寫在前面的話:

? ? ? 很有幸?guī)ш?duì)參加了11-14屆的全國大學(xué)生智能車競賽，經(jīng)歷了從”飛思卡爾杯”到“恩智浦杯”的轉(zhuǎn)變。由最初的攝像頭組，到最后的六個組別都有涉及（沒有涉及創(chuàng)意組有點(diǎn)小遺憾）；由最初的淘汰于省賽，一個彎道都過不去，到最后的電磁三輪，電磁直立組西部一等，攝像頭四輪全國13名。我本人無論從技術(shù)上，還是帶隊(duì)經(jīng)驗(yàn)上，乃至團(tuán)隊(duì)管理上都收獲頗豐。
? ? ? 在我看來，智能車比賽真的是一個很好的本科入門級比賽，在這里，有一個相對良好的生態(tài)。智能車制作，山外論壇上80%的帖子我都看過，卓晴老師的公眾號更是一個不拉（至今也常看），有些學(xué)生的提問，卓老師的回復(fù)更是反復(fù)的刷。還有正點(diǎn)原子，凡億PCB論壇，以及逐飛科技，藍(lán)宙電子，龍邱，泰慶，呆萌俠等等淘寶電商的QQ維護(hù)。都使得這個不算大也不算小的國內(nèi)智能車圈異常的活躍。
? ? ? 除了良好的生態(tài)，一個簡單的小車控制，融合了基礎(chǔ)的C語言操作，PCB基礎(chǔ)入門操作，車模機(jī)械結(jié)構(gòu)分析，以及自動控制原理中PID控制，多傳感器簡單融合等諸多操作，也算麻雀雖小，五臟俱全了。
? ? ? 比賽中和卓晴老師也簡單聊過幾句，在此也感謝競賽組委會的付出，也感謝學(xué)院多位老師的支持和配合。使得一批又一批的智能車人能夠在實(shí)戰(zhàn)技術(shù)中快速成長起來。為后續(xù)的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。（當(dāng)然，也可以看到，很多智能車人都成了苦逼的技術(shù)人員，在社會的電子科技大軍中嶄露頭角）

一些零碎的總結(jié)：

? ? ?實(shí)際制作過程中，太深的理論很少涉及，大多是基礎(chǔ)操作，但是小tips還是蠻多的，有時(shí)候一個不注意就要卡好久。趁著最近在整理總結(jié)，不妨發(fā)出來。（沒有什么邏輯上的先后順序，看到哪寫到哪，看到多少寫多少，只是以前的整理）

功放不做成貼片元件在于輸出功率問題，貼片元器件的功率一般較小；

20mil線寬–>1A電流，0.5mm過孔–>1A電流

絲印常見規(guī)格搭配 5/24 , 5/30, 6/45

原理圖繪制，格點(diǎn)修改為5mil, view->grid;

原理圖檢查選項(xiàng)中，將懸浮網(wǎng)絡(luò)，單端網(wǎng)絡(luò)，修改成致命錯誤，然后編譯；

PCB板框的選取：先選取任一線段，然后按下TAB，則和他相關(guān)聯(lián)的線段都會選中；

焊盤上不要打孔，容易出現(xiàn)漏錫和立碑；

敷銅完之后要進(jìn)行割銅操作，防止天線效應(yīng)；

Shift + H 關(guān)閉左上角的信息欄；

畫板子時(shí)，先把絲印改成10/2 mil，然后統(tǒng)一移動到器件中間進(jìn)行操作；

敷銅可以直接選擇實(shí)心銅，注意間距設(shè)置好，同時(shí)GND回路要加粗，通過規(guī)則設(shè)置；

過孔最好統(tǒng)一進(jìn)行蓋油處理，選擇Solder Mask Tenting;

鉆孔的板廠能力：0.3mm，即 12/24mil, 過孔大小選擇為 $x$ -->$2x$$\pm$ $2$mil， 舉個例子： 12 -->12*2 $\pm$ 2 即可選12/24 mil;

如果快捷點(diǎn)有沖突，在工具欄找到custom ->快捷鍵排序，找到對應(yīng)的快捷點(diǎn)，然后取消固有的快捷鍵即可；

扇孔的好處：1）縮短回流路徑；2）打孔占位；

走線的時(shí)候要求回路，即包裹面積盡量小，這樣對外吸收的輻射小；

一般情況下，阻抗要求 100$\Omega$,USB差分線為 90$\Omega$

縫合地過孔，減小回流路徑，天線部分用地過孔包裹；（晶振同理）

調(diào)整絲印的時(shí)候，只打開絲印層，阻焊層，板框?qū)蛹纯?#xff1b;

絲印到絲印 2-4mil 即可；

規(guī)則中阻焊外擴(kuò)2.5mil。 反焊盤8-10mil即可，反焊盤太大會造成，當(dāng)過孔密集時(shí)，容易有孤島；

規(guī)則中阻焊到阻焊 4-6mil，天線 小于 2mil;

在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量讓布線長度盡量短，以減少由于走線過長帶來的干擾問題，特別是一些重要的信號線，比如時(shí)鐘線，務(wù)必將其振蕩器放在離器件很近的地方；

為了減少線間串?dāng)_，應(yīng)該保證線間距足夠大。當(dāng)線中心距不少于3W倍線寬時(shí)，則可保持70%的電場不互相干擾，成為3W規(guī)則。如要達(dá)到98%的電場不互相干擾，可使用10W的間距。

電解電容濾除低頻信號，獨(dú)石電容，瓷片電容濾除高頻信號；

PCB中同一網(wǎng)絡(luò)的布線寬度要保持一致，線寬的變化會造成線路特征阻抗的不均勻，當(dāng)傳輸?shù)乃俣容^高時(shí)會產(chǎn)生反射，在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量避免這種情況；

TPS7350 小壓差，最大電流500ma, KEA單片機(jī)，5V*15ma;

L298N 內(nèi)含2個H橋，最高驅(qū)動電壓為46V，總驅(qū)動電流為4A，每個H橋2A；

MC33886 驅(qū)動電壓40V，驅(qū)動上限頻率10Khz, 內(nèi)部集成輸出保護(hù)，可實(shí)時(shí)監(jiān)測欠壓，過溫，短路等故障，最大驅(qū)動電流5A；

BTN8982 導(dǎo)通內(nèi)阻$10m\Omega$；在25°下，上管內(nèi)阻（5.3m$\Omega$）與下管內(nèi)阻（4.7m$\Omega$）之和；限流77A，每個BTN驅(qū)動芯片內(nèi)部集成一個上管（P溝道MOSFET）和下管（N溝道MOSFET）；

功率開關(guān)器件MOSFET，開關(guān)速度可達(dá)KHz至MHz:

由于電機(jī)驅(qū)動工作時(shí)電流較大，會在電機(jī)啟動或突然加速時(shí)出現(xiàn)電池電壓被拉低的現(xiàn)象，因此為了盡量降低電池電壓的波動，需要設(shè)置低頻濾波電容，主要用于能量緩沖；

register變量的注意事項(xiàng)：1）必須是能被CPU寄存器接受的類型；2）register變量可能不存放在內(nèi)存中，所以不能用取地址符（&）；3）只有局部變量和形參可以作為register變量，全局變量不行；4）靜態(tài)變量不能定義為register;

電機(jī)在高頻開關(guān)狀態(tài)下的電磁干擾以及寄生電感產(chǎn)生高壓，電弧現(xiàn)象—> 續(xù)流二極管；

與前驅(qū)相比，后驅(qū)結(jié)構(gòu)使車模轉(zhuǎn)向能力更強(qiáng)，更有利于高速過彎。當(dāng)然，后驅(qū)結(jié)構(gòu)較前驅(qū)更容易出現(xiàn)車輪打滑的情況；

SD卡遵循SPI協(xié)議，要求時(shí)鐘頻率為100KHz~400KHz；SD卡本身為NAND FLASH芯片+ 控制芯片；SD卡的速度等級由Class標(biāo)注，10為最快；SD卡共9pin，其中3根電源線，1根時(shí)鐘線，1根命令線，4根數(shù)據(jù)線；SD的時(shí)序是以CLK的上升沿有效；SD卡初始化識別階段，時(shí)鐘頻率400KHz, 數(shù)據(jù)傳輸過程25MHz (高速模式下50MHz)。Stm32系列支持SDSC<2G , 2G<SDHC<32G，對于SDXC>32G 不支持；

阻焊層開窗的方法是切換到Top Solder或者Bottom Solder層，畫線或者填充。盡量不要在元件底部去掉組焊層，否則被元件壓住的部分無法上錫；

PCB完成后，一定記得DRC檢查；

根據(jù)智能車Logo的規(guī)則要求，可以在銅層放置完Logo后，在阻焊層開窗畫一個矩形，讓銅層字符露出來；

板厚默認(rèn)1.6mm;

對于線性電源，調(diào)整管工作在放大區(qū)（三極管）或者可變電阻區(qū)（場效應(yīng)管）；而對于開關(guān)管，調(diào)整管工作在導(dǎo)通和截止兩種工作狀態(tài)；

電容的容抗$X_c=1/2\pi fc$，電容兩端的電壓不能突變；利用電容的容抗特性，如果把它串聯(lián)到電路中，就可以使高頻信號通過過一些，低頻信號通過少一點(diǎn)；反之，如果把他并聯(lián)在電路中，則高頻信號被削弱的多一些，低頻信號被削弱的少一些；

大端模式：字?jǐn)?shù)據(jù)的高字節(jié)存儲在低地址中，而字的低字節(jié)存儲在高地址中；小端模式反之；C51采用的是大端對齊；

頭文件的內(nèi)容沒有絕對的要求，其本身不參與編譯；

基于Cortex系列芯片采用的內(nèi)核都是相同的，區(qū)別主要為核外的片上外設(shè)的差異，這些差異卻導(dǎo)致軟件在同內(nèi)核，不同外設(shè)的芯片上移植困難。為了解決不同芯片廠商生產(chǎn)的Cortex微控制器軟件的兼容性問題，ARM與芯片廠商建立了CMSIS（Cortex Microcontroller Software Interface Stardard ）標(biāo)準(zhǔn)。

STM32有三種啟動方式，通過改變啟動方式，STM32存儲空間的起始地址會對齊到不同的內(nèi)存空間上，一般情況下boot0必須連接到GND上；

位帶操作：將寄存器中相應(yīng)位映射成一個32位的地址，這樣可以單獨(dú)對某一位進(jìn)行操作。

$\pi$型濾波器包括兩個電容器和一個電感器，它的輸入和輸出都呈低阻抗。因?yàn)槠骷挪记闆r而得名。$\pi$型電路因?yàn)樵?#xff0c;所以其插入損耗特性比RC型及LC型更好。但是在開關(guān)電路中，可能會出現(xiàn)“振鈴”現(xiàn)象，所以用時(shí)請注意。$\pi$型濾波有RC和LC兩種，在輸出電流不大的情況下用RC，R的取值不要太大，一般幾歐姆到幾十歐姆，其優(yōu)點(diǎn)是成本低，其缺點(diǎn)是電阻要消耗一些能量，效果不如LC電路。濾波電容取大一點(diǎn)效果也不錯；而LC電路中有一個電感，根據(jù)輸出電流大小和頻率高低選擇電感量的大小，其缺點(diǎn)是電感體積大，笨重，價(jià)格高，現(xiàn)在一般的電子線路的電源都是RC濾波。

去耦電容一般是接在正負(fù)電源之間，濾波作用；在對電源布線是，優(yōu)先讓電源導(dǎo)線經(jīng)過去耦電容，可以1）本集成電路的蓄能電容；2）高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值為0.1$\mu F$，這個電容的分布電感的典型值為5$\mu H$。即：0.1$\mu F$的去耦電容有5$\mu H$的分布電感，它的并行共振頻率大約在7MHz左右，也就是說，對于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果，對于40Mhz以上的噪聲幾乎不起作用。1$\mu F$，10$\mu F$的電容，并行共振頻率在20MHz以上，去除高頻噪聲的效果要好一點(diǎn)。

旁路電容：鋁解電容和鉭電容比較適合作旁路電容，一般為10~470$\mu F$

功率放大器的主要指標(biāo)：輸出功率$P_0$，放大器效率$\eta$，總諧波失真THD，電源抑制比PSRR。THD：信號源輸入時(shí)，輸出信號（諧波及其倍頻成分）比輸入信號多出的額外諧波成分，通常用百分比表示。PSRR：PSRR值越大，音頻放大器的音質(zhì)就越好。

OpenMV–Arm cortex M7內(nèi)核，216MHz, 512K RAM 。可以完成 偵差分算法， 標(biāo)記跟蹤，顏色追蹤，人臉識別，眼動跟蹤，光流，二維碼檢測，矩陣碼檢測，條形碼，標(biāo)記跟蹤，直線檢測，模板匹配，圖像捕捉，視頻錄制等功能。

有源晶振需要外接供電，無源晶振只接2個晶振引腳就可以了

空心杯電機(jī)，無鐵芯，效率高，重量輕，響應(yīng)快，機(jī)械常數(shù)小于28ms。

半導(dǎo)體三極管是通過基極電流控制集電極電流，屬于電流型控制器件；場效應(yīng)管是通過柵源之間的電壓或電場控制漏極電流的器件，是電壓控制器件，因而稱為場效應(yīng)管；從結(jié)構(gòu)上，可以把場效應(yīng)管分為結(jié)型（JFET)和絕緣柵（MOSFET，簡稱MOS）；

.crf交叉引用文件，主要包含了瀏覽信息，實(shí)現(xiàn)函數(shù)的跳轉(zhuǎn)

RTOS實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)，硬實(shí)時(shí)–>規(guī)定時(shí)間內(nèi)必須完成；軟實(shí)時(shí)–>處理過程中超時(shí)的后果不嚴(yán)格。

本征半導(dǎo)體是純凈的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體；將半導(dǎo)體變成本征半導(dǎo)體的原因是使材料導(dǎo)電可控；

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的一些做“飞卡智能车”时候的总结的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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