12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商長鑫存儲（CXMT）近日出席在舊金山舉辦的第 69 屆 IEEE 國際電子器件會議（IEDM），發(fā)表了一篇論文，展示了環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)（Gate-All-Around，GAA）技術(shù)，適用于尖端 3nm 芯片。

注：專利中提及 GAA 技術(shù)適用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在內(nèi)的 3nm 以下芯片，但這并不代表著長鑫存儲當(dāng)前具備制造 3nm 的能力。

根據(jù)《南華早報》報道，長鑫存儲雖然沒有發(fā)布相關(guān)的樣品，但本次論文的發(fā)布，引發(fā)了行業(yè)分析師對該公司下一代內(nèi)存的廣泛關(guān)注，表明長鑫在面對美國封鎖下，不斷加強自主芯片開發(fā)能力。

華邦電子的儲存芯片專家 Frederick Chen 表示，長鑫存儲的進展令人印象深刻，因為代表這家公司不斷追趕，縮小在技術(shù)方面的差距。

長鑫存儲發(fā)表聲明稱，該論文描述了與 DRAM 結(jié)構(gòu)和 4F2 設(shè)計可行性相關(guān)的基礎(chǔ)研究，與長鑫存儲當(dāng)前的生產(chǎn)工藝無關(guān)，暗示該設(shè)計紙張還遠未成為一種適銷對路的產(chǎn)品。

據(jù)長鑫存儲官網(wǎng)顯示，長鑫存儲推出了最新 LPDDR5 DRAM 存儲芯片，是國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的 LPDDR5 產(chǎn)品的品牌，實現(xiàn)了國內(nèi)市場零的突破，同時也令長鑫存儲在移動終端市場的產(chǎn)品布局更為多元。

長鑫存儲 LPDDR5 系列產(chǎn)品包括 12GB 的 LPDDR5 顆粒，POP 封裝的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。LPDDR5 是長鑫存儲面向中高端移動設(shè)備市場推出的產(chǎn)品，它的市場化落地將進一步完善長鑫存儲 DRAM 芯片的產(chǎn)品布局。

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總結(jié)

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