新概念模拟电路——初识晶体管
歡迎來到矽芯硬翌的科技主義教室!
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目錄
- 歡迎來到矽芯硬翌的科技主義教室!
- 一、晶體管引入與特性
- Section1.電壓信號如何放大呢?
- (1)晶體管引入
- (2)晶體管的識別
- (3)晶體管中電流的關系
- Section2.NPN型晶體管的伏安特性
- (1)輸入伏安特性
- (2)輸出伏安特性
- Section3.雙部件串聯圖解法
- "兩部件串聯求解"在放大電路分析中的應用
- 1. b,e環節串聯R1
- 2. c,e環節串聯RC
- Section4.思維導圖
一、晶體管引入與特性
Section1.電壓信號如何放大呢?
要將一個幅度只有10mv的的正弦波輸入電壓放大成100mv的正弦波電壓,應該如何實現呢?
首先我想到的是電路中的受控源。
(1)晶體管引入
通過壓——流(VCCS)受控源實現電壓信號的放大。
uout=?iOUT?RLOAD=?kiIN?RLOAD=?kuINRIN?RLOADu_{out}=-i_{OUT}*R_{LOAD}=-ki_{IN}*R_{LOAD}=-k\frac{u_{IN}}{R_{IN}}*R_{LOAD} uout?=?iOUT??RLOAD?=?kiIN??RLOAD?=?kRIN?uIN???RLOAD?
- 很巧妙的是,雙極型晶體管就是一個非常類似的流控電流源。來看一下它的符號與簡化模型吧。
特點如下:
iC=β?iBi_{C} = \beta *i_{B} iC?=β?iB?
(2)晶體管的識別
雙極型晶體管分為NPN和PNP型。
- 可以看出,晶體管中箭頭方向代表了管子的類型:箭頭向外的,是NPN型,箭頭朝里的,是PNP型。因此,一個箭頭起到了兩個作用:第一,標注了哪個管腳是發射極,第二,指明該晶體管是NPN還是PNP
(3)晶體管中電流的關系
- 對于NPN三極管來說,三個管腳的關系如下:
iE=iB+iCi_{E} = i_{B} + i_{C} iE?=iB?+iC?
只有當發射極電壓 UBE 大于0時,發射極正向導通。
- 對于PNP三極管來說,三個管腳的關系如下:
iE=iB+iCi_{E} = i_{B} + i_{C} iE?=iB?+iC?
只有當發射極電壓 UEB 大于0時,發射極正向導通。
Section2.NPN型晶體管的伏安特性
(1)輸入伏安特性
輸入福安特性指的是 基極電流與發射極電壓之間的關系,即 iB 與 uBE 之間的關系。通過仿真觀察輸入特性曲線。
-
V2 為輸入端(0~10V變化),AM1為基極電流 iB ,V1為集電極電壓UCE
-
輸入特性曲線
-
一般來說當UBE大于0.7V時,iB 才有明顯的電流。
(2)輸出伏安特性
- 輸出伏安特性是指在一個確定的基極電流iB 下,集電極電流 iC 與UCE 之間的關系。
- 輸出特性曲線
輸出特性曲線的區域劃分
1)放大區:坐標a向右的位置。在此區域內,iC 幾乎不受UCE 的控制,近似滿足 iC = βiB
2)飽和區:坐標紅線向右的位置。在此區域內,iC 隨著UCE 的增大而增大。一般認為當UCE 小于 UCES 時,三極管為飽和狀態。UCES 為晶體管飽和壓降,一般為0.3V(300mV)。
3)截至區:AM1[1] [0A]所在的位置。iB 等于0時的區域為截至區,幾乎沒有任何電流流進或流出。
- 簡化的輸出特性曲線
Section3.雙部件串聯圖解法
- 非常重要
- 電阻、二極管串聯解法 (圖中為1N1190的輸入特性曲線,與200Ω電阻的伏安特性曲線)
- 仿真分析 1N1190 與 200Ω電阻
1N1190電壓值 464.21mv 整體電流2.68mA
兩個二極管時,電壓500mv,電流6.36mA
"兩部件串聯求解"在放大電路分析中的應用
1. b,e環節串聯R1
Q1為RB = RB1 = 10K時,Q2 為電阻R1減小時。
當ui 存在100mv的電壓時,將在Q1點上產生波動。
2. c,e環節串聯RC
uCE 和電阻不變,當輸入的iB 發生變化時,產生動態變化。
Section4.思維導圖
總結
以上是生活随笔為你收集整理的新概念模拟电路——初识晶体管的全部內容,希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。
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