據(jù)中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司(中國(guó)電科)官方消息，近日，該公司46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。

氧化鎵是新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料，擁有優(yōu)異的物理化學(xué)特性，在微電子與光電子領(lǐng)域均擁有廣闊的應(yīng)用前景。

不過(guò)，氧化鎵具有高熔點(diǎn)、高溫分解、易開裂等特性，因此，大尺寸氧化鎵單晶的制備極為困難。

中國(guó)電科46所氧化鎵團(tuán)隊(duì)聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場(chǎng)設(shè)計(jì)出發(fā)，成功構(gòu)建了適用于6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。

這一成果突破了6英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制，將有力支撐我國(guó)氧化鎵材料實(shí)用化進(jìn)程和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

近年來(lái)，中國(guó)電科在氧化鎵、氮化鋁、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重大突破和標(biāo)志性成果，有力支撐了我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料的發(fā)展。

總結(jié)

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