動態RAM的刷新

刷新的過程實質上是先將原存信息讀出，再由刷新放大器形成原信息并重新寫入的再生過程。
規定在一定的時間內，對動態ＲＡＭ的全部基本單元電路必做一次刷新，一般取２NS，這個時間稱為刷新周期，又稱再生周期

１.集中刷新

在一個刷新周期內，對全部存儲單元集中一段時間逐行進行刷新，此刻必須停止讀／寫操作。

例如： 對128*128矩陣的存儲芯片進行刷新時，若存取周期為0.5us,刷新周期為2ms（占 4000個存取周期），則對128行刷新工序64us（占128個周期），其余的1936us（ 共3872個存取周期）用來讀/寫或維持信息。由于在64us時間內不能進行讀/寫操作， 故稱為死時間，又稱訪存死區所占比率為128/4000=3.2%，稱為死時間率。

２.分散刷新

對每行存儲單元的刷新分散到每個存取周期內完成。

把機器的存取周期t分成兩段，前半段用來讀/寫或維持信息，后半段用來刷新。若 讀寫周期為0.5us，則存取周期為1us。仍以128*128的存儲芯片為例，刷新按行進 行，每個128us就科技那個存儲芯片全部刷新一遍。 優點：刷新時間短 缺點：存取周期長，系統速度降低

３.異步刷新

前兩種方式的結合，即可縮短”死時間“，又充分利用最大刷新間隔為2ms的特點。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的动态RAM的刷新的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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