摘     要

【目的】近年來隨著摩爾定律逼近物理極限，傳統的器件尺寸微縮變得越來越困難。盡管近年來人們開始嘗試探索以碳基材料為代表的新材料、以量子計算為代表的新原理集成電路技術，但以傳統硅基場效應晶體管為基礎的CMOS電路仍將是集成電路發展的優選方案和主流趨勢。為了持續提升集成電路性能和集成度，場效應晶體管器件技術出現了重大變革，并伴隨著集成電路制造技術的不斷革新。

【方法】基于場效應晶體管器件性能提升的原理，闡述了通過引入新材料、新結構、新工藝方法，實現器件性能提升和集成度增大的先進制造技術，其中主要包括以高介電常數介質/金屬柵和FinFET/SOI/Nanosheet MOSFET結構為代表的器件電學性能提升技術、以空氣側墻和Co局部接觸金屬材料為代表的寄生效應抑制技術以及以先進光刻和Forksheet/CFET為代表的器件布局緊湊化技術。

【結果】基于這些新方法，集成電路制造技術近年來出現了諸多突破性進展，成功推進摩爾定律向更高水平延伸，也為集成電路技術在未來各應用場景下發揮關鍵作用奠定了基礎。

【結論】集成電路先進制造為基礎的重要技術革新將促進信息社會的進一步發展和融合。

關鍵詞：集成電路；先進制造技術；電學性能；集成度

引 言

集成電路是電子產業和信息社會的支柱和硬件基礎。金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是構成當前集成電路的最基本器件結構，當前的絕大多數集成電路都以互

總結

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