計(jì)算機(jī)組成原理(存儲(chǔ)器).ppt

計(jì)算機(jī)組成原理,主講顏俊華 存儲(chǔ)子系統(tǒng),存儲(chǔ)子系統(tǒng),主要知識(shí)點(diǎn) 掌握存儲(chǔ)器的分類(lèi)、存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu) 掌握存儲(chǔ)單元、存儲(chǔ)容量、地址線、數(shù)據(jù)線的關(guān)系3. 掌握用半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片組成主存儲(chǔ)器的方法 了解輔助存儲(chǔ)器的工作原理5. 掌握ache和虛擬存儲(chǔ)器的工作原理,重點(diǎn)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)、各類(lèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)、主存儲(chǔ)器的組織方法(與CPU的連接方法)，cache，虛擬存儲(chǔ)器,難點(diǎn)主存儲(chǔ)器的組織方法，ache、虛擬存儲(chǔ)器的工作原理,存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu),三級(jí)存儲(chǔ)體系 存儲(chǔ)系統(tǒng)容量大、速度快、成本低,CPU,Cache,主存,外存,,,,,對(duì)某類(lèi)存儲(chǔ)器而言，這些要求往往是相互矛盾的，如容量大，速度不能很快；速度快，成本不可能低；因此，在一個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)常采用幾種不同的存儲(chǔ)器，構(gòu)成多級(jí)存儲(chǔ)體系，滿足系統(tǒng)的要求。,主存儲(chǔ)器(內(nèi)存)輔助存儲(chǔ)器(外存)高速緩沖存儲(chǔ)器Cache,存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu),主要存放CPU當(dāng)前使用的程序和數(shù)據(jù)。,,速度快,容量有限,存放大量的后備程序和數(shù)據(jù)。,,速度較慢,容量大,存放CPU在當(dāng)前一小段時(shí)間內(nèi)多次使用的程序和數(shù)據(jù)。,,速度很快,容量小,物理存儲(chǔ)器和虛擬存儲(chǔ)器 主存-外存層次增大容量 CPU 主存 外存為虛擬存儲(chǔ)器提供條件 虛擬存儲(chǔ)器將主存空間與部分外存空間組成邏輯地址空間 用戶使用邏輯地址空間編程，操作系統(tǒng)進(jìn)行有關(guān)程序調(diào)度、存儲(chǔ)空間分配、地址轉(zhuǎn)換等工作,存儲(chǔ)系統(tǒng)層次結(jié)構(gòu),,,存儲(chǔ)器分類(lèi),按存儲(chǔ)機(jī)制分類(lèi) 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 靜態(tài)存儲(chǔ)器利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲(chǔ)信息 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器依靠電容存儲(chǔ)電荷存儲(chǔ)信息 磁表面存儲(chǔ)器利用磁層上不同方向的磁化區(qū)域表示信息，容量大，非破壞性讀出，長(zhǎng)期保存信息，速度慢。 光盤(pán)存儲(chǔ)器 利用光斑的有無(wú)表示信息,存儲(chǔ)器分類(lèi),按存取方式分類(lèi) 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 隨機(jī)存取可按地址訪問(wèn)存儲(chǔ)器中的任一單元，訪問(wèn)時(shí)間與地址單元無(wú)關(guān),RAM,MROM,,可讀可寫(xiě),ROM,只讀不寫(xiě),,PROM,用戶不能編程,用戶可一次編程,EPROM,用戶可多次編程,EEPROM,用戶可多次編程,,SRAM,DRAM,存儲(chǔ)器分類(lèi),順序存取存儲(chǔ)器(SAM) 訪問(wèn)時(shí)按讀/寫(xiě)部件順序查找目標(biāo)地址，訪問(wèn)時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān),等待操作,,平均等待時(shí)間,讀/寫(xiě)操作,兩步操作,速度指標(biāo),,(ms),數(shù)據(jù)傳輸率,(字節(jié)/秒),存取周期或讀/寫(xiě)周期,(ns),速度指標(biāo),,時(shí)鐘周期的若干倍,作主存、高速緩存。,存儲(chǔ)器分類(lèi),直接存取存儲(chǔ)器(DM) 訪問(wèn)時(shí)讀/寫(xiě)部件先直接指向一個(gè)小區(qū)域，再在該區(qū)域內(nèi)順序查找。訪問(wèn)時(shí)間與數(shù)據(jù)位置有關(guān),三步操作,,定位(尋道)操作,等待(旋轉(zhuǎn))操作,讀/寫(xiě)操作,速度指標(biāo),,平均定位(平均尋道)時(shí)間,平均等待(平均旋轉(zhuǎn))時(shí)間,數(shù)據(jù)傳輸率,(位/秒),存儲(chǔ)器分類(lèi),相聯(lián)存儲(chǔ)器是一種特殊存儲(chǔ)器，是基于數(shù)據(jù)內(nèi)容進(jìn)行訪問(wèn)的存儲(chǔ)設(shè)備。 寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)CAM能自動(dòng)選擇一個(gè)未用空單元進(jìn)行存儲(chǔ)。 讀取數(shù)據(jù)時(shí)CAM用所給數(shù)據(jù)同時(shí)對(duì)所有存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較標(biāo)記符合條件的數(shù)據(jù)。 比較是同時(shí)進(jìn)行的，所以讀取速度比基于地址進(jìn)行讀寫(xiě)的速度快。,主存儲(chǔ)器分類(lèi),,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM可讀可寫(xiě)、斷電丟失 只讀存儲(chǔ)器ROM正常情況下只讀、斷電不丟失,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,RAM(radom access memry，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)要求元件有如下記憶特性 有兩種穩(wěn)定狀態(tài)； 在外部信號(hào)的激勵(lì)下，兩種穩(wěn)定狀態(tài)能進(jìn)行無(wú)限次相互轉(zhuǎn)換； 在外部信號(hào)激勵(lì)下，能讀出兩種穩(wěn)定狀態(tài)； 可靠地存儲(chǔ)。半導(dǎo)體RAM元件可以分為兩大類(lèi) SRAM是利用開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行記憶，只要電源有電，它總能保持兩個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)中的一個(gè)狀態(tài)。 DRAM除要電源有電外，還必須動(dòng)態(tài)地每隔一定的時(shí)間間隔對(duì)它進(jìn)行一次刷新，否則信息就會(huì)丟失。,只讀存儲(chǔ)器,掩模型只讀存儲(chǔ)器MROM 可編程只讀存儲(chǔ)器PROM 可重編程只讀存儲(chǔ)器EPROM 電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM 閃速存儲(chǔ)器flash,,1.掩模型只讀存儲(chǔ)器MROM以有無(wú)元器件表示0和1，MROM芯片出廠時(shí)，已經(jīng)寫(xiě)入信息，不能改寫(xiě)用于需要量大且不需要改寫(xiě)的場(chǎng)合,只讀存儲(chǔ)器,2. 可編程只讀存儲(chǔ)器PROMPROM芯片出廠時(shí)，內(nèi)容為全1，用戶可用專用PROM寫(xiě)入器將信息寫(xiě)入，一旦寫(xiě)入不能改寫(xiě)(即只能寫(xiě)入一次),所以又稱一次型可編程只讀存儲(chǔ)器。,熔絲型PROM,只讀存儲(chǔ)器,3. EPROM可擦除可編程ROMUVEPROM (ultraviolet erasable programmable ROM) 紫外線擦除(有一石英窗口，改寫(xiě)時(shí)要將其置于一定波長(zhǎng)的紫外線燈下，照射一定時(shí)間全部擦除，時(shí)間長(zhǎng)大約1025分鐘) EPROM存在兩個(gè)問(wèn)題A. 用紫外線燈的擦除時(shí)間長(zhǎng).B. 只能整片擦除,不能改寫(xiě)個(gè)別單元或個(gè)別位,只讀存儲(chǔ)器,4.電可擦除只讀存儲(chǔ)器EEPROM(electronically EPROM 可在聯(lián)機(jī)情況下，通過(guò)專用寫(xiě)入器加高壓擦除 可多次，支持?jǐn)?shù)據(jù)塊擦除 5. 閃速存儲(chǔ)器Flash E2PROM又稱快擦存儲(chǔ)器 是在EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的新型電可擦可編程的非易失性存儲(chǔ)器特點(diǎn)高密度/非易失性/讀/在線改寫(xiě);兼有RAM和 ROM的特點(diǎn),可代替軟盤(pán)和硬盤(pán)。 擦寫(xiě)次數(shù)可達(dá)10萬(wàn)次以上。讀取時(shí)間小于10ns。,存儲(chǔ)器性能指標(biāo),存取時(shí)間TA(Memory Access Time)是存儲(chǔ)器收到讀或?qū)懙牡刂返綇拇鎯?chǔ)器讀出(寫(xiě)入)信息所需的時(shí)間 存取周期TM(Memory Circle Time)指連續(xù)啟動(dòng)二次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作(例連續(xù)2次讀)所需間隔的最小時(shí)間.一般TM TA,存儲(chǔ)器性能指標(biāo),存取寬度(W)也稱存取總線寬度,一次訪問(wèn)可存取的數(shù)據(jù)位數(shù)或字節(jié)數(shù). 存儲(chǔ)器帶寬也叫數(shù)據(jù)傳輸率,每秒從存儲(chǔ)器讀取信息量,常用字節(jié)/秒表示。,帶寬BM指每秒訪問(wèn)二進(jìn)制位的數(shù)目。 BMW/ TM 若TM500ns,W16位, BM16/0.532Mbps則 要提高BM使TM 使W 增加存儲(chǔ)體,存儲(chǔ)器性能指標(biāo),容量指計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)信息的能力,即最大的二進(jìn)制信息量，以b或B表示 信息的可靠保存性、非易失性、可更換性 有源存儲(chǔ)器例半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靠電源才能存信息 無(wú)源存儲(chǔ)器磁盤(pán)、磁帶等輔存中的信息關(guān)電后不丟失 非易失性掉電時(shí)，信息不會(huì)丟失 結(jié)論評(píng)價(jià)存儲(chǔ)器的三個(gè)基本指標(biāo)CCapacity CCost AAccess Speed,主存儲(chǔ)器的組成,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu), 存儲(chǔ)體 存儲(chǔ)器芯片的主要部分，用來(lái)存儲(chǔ)信息 地址譯碼電路 根據(jù)輸入的地址編碼來(lái)選中芯片內(nèi)某個(gè)特定的存儲(chǔ)單元 片選和讀寫(xiě)控制邏輯 選中存儲(chǔ)芯片，控制讀寫(xiě)操作,存儲(chǔ)體,每個(gè)存儲(chǔ)單元具有一個(gè)唯一的地址，可存儲(chǔ)1位(位片結(jié)構(gòu))或多位(字片結(jié)構(gòu))二進(jìn)制數(shù)據(jù) 芯片存儲(chǔ)容量與地址、數(shù)據(jù)線個(gè)數(shù)有關(guān)芯片的存儲(chǔ)容量2MN存儲(chǔ)單元數(shù)存儲(chǔ)單元的位數(shù)M芯片的地址線根數(shù)N芯片的數(shù)據(jù)線根數(shù),存儲(chǔ)體,23,,,,,,,,,,,,單元地址,0000 0001 . . . . . . . . XXXX,存儲(chǔ)單元,,存儲(chǔ)元,,存儲(chǔ)容量,存儲(chǔ)體,地址線決定了存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量 數(shù)據(jù)線一次訪問(wèn)存儲(chǔ)器所得到數(shù)據(jù)位數(shù),地址譯碼電路,1、譯碼器(decoder) 將每個(gè)輸入的二進(jìn)制代碼譯成對(duì)應(yīng)的輸出高、低電平信號(hào),地址譯碼電路,25,譯碼輸出高電平有效,譯碼輸出低電平有效,1、譯碼器(decoder),地址譯碼電路,2-4譯碼器,Y0 Y1 Y2 Y3,,,,,A1 A0EN,,,,,,,,,,,,,,引腳功能圖,1、譯碼器(decoder),地址譯碼結(jié)構(gòu),單譯碼結(jié)構(gòu) 雙譯碼結(jié)構(gòu) 雙譯碼可簡(jiǎn)化芯片設(shè)計(jì) 主要采用的譯碼結(jié)構(gòu),片選和讀寫(xiě)控制邏輯,片選端CS*或CE* 有效時(shí)，可以對(duì)該芯片進(jìn)行讀寫(xiě)操作 輸出OE* 控制讀操作。有效時(shí)，芯片內(nèi)數(shù)據(jù)輸出 該控制端對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的讀控制線 寫(xiě)WE* 控制寫(xiě)操作。有效時(shí)，數(shù)據(jù)進(jìn)入芯片中 該控制端對(duì)應(yīng)系統(tǒng)的寫(xiě)控制線,主存儲(chǔ)器組織,主存儲(chǔ)器組織涉及的問(wèn)題主要有 M的邏輯設(shè)計(jì) 動(dòng)態(tài)M的刷新 主存與CPU的連接 主存的校驗(yàn),主存儲(chǔ)器組織,主存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)的一般原則 存儲(chǔ)器與CPU的連接數(shù)據(jù)線、地址線、控制線的連接 驅(qū)動(dòng)能力 存儲(chǔ)芯片類(lèi)型選擇 存儲(chǔ)芯片與CPU的時(shí)序配合 存儲(chǔ)器的地址分配和片選譯碼 行選信號(hào)和列選信號(hào)的產(chǎn)生,主存儲(chǔ)器組織,存儲(chǔ)芯片的數(shù)據(jù)線存儲(chǔ)芯片的地址線存儲(chǔ)芯片的片選端存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)控制線,位擴(kuò)展法數(shù)據(jù)線的連接字?jǐn)U展法地址線的連接字位同時(shí)擴(kuò)展法,主存儲(chǔ)器組織,一、位擴(kuò)展方式當(dāng)芯片的容量和主存容量相同，而位數(shù)不足時(shí)，就要對(duì)位數(shù)進(jìn)行擴(kuò)展，稱為位擴(kuò)展位擴(kuò)展法的要點(diǎn)“位的并聯(lián)”各芯片的數(shù)據(jù)線與CPU數(shù)據(jù)線的各對(duì)應(yīng)位拼接各芯片的片選線應(yīng)連在一起，合用一個(gè)片選信號(hào)。,33,例1 用8片8K*1的芯片組成一個(gè)8K*8的存儲(chǔ)器,位擴(kuò)展法組成的 1K*16 的存儲(chǔ)器,例2 用4片1K*4的2114芯片組成一個(gè)1K*16的存儲(chǔ)器。,主存儲(chǔ)器組織,2、字?jǐn)U展方式當(dāng)芯片字長(zhǎng)與主存相同，而容量不足時(shí)，就需要用幾片存儲(chǔ)器芯片組成組成容量較大的存儲(chǔ)器，稱為字?jǐn)U展。字?jǐn)U展法的要點(diǎn)各芯片的數(shù)據(jù)線與CPU數(shù)據(jù)線的各對(duì)應(yīng)位串接在一起各芯片的片選線要分開(kāi)，分別與CPU地址總線的高位地址譯碼后的片選信號(hào)相連,例3用Intel2114(1K*4)芯片，組成4K*4的存儲(chǔ)器。 1、 計(jì)算分析 2114的規(guī)格為1K*4，芯片地址線10條A9A0，數(shù)據(jù)線4條 需4片2114，系統(tǒng)地址線12條A11A10為片選線，數(shù)據(jù)線4條,A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A00 0 0 00 0 1 10 1 0 00 1 1 11 0 0 01 0 1 11 1 0 01 1 1 1,,,,000-----3FF 1K,400-----7FF 1K,800-----BFF 1K,C00-----FFF 1K,2、 片選及 地址分析,字?jǐn)U展法組成的4K*4 的存儲(chǔ)器,例4用16K8位的芯片采用字?jǐn)U展法組成64K8位的存儲(chǔ)器連接圖。 分析 要使用4塊芯片 4塊芯片的數(shù)據(jù)端與數(shù)據(jù)總線D0D7相連; 地址總線低位地址A0A13與各芯片的14位地址端相連; 兩位高位地址A14，A15經(jīng)譯碼器和4個(gè)片選端相連,字?jǐn)U展法組成64K8存儲(chǔ)空間,主存儲(chǔ)器組織,主存儲(chǔ)器邏輯設(shè)計(jì) 需解決芯片的選用 地址分配與片選邏輯 信號(hào)線的連接 例5用2114(1K4)SRAM芯片組成容量為4K8的存儲(chǔ)器。地址總線A15A0,雙向數(shù)據(jù)總線 D7D0,讀/寫(xiě)信號(hào)線R/W。 給出芯片地址分配和片選邏輯，并畫(huà)出M框圖,主存儲(chǔ)器組織,計(jì)算芯片數(shù) 先擴(kuò)展位數(shù)再擴(kuò)展單元數(shù)先擴(kuò)展單元數(shù)，再擴(kuò)展位數(shù),2片1K4,,1K8,4組1K8,,4K8,8片,4片1K4,,4K4,2組4K4,,4K8,8片,主存儲(chǔ)器組織,地址分配與片選邏輯,存儲(chǔ)器尋址邏輯,,芯片內(nèi)的尋址系統(tǒng)二級(jí)譯碼,芯片外的地址分配與片選邏輯,,為芯片分配哪幾位地址，以便尋找片內(nèi)的存儲(chǔ)單元,,由哪幾位地址形成芯片選擇邏輯，以便尋找芯片,存儲(chǔ)空間分配,4KB存儲(chǔ)器在16位地址空間(64KB)中占據(jù) 任意連續(xù)區(qū)間。,需12位地址尋址,4KB,,A15A12A11A10A9A0,A11A0,0 0 0 0,任意值,0 0 1 1,0 1 1 1,1 0 1 1,0 1 0 0,1 0 0 0,1 1 0 0,1 1 1 1,片選,芯片地址,低位地址分配給芯片，高位地址形成片選邏輯。,,,,,芯片 芯片地址 片選信號(hào) 片選邏輯,,,1K,1K,1K,1K,A9A0,A9A0,A9A0,A9A0,CS0,CS1,CS2,CS3,A11A10,,,A11A10,A11A10,A11A10,,,連接方式,(1)擴(kuò)展位數(shù),4,,,,,,,,,,,,4,,,,10,,,,,4,A9A0,,(2)擴(kuò)展單元數(shù),(3)連接控制線,形成片選邏輯電路,已知RAM芯片和地址譯碼器的引腳如圖所示，試回答如下問(wèn)題 (1)若要求構(gòu)成一個(gè)8K8的RAM 存儲(chǔ)器，需幾片這樣的芯片設(shè)RAM存儲(chǔ)器占用起始地址為E1000H的連續(xù)地址空間，若采用全地址譯碼方式譯碼，試畫(huà)出存儲(chǔ)器系統(tǒng)與CPU電路連接圖。 (2)試寫(xiě)出每塊RAM芯片的地址空間。,主存儲(chǔ)器組織,主存儲(chǔ)器組織,作業(yè)設(shè)計(jì)一半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其中ROM區(qū)4KB，選用ROM芯片(4K4位/片)；RAM區(qū)3KB，選用RAM芯片(2KB/片和1K4位/片)。地址總線A15A0，雙向數(shù)據(jù)總線D7D0，讀/寫(xiě)線R/W。 要求 給出芯片地址分配和片選邏輯式 畫(huà)出該M邏輯框圖(各芯片信號(hào)線的連接以及片選邏輯電路，片選信號(hào)低電平有效),,作業(yè)用8K*8位的ROM芯片和8K*4的RAM芯片組成存儲(chǔ)器，按字節(jié)編址，期中RAM的地址為2000H7FFFH，ROM的地址為C000HFFFFH。 要求 計(jì)算各自需要多少個(gè)芯片 畫(huà)出該存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)框圖以及與CPU的連接。(用譯碼器進(jìn)行片選譯碼) 計(jì)算每個(gè)芯片的地址范圍。,主存儲(chǔ)器組織,主存儲(chǔ)器組織,動(dòng)態(tài)M的刷新 刷新定義和原因 定義定期向電容補(bǔ)充電荷 原因動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器依靠電容電荷存儲(chǔ)信息。平時(shí)無(wú)電源供電，時(shí)間一長(zhǎng)電容電荷會(huì)泄放，需定期向電容補(bǔ)充電荷，以保持信息不變。 注意刷新和重寫(xiě)的區(qū)別,主存儲(chǔ)器組織,動(dòng)態(tài)M的刷新 最大刷新間隔在此期間，必須對(duì)所有動(dòng)態(tài)單元刷新一遍 刷新方法 各動(dòng)態(tài)芯片可同時(shí)刷新，片內(nèi)按行刷新 刷新一行所用的時(shí)間 刷新周期(存取周期) 刷新一塊芯片所需的刷新周期數(shù)由芯片矩陣的行數(shù)決定,,主存儲(chǔ)器組織,對(duì)主存的訪問(wèn),由CPU提供行、列地址，隨機(jī)訪問(wèn)。,CPU訪存,,動(dòng)態(tài)芯片刷新,由刷新地址計(jì)數(shù)器提供行地址，定時(shí)刷新。,主存儲(chǔ)器組織,刷新周期的安排方式(刷新方式) 集中刷新分散刷新,2ms內(nèi)集中安排所有刷新周期。,死區(qū),用在實(shí)時(shí)要求不高的場(chǎng)合。,,,,2ms,,50ns,,,,,,,各刷新周期分散安排在存取周期中。,100ns,,,,用在低速系統(tǒng)中。,主存儲(chǔ)器組織,異步刷新,2ms,,,,,例.,各刷新周期分散安排在2ms內(nèi)。,用在大多數(shù)計(jì)算機(jī)中。,每隔一段時(shí)間刷新一行。,,128行,15.6 微秒,每隔15.6微秒提一次刷新請(qǐng)求，刷新一行；2毫秒內(nèi)刷新完所有行。,,15.6 微秒,15.6 微秒,,,,15.6 微秒,,刷新請(qǐng)求,刷新請(qǐng)求,(DMA請(qǐng)求),(DMA請(qǐng)求),主存儲(chǔ)器校驗(yàn),碼距的概念 碼距定義一種編碼體制中，各組合法代碼間的不同位數(shù)稱距離，其最小距離為該編碼的碼距。 碼距作用衡量一種編碼查錯(cuò)與糾錯(cuò)的能力。 查錯(cuò)與糾錯(cuò)的基本出發(fā)點(diǎn) 約定某種規(guī)律，作為檢測(cè)依據(jù)增大碼距，從信息量上提供指錯(cuò)的可能,有效信息位校驗(yàn)位,校驗(yàn)碼,,,譯碼檢測(cè),主存儲(chǔ)器校驗(yàn),奇偶校驗(yàn) 有效信息位1位校驗(yàn)位 校驗(yàn)碼 檢測(cè)依據(jù)(編碼規(guī)則)約定校驗(yàn)碼中1的個(gè)數(shù)為奇數(shù)/偶數(shù),,如偶校驗(yàn),碼距d2,1011001,0,1011011,1,通過(guò)統(tǒng)計(jì)校驗(yàn)碼中1的個(gè)數(shù)是否為偶數(shù)來(lái)查錯(cuò)。,可檢測(cè)一位錯(cuò)，,不能糾錯(cuò)。,用于主存校驗(yàn)。,主存儲(chǔ)器校驗(yàn),海明校驗(yàn)碼 檢測(cè)依據(jù)多重奇偶校驗(yàn),代碼分組,,各組進(jìn)行奇偶校驗(yàn),,形成多位,指誤字,,全0 無(wú)錯(cuò),全0 有錯(cuò),指誤字狀態(tài)對(duì)應(yīng)出錯(cuò)位序號(hào)，將出錯(cuò)位變反糾錯(cuò)。,主存儲(chǔ)器校驗(yàn),循環(huán)冗余校驗(yàn)碼 約定規(guī)律校驗(yàn)碼能被某代碼除盡編碼方法,設(shè)有效信息為A，約定代碼為G。,A,余數(shù),校驗(yàn)碼,,,G, Q ,R,G,,,A-R,,G, Q,,,例.有效信息A1100，約定代碼G1011,將有效信息與余數(shù)拼在一起形成校驗(yàn)碼,主存儲(chǔ)器校驗(yàn),A左移r位(r3)1100000 求余數(shù)形成校驗(yàn)碼,有效信息位數(shù),K,r,n,余數(shù)位數(shù),校驗(yàn)碼位數(shù),1100000,1011,1110 ,010,1011,,余數(shù),,,主存儲(chǔ)器校驗(yàn),譯碼與糾錯(cuò),K4,(7，4)碼,n7,1100000 010 1100010,,,約定代碼,循環(huán)校驗(yàn)碼,余數(shù)為0，無(wú)錯(cuò),余數(shù)非0，有錯(cuò),不同余數(shù)對(duì)應(yīng)不同出錯(cuò)數(shù)位,,,生成多項(xiàng)式,,主存儲(chǔ)器校驗(yàn),生成多項(xiàng)式,利用余數(shù)循環(huán)的特點(diǎn)，將出錯(cuò)位移至校驗(yàn)碼最高位，變反糾錯(cuò)。,滿足三個(gè)條件,,不同出錯(cuò)位對(duì)應(yīng)不同余數(shù)。,余數(shù)循環(huán)。,可查表獲得生成多項(xiàng)式,出錯(cuò)，余數(shù)不為0。,

總結(jié)

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