《集成电路制造工艺与工程应用》目录
目錄
序言：寫作緣由-----------------------------------------------------------------------------------------
致謝-----------------------------------------------------------------------------------------------------
第一章： 引言-------------------------------------------------------------------------------------------
崛起的CMOS工藝制程技術 -------------------------------------------------------------------
雙極型工藝制程技術簡介 -------------------------------------------------------------
PMOS工藝制程技術簡介 --------------------------------------------------------------
NMOS工藝制程技術簡介 -------------------------------------------------------------
CMOS工藝制程技術簡介 --------------------------------------------------------------
特殊工藝制程技術 --------------------------------------------------------------------------------
BiCMOS工藝制程技術簡介 ------------------------------------------------------------
BCD工藝制程技術簡介 -----------------------------------------------------------------
HV-CMOS工藝制程技術簡介 ---------------------------------------------------------
MOSFET集成電路的發展歷史----------------------------------------------------------------------
MOS器件的發展和面臨的挑戰 ---------------------------------------------------------------
第二章：先進工藝技術---------------------------------------------------
應變硅工藝技術------------------------------------------------------
應變硅工藝技術的概況 -----------------------------------------
應變硅工藝技術的物理機理 -------------------------------------
源漏嵌入SiC應變技術 -----------------------------------------
源漏嵌入SiGe應變技術 ----------------------------------------
應力記憶應變技術 ---------------------------------------------
接觸刻蝕阻擋層應變技術 ---------------------------------------
HKMG工藝技術 ------------------------------------------------------
柵介質層的發展和面臨的挑戰 ----------------------------------
襯底量子效應 ------------------------------------------------
多晶硅柵耗盡效應 ---------------------------------------------
等效柵氧化層厚度 ---------------------------------------------
柵直接隧穿泄漏電流 -------------------------------------------
高介電常數介質層 ---------------------------------------------
HKMG工藝技術 ------------------------------------------------
金屬嵌入柵極工藝技術 ----------------------------------------
金屬替代柵極工藝技術 ----------------------------------------
SOI工藝技術-------------------------------------------------------
SOS技術 ----------------------------------------------------
SOI技術 ----------------------------------------------------
PD-SOI-------------------------------------------------
FD-SOI-------------------------------------------------
FinFET和UTB-SOI工藝技術-----------------------------------------
FinFET的發展概況 ------------------------------------------
FinFET和UTB-SOI的原理 -----------------------------------
FinFET工藝技術 -------------------------------------------
第三章：工藝集成 ------------------------------------------------------------------------------------
隔離技術-------------------------------------------------------------------------------------------
PN結隔離技術----------------------------------------------------------------------
LOCOS結隔離技術 ----------------------------------------------------------------
STI結隔離技術---------------------------------------------------------------------
LOD效應-----------------------------------------------------------------------------
硬掩膜版（Hard Mask）工藝技術 ---------------------------------------------------------
硬掩膜版工藝技術簡介 ------------------------------------------------------------
硬掩膜版工藝技術的工程應用 ---------------------------------------------------
漏致勢壘降低效應和溝道離子注入---------------------------------------------------------
漏致勢壘降低效應 -----------------------------------------------------------------
暈環離子注入-----------------------------------------------------------------------
淺源漏結深--------------------------------------------------------------------------
倒摻雜阱-----------------------------------------------------------------------------
阱鄰近效應--------------------------------------------------------------------------
反短溝道效應-------------------------------------------------------------------------
熱載流子注入效應與輕摻雜漏（LDD）工藝技術 --------------------------------------
熱載流子注入效應簡介 -----------------------------------------------------------
雙擴散漏（DDD）和輕摻雜漏（LDD）工藝技術 --------------------------
隔離側墻（Spacer Sidewall）工藝技術 --------------------------------------
輕摻雜漏離子注入和隔離側墻工藝技術的工程應用 -----------------------
金屬硅化物技術--------------------------------------------------------------------------------
Polycide工藝技術------------------------------------------------------------------
SAB工藝技術-----------------------------------------------------------------------
Salicide工藝技術-------------------------------------------------------------------
SAB和Salicide工藝技術的工程應用 ------------------------------------------
靜電放電離子注入技術 ------------------------------------------------------------------------
靜電放電離子注入技術 ------------------------------------------------------------
靜電放電離子注入技術的工程應用-----------------------------------------------
金屬互連技術 ------------------------------------------------------------------------------------
接觸孔和通孔金屬填充 ------------------------------------------------------------
鋁金屬互連 ------------------------------------------------------------------------
銅金屬互連 ------------------------------------------------------------------------
阻擋層金屬 ------------------------------------------------------------------------
第四章：工藝制程整合-------------------------------------------------------------------
亞微米CMOS前端工藝制程技術流程------------------------------------
襯底制備-------------------------------------------------------------
雙阱工藝-------------------------------------------------------------
有源區工藝-------------------------------------------------------------
LOCOS隔離工藝------------------------------------------------------
閾值電壓離子注入工藝-----------------------------------------------
柵氧化層工藝----------------------------------------------------------
多晶硅柵工藝 ----------------------------------------------------------
LDD工藝-------------------------------------------------------------
側墻工藝---------------------------------------------------------------
源漏離子注入工藝?----------------------------------------------------
亞微米CMOS后端工藝制程技術流程---------------------------------------
ILD工藝-----------------------------------------------------------------
接觸孔工藝---------------------------------------------------------------
金屬層1工藝------------------------------------------------------------
IMD1工藝---------------------------------------------------------------
通孔1工藝---------------------------------------------------------------
MIM工藝---------------------------------------------------------------
金屬層2工藝------------------------------------------------------------
IMD2工藝---------------------------------------------------------------
通孔2工藝---------------------------------------------------------------
頂層金屬層工藝----------------------------------------------------------
鈍化層工藝---------------------------------------------------------------
深亞微米CMOS前端工藝技術流程 --------------------------------------------
襯底制備------------------------------------------------------------------
有源區工藝-------------------------------------------------------------
STI隔離工藝-------------------------------------------------------------
雙阱工藝------------------------------------------------------------------
柵氧化層工藝-------------------------------------------------------------
多晶硅柵工藝---------------------------------------------------------
LDD工藝-------------------------------------------------------------
側墻工藝------------------------------------------------------------------
源漏離子注入工藝-------------------------------------------------------
HRP工藝-------------------------------------------------------------
Salicide工藝-----------------------------------------------------------------
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深亞微米CMOS后端工藝制程技術流程---------------------------------------
納米CMOS前端工藝技術流程 ---------------------------------------
納米CMOS后端工藝技術流程 ---------------------------------------
ILD工藝 -----------------------------------------------------------------
接觸孔工藝 -------------------------------------------------------------
IMD1工藝 --------------------------------------------------------------
金屬層1工藝 ----------------------------------------------------------
IMD2a工藝 -------------------------------------------------------------
IMD2b工藝 -------------------------------------------------------------
通孔1工藝 -------------------------------------------------------------
金屬層2工藝 ----------------------------------------------------------
IMD3a工藝 -------------------------------------------------------------
IMD3b工藝 -------------------------------------------------------------
通孔2工藝 -------------------------------------------------------------
金屬層3工藝 ----------------------------------------------------------
鈍化層工藝 -------------------------------------------------------------
第五章：晶圓接受測試（WAT）-----------------------------------------------------------------
WAT概述-------------------------------------------------------------------------------------------
WAT簡介----------------------------------------------------------------------
WAT測試類型----------------------------------------------------------------
MOS參數的測試條件--------------------------------------------------------------------------
閾值電壓Vt的測試條件------------------------------------------------
飽和電流Idsat的測試條件--------------------------------------------
漏電流Ioff的測試條件-------------------------------------------------
源漏擊穿電壓BVD的測試條件--------------------------------------
襯底電流Isub的測試條件---------------------------------------------
柵氧化層完整性參數的測試條件 ----------------------------------------------------------
電容Cgox的測試條件 ----------------------------------------------------
電性厚度Tgox的測試條件 ----------------------------------------------
擊穿電壓BVgox的測試條件 --------------------------------------------
寄生MOS參數的測試條件------------------------------------------------------------------
Poly柵場效應晶體管的測試條件 -----------------------------------
M1場效應晶體管的測試條件 ----------------------------------------
PN結參數的測試條件 ------------------------------------------------------------------------
電容Cjun的測試條件 ---------------------------------------------------
擊穿電壓BVjun的測試條件 ------------------------------------------
方塊電阻的測試條件 ------------------------------------------------------------------------
NW方塊電阻的測試條件 --------------------------------------------
PW方塊電阻的測試條件 --------------------------------------------
Poly方塊電阻的測試條件 -------------------------------------------
AA方塊電阻的測試條件 ---------------------------------------------
金屬方塊電阻的測試條件 -------------------------------------------
接觸電阻的測試條件-------------------------------------------------------------------------
AA接觸電阻的測試條件-----------------------------------------------
Poly接觸電阻的測試條件 -------------------------------------------
金屬通孔接觸電阻的測試條件 -------------------------------------
隔離的測試條件--------------------------------------------------------------------------------
AA隔離的測試條件 --------------------------------------------------
Poly隔離的測試條件 ------------------------------------------------
金屬隔離的測試條件 ------------------------------------------------
電容的測試條件-------------------------------------------------------------------------------
電容的測試條件 ------------------------------------------------------
擊穿電壓的測試條件 -----------------------------------------------
第六章：總結 ----------------------------------------------------------------------------------------
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總結
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