參考：【18nmBCD工藝】
使用標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS處理步驟和技術(shù)制造隔離NMOS晶體管的結(jié)構(gòu)和方法。相對于標(biāo)準(zhǔn)工藝流程，隔離的NMOS設(shè)備不需要額外的掩碼和處理步驟。一種p型基板，其上覆埋藏n型層，下覆埋藏p型層。n型區(qū)域包圍并隔離p阱與同一晶圓片上的其他器件。在p阱中形成N+區(qū)域，用于源極和漏極連接，并在柵、漏極和源極結(jié)構(gòu)上形成多聚或其他此類電導(dǎo)體，以使NMOS器件運(yùn)行。寄生雙極晶體管由電路設(shè)計(jì)、電流路徑和偏置管理，以確保寄生雙極晶體管不開啟。

ISORING的作用是什么？是isolated Ring吧，主要看組成部分，一般是隔離noise的。
一般而言是深井隔離，用深N阱隔離不同電位的P型襯底防止閂鎖。（不過建議還是看下PDK剖面圖，不同工藝隔離的方式不同，如果NW和PW深度相同那么ISO環(huán)的功能可能就不只是深井隔離）

附件是一份介紹isolated nmos的專利，不過沒有說到這種器件的優(yōu)點(diǎn)isolated nmos 僅限于BiCMOS工藝一層N-type doping region 將其substrate與P-type substrate隔離。這種做法和SOI比較相像，有些什么優(yōu)點(diǎn)可以參考SOI的優(yōu)點(diǎn)。好像只有nmos有isolate的。

總結(jié)

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