Nand Flash與Nor Flash經(jīng)常在一些地方被提到,以下是他們的 一些對比：

??????? NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In Place),這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行,不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。優(yōu)點(diǎn)是可以直接從FLASH中運(yùn)行程序,但是工藝復(fù)雜，價(jià)格比較貴,NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。

　　NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度,可以達(dá)到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。優(yōu)點(diǎn)：大存儲容量,而且便宜。缺點(diǎn),就是無法尋址直接運(yùn)行程序,只能存儲數(shù)據(jù)。另外NAND FLASH 非常容易出現(xiàn)壞區(qū),所以需要有校驗(yàn)的算法。
??? 任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行
（1）NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。
（2）擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時(shí)間為5s,NORFLASHSECTOR擦除時(shí)間視品牌、大小不同而不同,比如,4MFLASH,有的SECTOR擦除時(shí)間為60ms,而有的需要最大6S。與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的,執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms
（3）當(dāng)選擇存儲解決方案時(shí),設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素。
　　●NOR的讀速度比NAND稍快一些。
　　●NAND的寫入速度比NOR快很多。
　　●NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快。
　　●大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
　　●NAND的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
（4）接口差別
　　NORflash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個字節(jié)。
　　NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù),各個產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊,這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作,因此,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備。
（5）容量差別：
??? NORflash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分,而NANDflash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中,這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲介質(zhì)中,NAND適合于數(shù)據(jù)存儲。
（6）可靠性和耐用性
－壽命(耐用性)
　　在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次,而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND存儲器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
－位交換
　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存,在使用NAND閃存的時(shí)候,應(yīng)使用EDC/ECC算法。用NAND存儲多媒體信息時(shí)倒不是致命的。當(dāng)然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí),必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確保可靠性。
－壞塊處理
　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的,NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理,將導(dǎo)致高故障率。
（7）易于使用
　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存。在使用NAND器件時(shí),必須先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记?因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入,這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射。
（8）軟件支持
在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí),通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(MTD),NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。
??? 使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動,該驅(qū)動被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等廠商所采用。驅(qū)動還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。

（9）在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲數(shù)據(jù)和程序,但是必須有NOR FLASH來啟動。除了SAMSUNG處理器,其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動程序。因此,必須先用一片小的NOR FLASH 啟動機(jī)器,在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運(yùn)行才行。

FLASH存儲器

　　存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。它根據(jù)控制器指定的位置存進(jìn)和取出信息。 [全文]

又稱閃存，主要有兩種：Norflash和NandFlash，下面我們從多個角度來對比介紹一下。在實(shí)際開發(fā)中，設(shè)計(jì)者可以根據(jù)產(chǎn)品需求來進(jìn)行閃存的合理選擇。

　　1、接口對比

　　NorFlash帶有通用的SRAM接口，可以輕松地掛接在CPU

　　CPU也稱為中央處理器，是電子計(jì)算機(jī)的主要設(shè)備之一。其功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù)。所謂的計(jì)算機(jī)的可編程性主要是指對CPU的編程。CPU是計(jì)算機(jī)中的核心配件，只有火柴盒那么大，幾十張紙那么厚，但它卻是一臺計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心。計(jì)算機(jī)中所有操作都由CPU負(fù)責(zé)讀取指令，對指令譯碼并執(zhí)行指令的核心部件。CPU、內(nèi)部存儲器和輸入/輸出設(shè)備是電子計(jì)算機(jī)的三大核心部件。 [全文]

的地址、數(shù)據(jù)總線上，對CPU的接口要求低。NorFlash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP,eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。如uboot中的ro段可以直接在NorFlash上運(yùn)行，只需要把rw和zi段拷貝到RAM中運(yùn)行即可。

　　NandFlash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)，8個引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息。由于時(shí)序較為復(fù)雜，所以一般CPU最好集成NAND控制器。另外由于NandFlash沒有掛接在地址總線

　　總線是將信息以一個或多個源部件傳送到一個或多個目的部件的一組傳輸線。通俗的說，就是多個部件間的公共連線，用于在各個部件之間傳輸信息。人們常常以MHz表示的速度來描述總線頻率。

上，所以如果想用NandFlash作為系統(tǒng)的啟動盤，就需要CPU具備特殊的功能，如s3c2410在被選擇為NandFlash啟動方式時(shí)會在上電時(shí)自動讀取NandFlash的4k數(shù)據(jù)到地址0的SRAM中。如果CPU不具備這種特殊功能，用戶不能直接運(yùn)行NandFlash上的代碼，那可以采取其他方式，比如好多使用NandFlash的開發(fā)板除了使用NandFlash以外，還用上了一塊小的NorFlash來運(yùn)行啟動代碼。

　　2、容量和成本對比

　　相比起NandFlash來說，NorFlash的容量要小，一般在1~16MByte左右，一些新工藝采用了芯片疊加技術(shù)可以把NorFlash的容量做得大一些。在價(jià)格方面，NorFlash相比NandFlash來說較高，如目前市場上一片4Mbyte的AM29lv320 NorFlash零售價(jià)在20元左右，而一片128MByte的k9f1g08 NandFlash零售價(jià)在30元左右。

　　NandFlash生產(chǎn)過程更為簡單，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量，這樣也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。

　　3、可靠性性對比

　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的，以前也曾有過消除壞塊的努力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高，根本不劃算。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用。在已制成的器件中，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率。而壞塊問題在NorFlash上是不存在的。

　　在Flash的位翻轉(zhuǎn)（一個bit位發(fā)生翻轉(zhuǎn)）現(xiàn)象上，NAND的出現(xiàn)幾率要比NorFlash大得多。這個問題在Flash存儲關(guān)鍵文件時(shí)是致命的，所以在使用NandFlash時(shí)建議同時(shí)使用EDC/ECC等校驗(yàn)算法。

　　4、壽命對比

　　在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次。閃存的使用壽命同時(shí)和文件系統(tǒng)的機(jī)制也有關(guān)，要求文件系統(tǒng)具有損耗平衡功能。

　　5、升級對比

　　NorFlash的升級較為麻煩，因?yàn)椴煌萘康腘orFlash的地址線需求不一樣，所以在更換不同容量的NorFlash芯片時(shí)不方便。通常我們會通過在電路板的地址線上做一些跳接電阻

　　電阻，物質(zhì)對電流的阻礙作用就叫該物質(zhì)的電阻。電阻小的物質(zhì)稱為電導(dǎo)體，簡稱導(dǎo)體。電阻大的物質(zhì)稱為電絕緣體，簡稱絕緣體。 [全文]

來解決這樣的問題，針對不同容量的NorFlash。

　　而不同容量的NandFlash的接口是固定的，所以升級簡單。

　　6、讀寫性能對比

　　寫操作：任何flash器件的寫入操作都只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個擦除/寫入操作的時(shí)間約為5s。擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個擦除/寫入操作最多只需要4ms。

　　讀操作：NOR的讀速度比NAND稍快一些。

　　7、文件系統(tǒng)比較

　　Linux系統(tǒng)中采用MTD來管理不同類型的Flash芯片，包括NandFlash和NorFlash。支持在Flash上運(yùn)行的常用文件系統(tǒng)有cramfs、jffs、jffs2、yaffs、yaffs2等。cramfs文件系統(tǒng)是只讀文件系統(tǒng)。如果想在Flash上實(shí)現(xiàn)讀寫操作，通常在NorFlash上我們會選取jffs及jffs2文件系統(tǒng)，在NandFlash上選用yaffs或yaffs2文件系統(tǒng)。Yaffs2文件系統(tǒng)支持大頁（大于512字節(jié)/頁）的NandFlash存儲器。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的Nand Flash与Nor Flash的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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