PDK文件学习
PDK文件學(xué)習(xí)
1、
layout.cdb ：默認(rèn)的主文件（可以在master.tag中自定義，幾乎很少用，但是在出錯(cuò)等情況下還是有用的）
layout.cd% ：最近一次存盤(pán)信息。
layout.db- ：異常退出后系統(tǒng)自動(dòng)保存的信息。
2、
.db文件是數(shù)據(jù)庫(kù)數(shù)據(jù)存放文件，每種軟件都有自己的存放格式，就是數(shù)據(jù)的排列方式，后綴名均為.DB
GDS文件是電路版圖的一種文件格式,要通過(guò)Cadence軟件Stream in,就可以看到版圖的內(nèi)容了
3、
MIM電容被稱(chēng)為極板電容，是Mn和Mn-1金屬構(gòu)成的，利用上下層金屬間的電容構(gòu)成。由于上下層金屬在三維空間內(nèi)擱著氧化層較遠(yuǎn)，因此會(huì)在上下層金屬添加CTM層次，并且用通孔進(jìn)行連接上下層金屬，以此來(lái)達(dá)到縮小極板間距，增加電容。
MOM電容為finger電容，主要是利用同層metal邊沿之間的電容，在版圖設(shè)計(jì)過(guò)程中，為了縮小面積，可以進(jìn)行疊加多層金屬。
4、
BULK是襯底
5、
hcell是用來(lái)聲明版圖的哪些模塊和電路的哪些模塊是一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，主要用于LVS做層次化檢查。
xcell也具有這個(gè)作用，主要用于提取門(mén)級(jí)后仿寄生。加入xcell列表中的pcell器件（主要和rf器件相關(guān)）或者模塊則不會(huì)再提取自己內(nèi)部的寄生。
hcell是做lvs時(shí)版圖和電路對(duì)應(yīng)的，xcell指定pex不做寄生抽取的cell
6、
ULL MOS：Ultra Low Leakage MOS，超低泄露MOS
7、
芯片的shrinkage：
就是不改版圖直接照比例縮小,例如0.13um縮成0.11um,這通常是在數(shù)字IC較常見(jiàn),可以增加chip的產(chǎn)出
8、
1mil = 25.4um
9、
后端文件釋義
GDSII：它是用來(lái)描述掩模幾何圖形的事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)，是二進(jìn)制格式，內(nèi)容包括層和幾何圖形的基本組成。
CIF：(caltech intermediate format）,叫caltech中介格式，是另一種基本文本的掩模描述語(yǔ)言。
LEF：(library exchange format）,叫庫(kù)交換格式，它是描述庫(kù)單元的物理屬性，包括端口位置、層定義和通孔定義。它抽象了單元的底層幾何細(xì)節(jié)，提供了足夠的信息，以便允許布線(xiàn)器在不對(duì)內(nèi)部單元約束來(lái)進(jìn)行修訂的基礎(chǔ)上進(jìn)行單元連接。
包含了工藝的技術(shù)信息，如布線(xiàn)的層數(shù)、最小的線(xiàn)寬、線(xiàn)與線(xiàn)之間的最小距離以及每個(gè)被選用cell，BLOCK，PAD的大小和pin的實(shí)際位置。cell，PAD的這些信息由廠(chǎng)家提供的LEF文件給出，自己定制的BLOCK的LEF文件描述經(jīng)ABSTRACT后生成，只要把這兩個(gè)LEF文件整合起來(lái)就可以了。
DEF：(design exchange format），叫設(shè)計(jì)交換格式，它描述的是實(shí)際的設(shè)計(jì)，對(duì)庫(kù)單元及它們的位置和連接關(guān)系進(jìn)行了列表，使用DEF來(lái)在不同的設(shè)計(jì)系統(tǒng)間傳遞設(shè)計(jì)，同時(shí)又可以保持設(shè)計(jì)的內(nèi)容不變。DEF與只傳遞幾何信息的GDSII不一樣。它還給出了器件的物理位置關(guān)系和時(shí)序限制等信息。
DEF files are ASCII files that contAIn information that represent the design at any point during the layout process.DEF files can pass both logical information to and physical information fro place-and-route tools.
- logical information includes internal connectivery(represented by a netlist), grouping information and physical constraints.
- physical information includes the floorplan,placement locations and orientations, and routing geometry data.
SDF：(Standard delay format),叫標(biāo)準(zhǔn)延時(shí)格式，是IEEE標(biāo)準(zhǔn)，它描述設(shè)計(jì)中的時(shí)序信息，指明了模塊管腳和管腳之間的延遲、時(shí)鐘到數(shù)據(jù)的延遲和內(nèi)部連接延遲。
dspF、RSPF、SBPF和SPEF：
DSPF（detailed standard parasitic format）,叫詳細(xì)標(biāo)準(zhǔn)寄生格式，屬于CADENCE公司的文件格式
ALF：(Advanved library format),叫先進(jìn)庫(kù)格式，是一種用于描述基本庫(kù)單元的格式。它包含電性能參數(shù)。
PDEF：(physical design exchange format）叫物理設(shè)計(jì)交換格式。它是SYNOPSYS公司用在前端和后端工具之間傳遞信息的文件格式。描述了與單元層次分組相關(guān)的互連信息。這種文件格式只有在使用SYNOPSYS公司的Physical Compiler工具才會(huì)用到，而且.13以下工藝基本都會(huì)用到該工具。
TLF：TLF文件是描述cell時(shí)序的文件，標(biāo)準(zhǔn)單元的rise time，hold time，fall time都在TLF內(nèi)定義。時(shí)序分析時(shí)就調(diào)用TLF文件，根據(jù)cell的輸入信號(hào)強(qiáng)度和cell的負(fù)載來(lái)計(jì)算cell的各種時(shí)序信息。
GCF：GCF文件包括TLF/CTLF文件的路徑，以及綜合時(shí)序、面積等約束條件。在布局布線(xiàn)前，GCF文件將設(shè)計(jì)者對(duì)電路的時(shí)序要求提供給SE。這些信息將在時(shí)序驅(qū)動(dòng)布局布線(xiàn)以及靜態(tài)時(shí)序分析中被調(diào)用。
10、
LOD(Length of Diffusion) Effect:
對(duì)于相同大小柵極，因其所在擴(kuò)散區(qū)的相對(duì)位置及尺寸大小不同而有不同電學(xué)效應(yīng)，這是由于淺槽溝道隔離（Shallow Trench Isolation, STI）有不同的應(yīng)力效應(yīng)，所以又稱(chēng)STI應(yīng)力效應(yīng)。 0.25以下工藝大多數(shù)采用STI隔離技術(shù)，STI會(huì)產(chǎn)生許多隔離島，也產(chǎn)生了不定型或不均勻雙軸壓應(yīng)力。處在有源區(qū)的應(yīng)力狀態(tài)是不均勻的，它與整個(gè)有源區(qū)的面積有關(guān)。 STI主要影響器件的飽和電流（Idsat）和閾值電壓（Vth）。 STI延展效應(yīng)可以通過(guò)以下兩個(gè)參數(shù)來(lái)描述：SA,SB。這兩個(gè)參數(shù)分別表示柵到有源區(qū)兩邊緣的距離。 MOSFET特性參數(shù)如Vth、Idsat， 會(huì)因?yàn)橐韵潞瘮?shù)變化：
Stress=1/(SA+L/2)+1/(SB+L/2)
其中L指柵長(zhǎng)，由此可見(jiàn)，只有當(dāng)SA、SB均變大時(shí)，應(yīng)力才會(huì)變小。
11、
總結(jié)
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