一、 HSPICE的基本操作過程

打開HSPICE程序，通過OPEN打開編寫好的網(wǎng)表文件。
按下SIMULATE進(jìn)行網(wǎng)表文件的仿真。
按下AVANWAVES查看波形圖（仿真結(jié)果）。

二、 網(wǎng)表文件結(jié)構(gòu)總結(jié)

HSPICE輸入文件包括電路標(biāo)題語句，電路描述語句，分析類型描述語句，輸出描述語句，注釋語句，結(jié)束語句等六部分構(gòu)成。

電路描述語句：電路元器件，元器件模型，電路的輸入激勵(lì)和源，子電路。

分析類型描述：瞬態(tài)分析語句，交流分析語句，直流掃描語句，可選項(xiàng)語句。

三、 在紙上手畫D觸發(fā)器的晶體管級(jí)電路

圖1-與非門原理圖

圖2-非門原理圖

圖3-D觸發(fā)器原理圖

四、 寫出D觸發(fā)器的網(wǎng)表文件

.title inverter
.option post accurate probe
.lib 'D:hspice2007modelPTM45nm
mos90.lib' TT
.lib 'D:hspice2007modelPTM45nmpmos90.lib' TT
V1 1 0 dc=1.8

.SUBCKT feimen 1 0 in out
Mp0 out in 1 1 pmos W=20u L=180n 
Mn0 out in 0 0 nmos W=10u L=180n 
.ENDS 

.SUBCKT yufei 1 0 A B vo
Mp1 vo A 1 1 pmos W=20u L=180n
Mp2 vo B 1 1 pmos W=20u L=180n
Mn1 vo A vn vn nmos W=10u L=180n
Mn2 vn B 0 0 nmos W=10u L=180n
.ENDS

X1 1 0 D 3 feimen
X2 1 0 D CLK 2 yufei
X3 1 0 CLK 3 4 yufei
X4 1 0 2 QF Q yufei
X5 1 0 Q 4 QF yufei

V2 CLK 0 pulse(0 1.8 0.1n 0.1n 0.1n 0.2u 0.4u) 
V3 D 0 pulse(0 1.8 0.1n 0.1n 0.1n 1u 2u)
.op
.tran 0.1n 5u 
.probe v(CLK) v(D) v(Q) v(QF)
.end

五、 總結(jié)書寫與非門網(wǎng)表文件中的注意事項(xiàng)

注意庫(kù)文件的引用及模型名稱的編寫。
換行繼續(xù)應(yīng)用+號(hào)標(biāo)注。
對(duì)節(jié)點(diǎn)命名時(shí)應(yīng)注意不要有相同的的節(jié)點(diǎn)名。

六、 HSPCIE仿真結(jié)果

（一）、電平觸發(fā)D觸發(fā)器仿真結(jié)果圖

圖4-電平觸發(fā)D觸發(fā)器仿真結(jié)果

（二）、結(jié)論

電平D觸發(fā)器在CLK=1期間輸出Q與輸入D的狀態(tài)相同，當(dāng)CLK變?yōu)榈碗娖揭院螅|發(fā)器將保持CLK變?yōu)榈碗娖街暗臓顟B(tài)。觸發(fā)器特性表如表1所示。

表1-電平觸發(fā)D觸發(fā)器的特性表

CLK	D	Q	Q*
0	X	0	0
0	X	1	1
1	0	0	0
1	0	1	0
1	1	0	1
1	1	1	1

七、 實(shí)驗(yàn)過程中的收獲和體會(huì)

通過本次集成電路課程設(shè)計(jì)，我收獲良多。對(duì)于MOS管的原理，與非門的原理，非門的原理，電平觸發(fā)D觸發(fā)器的原理有了更加深刻的理解，對(duì)于HSPICE仿真軟件的使用更加熟悉，本次實(shí)驗(yàn)課學(xué)會(huì)了將復(fù)雜的電路原理圖分解成簡(jiǎn)單的子電路以及子電路的調(diào)用方法,而且加深了對(duì)于網(wǎng)編文件的調(diào)試能力.

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的HSPICE 电平触发D触发器仿真的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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