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晶體管輸出特性曲線主要包括3個區域：截止區，放大區，飽和區。3個區域表示晶體管不同的工作狀態。下面根據3個區域分別介紹晶體管的輸出特性。

截止區

晶體管截止區是指晶體管輸出特性曲線中晶體管輸入電流為0所對應曲線下方的區域。對于共射接法的晶體管，截止區是指晶體管輸出特性曲線中Ib=0曲線下方的區域，而Ib=0是因為Vbe<Von，即基射電壓低于死區電壓，故也可將截止區定義為Vbe<Von的區域。

在截止區內，基極電流Ib=0，集電極電流Ic≤Icbo，幾乎等于0，僅有極微小的反向穿透電流Iceo流過，硅三極管的Iceo通常都在1μA以下。事實上，應該把Ie=0，即Ic≤Icbo的區域叫做截止區。此時，集電結和發射結均處于反向偏置狀態。

放大區

晶體管放大區是指晶體管輸出特性曲線中每條曲線近似水平部分的集合所對應的區域。這表明，在集射電壓U(CE)一定的范圍內，集電極電流I(C)與U(CE)無關，只取決于I(B)的值。根據這一特性，可實現利用I(B)的變化去線性地控制I(C)的變化，從而實現電流的線性放大，故放大區也成為線性區。此時，發射結正偏，集電結反偏，I(C)=β·I(B) , 且△I(C) =β·△I(B)。

飽和區

晶體管飽和區是指集電結和發射結均正偏，集電極電流不受基極電流控制的區域，也稱飽和工作區。對于共射接法晶體管，飽和區是I(B)>0和U(CE)<0.7V的區域。

當U(CE)<0.7V時，U(CB)=U(CE)<U(BE)，集電結正偏，若U(CE)很小（如0.1V~0.3V），即使I(B)增大，I(C)也很少增加，即集電結吸引來自發射區多子的能力大大下降，已經“飽和”了。也可以用曲線U(CE)=U(BE)作為飽和區和放大區的分界線。

綜上，晶體管在飽和區內工作時的主要特點有：

（1）集電結和發射結均正偏；

（2）I(C)取值與U(CE)有很大關系，I(C)隨U(CE)的增大而增大；

（3）I(C)取值與I(B)不成比例，線性放大無法實現；

（4）晶體管沒有放大作用，集電極和發射極相當于短路，可與截止區配合，用于開關電路。

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總結

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