mos實現管高頻與高增益為何相互矛盾？

高頻率：

MOSFET的fT就是輸出電流隨著頻率的升高而下降到等于輸入電流時的頻率。器件的跨導gm越大，輸出的電流就越大，則輸出電流隨頻率的下降也就越慢，從而截止頻率就越大，即fT與gm有正比關系。

由于fT與gm的正比關系，就使得fT與飽和電壓（VGS-VT）也有正比關系，從而高頻率就要求較大的飽和電壓，同時越小的溝道長度越有利于實現高頻，從另一個角度來看，在大電流時，電子都是以飽和速度運動，因此溝道長度越小，速度越快。

高增益：

因為MOSFET的電壓增益是在源-漏電流一定的情況下、輸出電壓VDS對柵-源電壓VGS的微分，則飽和狀態(tài)的電壓增益Avsat將要求器件具有較小的飽和電壓（VGS-VT）：

這是由于在IDsat一定時，飽和電壓越低，飽和跨導就越大，故Avsat也就越大.

總結

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