動(dòng)態(tài)RAM的刷新

刷新的過程實(shí)質(zhì)上是先將原存信息讀出，再由刷新放大器形成原信息并重新寫入的再生過程。
規(guī)定在一定的時(shí)間內(nèi)，對(duì)動(dòng)態(tài)ＲＡＭ的全部基本單元電路必做一次刷新，一般取２NS，這個(gè)時(shí)間稱為刷新周期，又稱再生周期

１.集中刷新

在一個(gè)刷新周期內(nèi)，對(duì)全部存儲(chǔ)單元集中一段時(shí)間逐行進(jìn)行刷新，此刻必須停止讀／寫操作。

例如： 對(duì)128*128矩陣的存儲(chǔ)芯片進(jìn)行刷新時(shí)，若存取周期為0.5us,刷新周期為2ms（占 4000個(gè)存取周期），則對(duì)128行刷新工序64us（占128個(gè)周期），其余的1936us（ 共3872個(gè)存取周期）用來讀/寫或維持信息。由于在64us時(shí)間內(nèi)不能進(jìn)行讀/寫操作， 故稱為死時(shí)間，又稱訪存死區(qū)所占比率為128/4000=3.2%，稱為死時(shí)間率。

２.分散刷新

對(duì)每行存儲(chǔ)單元的刷新分散到每個(gè)存取周期內(nèi)完成。

把機(jī)器的存取周期t分成兩段，前半段用來讀/寫或維持信息，后半段用來刷新。若 讀寫周期為0.5us，則存取周期為1us。仍以128*128的存儲(chǔ)芯片為例，刷新按行進(jìn) 行，每個(gè)128us就科技那個(gè)存儲(chǔ)芯片全部刷新一遍。 優(yōu)點(diǎn)：刷新時(shí)間短 缺點(diǎn)：存取周期長(zhǎng)，系統(tǒng)速度降低

３.異步刷新

前兩種方式的結(jié)合，即可縮短”死時(shí)間“，又充分利用最大刷新間隔為2ms的特點(diǎn)。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的动态RAM的刷新的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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