12 月 15 日消息，DRAM 芯片制造商長鑫存儲(chǔ)（CXMT）近日出席在舊金山舉辦的第 69 屆 IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM），發(fā)表了一篇論文，展示了環(huán)繞式閘極結(jié)構(gòu)（Gate-All-Around，GAA）技術(shù)，適用于尖端 3nm 芯片。

注：專利中提及 GAA 技術(shù)適用于包括 5nm、7nm、10nm 和 14nm 在內(nèi)的 3nm 以下芯片，但這并不代表著長鑫存儲(chǔ)當(dāng)前具備制造 3nm 的能力。

根據(jù)《南華早報(bào)》報(bào)道，長鑫存儲(chǔ)雖然沒有發(fā)布相關(guān)的樣品，但本次論文的發(fā)布，引發(fā)了行業(yè)分析師對(duì)該公司下一代內(nèi)存的廣泛關(guān)注，表明長鑫在面對(duì)美國封鎖下，不斷加強(qiáng)自主芯片開發(fā)能力。

華邦電子的儲(chǔ)存芯片專家 Frederick Chen 表示，長鑫存儲(chǔ)的進(jìn)展令人印象深刻，因?yàn)榇磉@家公司不斷追趕，縮小在技術(shù)方面的差距。

長鑫存儲(chǔ)發(fā)表聲明稱，該論文描述了與 DRAM 結(jié)構(gòu)和 4F2 設(shè)計(jì)可行性相關(guān)的基礎(chǔ)研究，與長鑫存儲(chǔ)當(dāng)前的生產(chǎn)工藝無關(guān)，暗示該設(shè)計(jì)紙張還遠(yuǎn)未成為一種適銷對(duì)路的產(chǎn)品。

據(jù)長鑫存儲(chǔ)官網(wǎng)顯示，長鑫存儲(chǔ)推出了最新 LPDDR5 DRAM 存儲(chǔ)芯片，是國內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的 LPDDR5 產(chǎn)品的品牌，實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)市場(chǎng)零的突破，同時(shí)也令長鑫存儲(chǔ)在移動(dòng)終端市場(chǎng)的產(chǎn)品布局更為多元。

長鑫存儲(chǔ) LPDDR5 系列產(chǎn)品包括 12GB 的 LPDDR5 顆粒，POP 封裝的 12GB LPDDR5 芯片及 DSC 封裝的 6GB LPDDR5 芯片。12GB LPDDR5 芯片目前已在國內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。LPDDR5 是長鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推出的產(chǎn)品，它的市場(chǎng)化落地將進(jìn)一步完善長鑫存儲(chǔ) DRAM 芯片的產(chǎn)品布局。

廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，所有文章均包含本聲明。

投訴水文 我要糾錯(cuò)

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的突破封锁！长鑫存储发布 GAA 技术相关论文，适用于 3nm 芯片的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯(cuò)，歡迎將生活随笔推薦給好友。