1 月 19 日消息，據 DIGITIMES 研究報告，隨氮化鎵 (GaN) 通訊元件于工藝及磊晶技術持續精進，將由現行散熱較佳的碳化硅基氮化鎵 (GaN on SiC) 結構，朝著即將試產的 GaN on GaN 及磊晶質量改善后的硅基氮化鎵 (GaN on Si) 架構發展，以支持后續 6G 網絡通訊在低軌衛星及智能手機等場景應用。再者，因 6G 網絡將整合 4G 與 5G 通訊的云端及邊緣運算能力，并提供更寬廣的 6G 網絡頻段、資料傳輸率及傳輸范圍，亦有望推升 GaN 通訊元件于高頻及高功率環境下的終端需求。（磊晶，Epitaxy 是指一種用于半導體器件制造過程中，在原有晶片上長出新結晶，以制成新半導體層的技術）

由于通訊網絡技術的不斷升級，從原先單純語音傳輸的 2G 到現行復雜物聯網的 5G、再至未來整合多元傳感器的 6G 網絡，將提供人們更加便捷的通訊生活。6G 網絡無論于頻譜效率、通訊能效及數據傳輸率等皆更勝 5G，且 6G 擁有更寬廣的網絡頻段與可支持非地面通訊 (Non-Terrestrial Network；NTN)，有望拉抬 GaN 通訊元件于 6G 網絡生態系的滲透比例。

了解到，GaN 通訊元件因高頻及高功率的材料特性，適合在如基站內的功率放大器 (Power Amplifier；PA) 等嚴苛的工作環境操作。現行 GaN 通訊元件結構多數以散熱條件較佳的 GaN on SiC 異質磊晶結構為主。DIGITIMES Research 認為，未來隨同質 GaN on GaN 元件接續問世及 GaN on Si 磊晶質量獲得改善，其將漸應用于 6G 網絡通訊于低軌衛星及智能手機等終端場景。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的研究机构：6G 网络将延伸至非地面通讯，推升 GaN 通讯元件新需求的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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