文獻(xiàn)調(diào)研實(shí)踐

基于老師給的文獻(xiàn)做系統(tǒng)全面的調(diào)研。

全面系統(tǒng)的檢索"memristor"

Wikipedia檢索階段：為了了解概念，我們先在Wikipedia中搜索"memristors"，粗略地了解憶阻器的發(fā)展。得到如下信息: 最早提出這個(gè)概念的是Leon Chua(1971, IEEE)，之后他又與合作者提出了"memristor system"(1976, IEEE)；開(kāi)啟憶阻器在21世紀(jì)的研究、并推動(dòng)憶阻器研究高潮的是HP Labs的研究人員發(fā)表的文章(2008, Nature)。除此之外，我們還可以關(guān)注一下詞條里提到的文章(早期)，這一般會(huì)涉及到memristors發(fā)展的節(jié)點(diǎn)，可以使我們?cè)诤罄m(xù)查找早期文獻(xiàn)時(shí)不用每篇都關(guān)注(這么說(shuō)是因?yàn)椴檎以缙谖墨I(xiàn)靠的是EV平臺(tái)，因?yàn)閃OS核心集從1991年才開(kāi)始收錄，然而EV平臺(tái)沒(méi)有被引次數(shù)排序功能，使得我們不能在限制的早期時(shí)間段里通過(guò)被引次數(shù)排序確定熱點(diǎn)文章)。我們了解到，在早期文章中，除了Leon Chua在的文章外，還有一些文章。通過(guò)Wikipedia詞條下的References，我們可以鏈接到以上提到的文獻(xiàn)。當(dāng)然，這不能作為我們獲取文獻(xiàn)的主要方式。

數(shù)據(jù)庫(kù)檢索階段：

我們?cè)谖墨I(xiàn)檢索時(shí)，在時(shí)間上注意兩個(gè)階段的文獻(xiàn)，一個(gè)是最早期的文獻(xiàn)，一般是這個(gè)概念的開(kāi)山之作；另一個(gè)是最近的文獻(xiàn)，能夠反映概念發(fā)展的前沿動(dòng)態(tài)。

• 早期文獻(xiàn)：通過(guò)閱讀一個(gè)領(lǐng)域最早的文獻(xiàn)，我們能夠?qū)W習(xí)如何聯(lián)想、如何提出新的概念、如何進(jìn)行創(chuàng)新；另外，先看這些文獻(xiàn)能夠形成一些自己的想法，這樣看后續(xù)文獻(xiàn)的時(shí)候可以和自己的想法對(duì)比，學(xué)習(xí)如何尋找突破點(diǎn)。

  • 對(duì)于memristor，我們?cè)赪ikipedia檢索階段得知其概念最早由Leon Chua提出(1971，IEEE)，所以在IEEE Xplore中搜索memristor，限制時(shí)間在1971-1980，按照Most Cited(Paper)排序，發(fā)現(xiàn)前兩篇的被引都相當(dāng)高，所以?xún)善急４嫦聛?lái)。

  • 然而memristor的發(fā)展有個(gè)特點(diǎn)，雖然Leon Chua早在1971年就提出了memristor的數(shù)學(xué)模型，但是研究的高潮的到來(lái)是始于2008年惠普實(shí)驗(yàn)室的研究者在nature上發(fā)表的文章，所以我們還要關(guān)注以下這篇文章，由于是在nature并且是2008，所以在WOS的收錄范圍，我們從WOS上下載。

• 近期文獻(xiàn)：檢索最近1~2年的文獻(xiàn)，按照被引次數(shù)排序，選取最高的幾篇，可以了解到這個(gè)概念最前沿的研究重點(diǎn)，然而這種方法找出的文獻(xiàn)可能僅僅集中于某個(gè)研究點(diǎn)(例如集中于用memristor搭建AI的硬件平臺(tái))，所以在被引次數(shù)排序中也要最先出現(xiàn)的其他概念的研究點(diǎn)(比如memristor的材料特性)。除此之外，WOS的篩選系統(tǒng)可以篩選文獻(xiàn)類(lèi)型，我們可以篩選出Review的文獻(xiàn)類(lèi)型，由于memristor是發(fā)展較快的一個(gè)概念，因此綜述文章的時(shí)效性非常重要，我們限制時(shí)間在最近兩年，按照被引次數(shù)排序，選擇其中最高的幾篇綜述，同樣地，為了防止綜述只局限在一個(gè)研究熱點(diǎn)(比如神經(jīng)形態(tài)計(jì)算)，不能只關(guān)注排序，也要關(guān)注memristor下的不同的概念。當(dāng)然，如果有介紹memristor各個(gè)方面的綜述更好。

  • 在WOS平臺(tái)上，對(duì)memristor下的檢索結(jié)果創(chuàng)建引文報(bào)告，限制時(shí)間范圍在2019-2021，文獻(xiàn)類(lèi)型不限，按照被引頻次排序，得到如下結(jié)果：
    

    分析以上結(jié)果，我們可以注意到，研究點(diǎn)有的側(cè)重于實(shí)現(xiàn)人工智能平臺(tái)，有的則側(cè)重于制備和實(shí)現(xiàn)(有關(guān)研究點(diǎn)的問(wèn)題最后再討論)。

    上面我們搜索的時(shí)間是在2019-2021，被引頻次最高的幾篇都發(fā)表在2019，得益于時(shí)間更早的優(yōu)勢(shì)，這會(huì)覆蓋離我們更近的2020，所以再限制時(shí)間范圍在2020-2021，文獻(xiàn)類(lèi)型不限，按照被引頻次排序，得到如下結(jié)果：

    最近兩年的熱點(diǎn)文章都需要關(guān)注，將以上的7篇下載下來(lái)(數(shù)目沒(méi)有定論，可能還有其他不太熱門(mén)但是有希望的研究點(diǎn)的文獻(xiàn)沒(méi)有關(guān)注，涉及具體方面的檢索在最后討論)。

  • 我們進(jìn)一步檢索綜述類(lèi)文章，用WOS的篩選功能限制文獻(xiàn)類(lèi)型為review，在引文報(bào)告中限制時(shí)間為2019-2021，按照被引頻次排序：
    

    三篇綜述分別側(cè)重于：應(yīng)用于AI，材料特性(鈣鈦礦)，物理應(yīng)用(韋恩橋振蕩器)。

    再限制范圍到2020-2021，按照被引頻次排序：
    

    注意到第一篇并不是與memristor直接相關(guān)的，是討論神經(jīng)形態(tài)自旋電子設(shè)備，憶阻器只是其中的一個(gè)關(guān)鍵詞，所以相關(guān)性并不是太強(qiáng)，所以我們聚焦了后面三篇：用于邊緣計(jì)算(AI領(lǐng)域)，物理特性，基于特定材料(石墨烯)實(shí)現(xiàn)。

深入檢索階段：我們之前的檢索在按照被引頻次排序之后只選取了前3-4篇，這其實(shí)只能反映memristor這個(gè)宏大概念下的最熱門(mén)文章，事實(shí)上，這個(gè)概念下有很多研究方向，比如應(yīng)用于AI，材料上的實(shí)現(xiàn)等等，我們未來(lái)的研究也是在更加精細(xì)的一個(gè)子領(lǐng)域，所以，要確定與memristor相關(guān)的其他概念，這時(shí)我們就要用到Engineering Village平臺(tái)，由于拓展了Inspec Analytics，可以分析與memristor相關(guān)的controlled vocabulary，如下圖所示：
我們可以在其中的具體方向進(jìn)行進(jìn)一步的檢索。由于目前只涉及到檢索的初級(jí)階段，而且很多基礎(chǔ)知識(shí)都還沒(méi)學(xué)習(xí)，所以就不再進(jìn)行進(jìn)一步的檢索了。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的文献检索实践的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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