tài)。

先看流程圖左側(cè)，初步判斷電路不屬于放大結(jié)構(gòu)。此時，如果對調(diào)晶體管的c和e極，電路變?yōu)榉糯蠼Y(jié)構(gòu)，那么此前它一定是倒置狀態(tài)，因為倒置狀態(tài)的本質(zhì)定義為，將放大狀態(tài)下的晶體管，對調(diào)其c和e極，一定變?yōu)榈怪脿顟B(tài)。如果對調(diào)之后，仍不是放大結(jié)構(gòu)，那么它一定是截止?fàn)顟B(tài)。

因此，以目前的能力，無需任何計算，就可以將“截止?fàn)顟B(tài)”和“倒置狀態(tài)”判斷出來。

再看流程圖右側(cè)。如果電路屬于放大結(jié)構(gòu)，那么它一定是放大狀態(tài)或者飽和狀態(tài)，到底是哪一種呢?這就需要靜態(tài)估算，即圖中的“估算靜態(tài)工作點"。

所謂的靜態(tài)估算，就是用簡單的方法，大致計算出晶體管電路的靜態(tài)，包括各支路電流，各節(jié)點電位。估算的核心，就是假設(shè)晶體管的U_BEQ 約等于0.7V。 除此之外，所有的計算，都依賴于最簡單的歐姆定律、基爾霍夫定律。在靜態(tài)估算中，一般要求給出的靜態(tài)工作點，是給出I_CQ 和U_CEQ。 這兩個值一旦獲得，其工作狀態(tài)一目了然。

晶體管靜態(tài)估算的標(biāo)準(zhǔn)步驟如下：

依據(jù)U_BEQ=0.7V，完成I_BQ的估算。

假設(shè)晶體管處于放大狀態(tài)，即I_CQ=βI_BQ，求解出U_CEQ。

如果U_CEQ>=0.3V，則假設(shè)成立，晶體管處于放大狀態(tài)，I_CQ和U_CEQ如前所求。

如果U_CEQ<0.3V ，則假設(shè)不成立，晶體管處于飽和狀態(tài)：U_CEQ強制等于0.3V ，并據(jù)此計算出I_CQ。其實，此時我們計算出這兩個值，意義也不大了。

下面給出一個例題：

2.8 圖解法

一般來講，求下圖電路中的I_BQ和U_BEQ有三種方法：估算法、函數(shù)求解法、圖解法。

• 估算法，就是前一節(jié)所用的方法。它的核心是假設(shè)U_BEQ 約為0.7V。 一旦使用此假設(shè)， 后續(xù)求解就很簡單，但這個假設(shè)是有誤差的，因此估算結(jié)果不太準(zhǔn)確。當(dāng)供電電壓越大，這種方法的誤差越小。

• 函數(shù)求解法，它的核心是，必須知道輸入伏安特性、輸出伏安特性的數(shù)學(xué)表達式，然后通過解方程求解。

• 圖解法，它的核心是，已知晶體管伏安特性圖，。在圖中通過伏安特性曲線和另一直線的交點，求解靜態(tài)工作點的位置，然后目測結(jié)果。

2.8.1 輸入伏安特性圖解法

2.8.2 輸出伏安特性圖解法

2.8.3 兩部件串聯(lián)的圖解法

部件A的伏安特性如圖所示。

部件B的伏安特性如圖所示。

將這兩個部件連接成如圖所示的電路。用圖解法求解電路的輸出

在電路中,輸出電壓是部件B兩端的電壓。因此,以部件B的伏安特性曲線為基礎(chǔ),在圖中找到橫軸等于U_I位置,以此位置為中心,將部件A的伏安特性曲線實施橫向鏡像,繪制在原圖中,此時,兩根曲線一定會有一個交點。此交點橫軸即為輸出電壓,縱軸就是輸出電流。

再舉個例子：電路如下圖所示，已知二極管的伏安特性，求輸出電壓。

運用圖解法，首先繪制出二極管的伏安特性曲線，然后，在橫軸1V的位置處，繪制200Ω電阻的伏安特性的鏡像曲線。這樣，兩曲線的交點即為所求的輸出電壓。

當(dāng)然，上述兩小節(jié)的輸入伏安特性及輸出伏安特性也可以采用兩部件串聯(lián)的圖解法。

• 對于輸入伏安特性來說，回路電壓就是3.2V，兩個部件分別是R_B和晶體管的發(fā)射結(jié)。
  

• 對于輸出伏安特性來說，回路電壓是3.2V，兩個部件分別是R_C和晶體管U_CEQ
  

2.9 動態(tài)求解方法——以硅穩(wěn)壓管為例

2.9.1 硅穩(wěn)壓管簡要介紹

硅穩(wěn)壓管是一種特殊二極管。特殊在于它的反向特性。

普通二極管反向擊穿電壓很高，且擊穿特性并不是十分陡峭；硅穩(wěn)壓管(齊納(zener)二極管)，其正向特性與一般二極管近似，其反向特性中，第一，它的擊穿電壓一般比較低，可以小到幾V，第二，它反向擊穿時，曲線非常陡峭，且具有穩(wěn)定，明顯的擊穿曲線。

由于它在正常使用(用于穩(wěn)壓)中工作在反向擊穿狀態(tài),因此，其伏安特性可以反著畫。

圖中, U_Z指其擊穿電壓,是生產(chǎn)廠家在規(guī)定擊穿電流為I_Z 情況下測得并發(fā)布的,是硅穩(wěn)壓管的重要指標(biāo)。U_Z一般從幾V到幾百V ,取決于不同的穩(wěn)壓管型號。

而U_ZO是一個虛擬量,廠家并不公布,是教科書中為了用一根直線(細線)模擬擊穿曲線而專門定義的,是指反向擊穿曲線按照直線規(guī)律下降和橫軸的交點電壓。

按此近似模擬，硅穩(wěn)壓管正向區(qū)域可以描述為一個折線：

其中, r_Z稱為穩(wěn)壓管的動態(tài)電阻,也是教科書規(guī)定的。

2.9.2 利用動態(tài)求解法求解變化量

電路如圖所示，其中，U_ZO=8V， r_Z=10Ω。問：當(dāng)u_i有±1V的變化量時，u_Z的變化量是多少？

附：將穩(wěn)壓管替換為動態(tài)等效模型(電阻)示意圖。

2.10 雙極型晶體管放大電路的動態(tài)分析

2.10.1 雙極型晶體管的動態(tài)模型——微變等效模型

所謂的動態(tài)模型，是指一個新的電路結(jié)構(gòu)，它由我們已經(jīng)熟悉的電路元器件組成，包括電阻、電容、 電感、電源、受控源等。針對動態(tài)輸入，也就是輸入的變化量，該電路結(jié)構(gòu)可以客觀表征原晶體管各個節(jié)點電壓、支路電流的變化量。
動態(tài)模型是完整模型的簡化,有助于簡化動態(tài)結(jié)果的求解過程,但只對動態(tài)輸入,即輸入變化量有效。

對于晶體管來說，晶體管低頻動態(tài)模型只是用電阻、受控電流源即可實現(xiàn)。

2.10.2 動態(tài)分析的三個重要指標(biāo)

電壓放大倍數(shù)A_u：
也叫做電壓增益，也可以用G表示，無單位。當(dāng)輸入正弦波的峰峰值為u_i，輸出正弦波的峰峰值為u_o，則放大倍數(shù)為：

電壓放大倍數(shù)也常用dB(deciBel)表示，其定義為：

常見的電壓放大倍數(shù)和dB的關(guān)系如下表所示：

輸入電阻r_i：
在放大電路正常工作時，針對輸入信號而言，從放大電路的輸入端看進去的等效電阻。即輸入信號電壓變化量除以由此產(chǎn)生的輸入電流變化量。顯然，它屬于動態(tài)電阻。

多數(shù)情況下，我們希望一個放大電路的輸入電阻越大越好。這是因為，在實際應(yīng)用的信號源中，為了防止因短接信號源正負極而導(dǎo)致電源燒毀，會在信號源內(nèi)部串聯(lián)上電阻。但是串聯(lián)的電阻勢必會分壓，因此，我們希望信號源內(nèi)部的電阻分壓越小越好，也因此，增大放大電路的輸入電阻，就會減少信號源內(nèi)部的電阻的分壓。

輸出電阻r_o：
指輸出端帶負載的能力。放大器不帶負載時，其輸出端具有的輸出信號電壓，叫空載電壓，當(dāng)放大器輸出端接上負載后，一般情況下輸出電壓會下降。輸出電阻越小的，這種下降越微弱。
因此，輸出電阻越小，輸出端的帶負載能力越強。
這也能夠解釋這一現(xiàn)象：為什么有的電池直接量取其電壓為1.5V，但一旦用此電池驅(qū)動負載后，再量取電池電壓時，會發(fā)現(xiàn)電池電壓下降的厲害，可能僅為0.5V。這是因為電池用太久后，其輸出電阻變大，導(dǎo)致其帶負載能力下降。

2.10.3 動態(tài)分析的步驟

放大電路的動態(tài)分析，可分為如下三步：

第一步，以晶體管微變等效模型為核心，針對原始電路畫出動態(tài)等效電路
對原電路畫出動態(tài)等效電路，可按如下要點進行：
① 對電路中的電壓不變點，實施接地。
② 對電路中的大電容(10~100μF)，實施短接。對電路中的小電容(幾pF)，實施開路。
③ 將晶體管用晶體管的動態(tài)模型代替。
④ 整理畫出動態(tài)等效電路圖
以下圖電路為例，將其轉(zhuǎn)換為動態(tài)等效電路

第二步，依次求解電壓放大倍數(shù)A_u和輸入電阻r_i
求解放大倍數(shù)時，要把輸入和輸出都寫成i_b的表達式，然后消掉i_b即可得到放大倍數(shù)。
以上面的動態(tài)等效電路為例。

求解輸入電阻r_i，既可以通過直接觀察得出，也可以利用公式求得。繼續(xù)以上面的動態(tài)等效電路為例。

第三步，求解輸出電阻r_o
這里首先以另外一個放大電路為例，講清楚求解輸出電阻的思想。
如圖所示是一個電壓控制電壓源的放大電路，虛線內(nèi)為放大電路本身，包括u_i輸入，u_o輸出，輸入電阻r_i，輸出電阻r_o，以及最為關(guān)鍵的放大環(huán)節(jié)：壓控電壓源A_uu_i。

輸出電阻r_o的計算，可按照如下步驟進行：
① 去掉負載電阻。(因為任何放大電路的輸出電阻都與負載電阻無關(guān))
② 讓輸入激勵源為0。(對于上面的電路圖，對電壓輸入短接即可，此時受控源會變?yōu)?)
③ 在輸出端加一個虛擬電壓源u_v，在電路中計算由此引起的i_v，則，

按照上述步驟操作完成后，得到的電路圖如下圖所示。

求解輸出電阻的步驟和思想就是這樣。接下來再回到最初的動態(tài)等效電路中，去利用此方法求解輸出電阻。
下圖就是最初的電路以及對應(yīng)的動態(tài)等效電路。

根據(jù)上述方法，對動態(tài)等效電路進行處理，得到下圖。

由圖無需計算便可知道。

2.10.4 放大電路動態(tài)靜態(tài)綜合求解電路舉例

2.11 共基極、共集電極放大電路和PNP管電路

總結(jié)

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