400亿美元建设美国3nm芯片厂 台积电有苦说不出:成本高出5倍
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400亿美元建设美国3nm芯片厂 台积电有苦说不出:成本高出5倍
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原本只計劃在美國建設5nm芯片廠的臺積電在去年底態度大變,對美國的投資大增,而且先進工藝也要轉移出去,計劃投資400億美元建設3nm芯片廠。
據臺積電所說,其亞利桑那州工廠將開始興建第二期工程,預計于2026年開始生產3nm制程技術,該廠目前興建中的第一期工程預計于2024年開始生產4nm制程技術(原計劃是5nm),兩期工程總投資金額約為400億美元。
臺積電表示,除了幫助建設廠房地的1萬多名建筑工人外,臺積電亞利桑那州的兩座晶圓廠預計將額外創造1萬個高薪高科技工作崗位,其中包括4500個直接受雇于臺積電的工作崗位。
然而臺積電選擇美國建廠不是沒有代價的,在日前的說法會上,臺積電CEO魏哲家承認,美國直接建廠的廠房成本發是臺積電的四五倍,這不僅要歸咎于美國的通脹及各種人工成本,還有各種許可證的額外成本,包括環境影響評估等等。
在美國建廠的成本原告于本土,但臺積電表示將尋求各種方式來降低成本。
總結
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