mos實(shí)現(xiàn)管高頻與高增益為何相互矛盾？

高頻率：

MOSFET的fT就是輸出電流隨著頻率的升高而下降到等于輸入電流時(shí)的頻率。器件的跨導(dǎo)gm越大，輸出的電流就越大，則輸出電流隨頻率的下降也就越慢，從而截止頻率就越大，即fT與gm有正比關(guān)系。

由于fT與gm的正比關(guān)系，就使得fT與飽和電壓（VGS-VT）也有正比關(guān)系，從而高頻率就要求較大的飽和電壓，同時(shí)越小的溝道長度越有利于實(shí)現(xiàn)高頻，從另一個(gè)角度來看，在大電流時(shí)，電子都是以飽和速度運(yùn)動(dòng)，因此溝道長度越小，速度越快。

高增益：

因?yàn)镸OSFET的電壓增益是在源-漏電流一定的情況下、輸出電壓VDS對柵-源電壓VGS的微分，則飽和狀態(tài)的電壓增益Avsat將要求器件具有較小的飽和電壓（VGS-VT）：

這是由于在IDsat一定時(shí)，飽和電壓越低，飽和跨導(dǎo)就越大，故Avsat也就越大.

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的模拟集成电路学习的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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