DRAM，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，需要不斷的刷新，才能保存數(shù)據(jù).而且是行列地址復(fù)用的，許多都有頁(yè)模式。

SRAM，靜態(tài)的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，加電情況下，不需要刷新，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。SRAM是Static?Random?Access?Memory的縮寫(xiě)，中文含義為靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)器，它是一種類(lèi)型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。“靜態(tài)”是指只要不掉電，存儲(chǔ)在SRAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)丟失。這一點(diǎn)與動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）不同，DRAM需要進(jìn)行周期性的刷新操作。 然后，我們不應(yīng)將SRAM與只讀存儲(chǔ)器（ROM）和Flash Memory相混淆，因?yàn)镾RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它只有在電源保持連續(xù)供應(yīng)的情況下才能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)。“隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)”是指存儲(chǔ)器的內(nèi)容可以以任何順序訪(fǎng)問(wèn)，而不管前一次訪(fǎng)問(wèn)的是哪一個(gè)位置。?? ? ??

SRAM中的每一位均存儲(chǔ)在四個(gè)晶體管當(dāng)中，這四個(gè)晶體管組成了兩個(gè)交叉耦合反向器。這個(gè)存儲(chǔ)單元具有兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，通常表示為0和1。另外還需要兩個(gè)訪(fǎng)問(wèn)晶體管用于控制讀或?qū)懖僮鬟^(guò)程中存儲(chǔ)單元的訪(fǎng)問(wèn)。因此，一個(gè)存儲(chǔ)位通常需要六個(gè)MOSFET。對(duì)稱(chēng)的電路結(jié)構(gòu)使得SRAM的訪(fǎng)問(wèn)速度要快于DRAM。SRAM比DRAM訪(fǎng)問(wèn)速度快的另外一個(gè)原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復(fù)用的結(jié)構(gòu)。

每單位容量的DRAM使用較少的晶體管而且占用面積小，而SRAM則是用較多晶體管占用的面也要相對(duì)大不少；

DRAM需要不斷刷新來(lái)維持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，SRAM則不需要；DRAM的存取時(shí)鐘間隔長(zhǎng)，而SRAM的速度快，時(shí)間短；DRAM的耗電低，SRAM耗電大。目前，相同容量的SRAM價(jià)格是SDRAM的8倍左右，面積則將近大4倍，所以SRAM常用于快速存儲(chǔ)的較低容量的RAM需求，比如Cache(緩存），比如CPU內(nèi)部的L1 Cache和主板上的L2 Cache，一般只有幾百K。

從晶體管的類(lèi)型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為異步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。異步SRAM的訪(fǎng)問(wèn)獨(dú)立于時(shí)鐘，數(shù)據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪(fǎng)問(wèn)都在時(shí)鐘的上升/下降沿啟動(dòng)。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號(hào)均于時(shí)鐘信號(hào)相關(guān)。

SDRAM，同步的DRAM，即數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)需要時(shí)鐘來(lái)同步。?主要是存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了容量的不同。一個(gè)DRAM存儲(chǔ)單元大約需要一個(gè)晶體管和一個(gè)電容（不包括行讀出放大器等），而一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元大約需要六個(gè)晶體管。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大，但是讀寫(xiě)速度不如SRAM。?? ?一個(gè)是靜態(tài)的，一個(gè)是動(dòng)態(tài)的，靜態(tài)的是用的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息，而動(dòng)態(tài)的是用電子，要不時(shí)的刷新來(lái)保持。DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問(wèn)題，容量較SRAM大。但是讀寫(xiě)速度不如SRAM，但是現(xiàn)在，SDRAM的速度也已經(jīng)很快了，時(shí)鐘似乎已經(jīng)有 150兆的了。那么就是讀寫(xiě)周期小于10ns了。SDRAM雖然工作頻率高，但是實(shí)際吞吐率要打折扣。以PC133為例，它的時(shí)鐘周期是7.5ns，當(dāng)CAS latency=2 時(shí)，它需要12個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)讀操作，10個(gè)周期完成8個(gè)突發(fā)寫(xiě)操作。不過(guò)，如果以交替方式訪(fǎng)問(wèn)Bank，SDRAM可以在每個(gè)周期完成一個(gè)讀寫(xiě)操作（當(dāng)然除去刷新操作）。其實(shí)現(xiàn)在的主流高速存儲(chǔ)器是SSRAM（同步SRAM）和SDRAM（同步DRAM）。目前可以方便買(mǎi)到的SSRAM最大容量是8Mb/片，最大工作速度是166MHz；可以方便買(mǎi)到的SDRAM最大容量是128Mb/片，最大工作速度是133MHz。

SRAM不應(yīng)該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM（Synchronous DRAM），這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應(yīng)該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。 ?? ? ?? ?? ?

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的DRAM, SRAM, SDRAM 的关系与区别的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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