HBM显存
HBM(High Bandwidth Memory高帶寬內(nèi)存)顯存
GDDR
GDDR顯存是用于顯卡的高速DDR顆粒,有專屬的工作頻率、時鐘頻率、電壓。擁有更高的時鐘頻率,發(fā)熱量更小。針對顯卡設(shè)計的高性能DRAM有兩個主要特點,一是高密度尋址能力,也就是顆粒的容量要高,以滿足顯卡對內(nèi)存容量的要求和顯卡設(shè)計的要求;二是性能,顯存必須能提供高速傳輸。
HBM是顯存類型的一種
和其他種類的顯存一樣,HBM的作用就是將使用的每一幀,每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中,等待GPU調(diào)用,簡而言之,就是保存你的顯示芯片處理器圖像所需要的信息。
HBM就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起,實現(xiàn)大容量,高位寬的DDR組合陣列
HBM具備先天的技術(shù)優(yōu)勢,輕松解決傳統(tǒng)顯存的問題和瓶頸
傳統(tǒng)顯存的問題和技術(shù)瓶頸
GDDR5/GDDR6和它的前身一樣都需要將DRAM(顯存)芯片直接附在PCB 板上,圍繞顯示芯片周圍。如果你需要更多的顯存和更快速度的話,你就需要放置更多的顯存芯片。再加上電路板上連接他們的數(shù)據(jù)和供電線路,不僅占用了很多的板上空間,也增加了制造難度和成本。
也造成傳統(tǒng)顯存無法滿足GPU高位寬需求,原因是PCB板空間總是有限的,無法堆太多的顯存模塊。
HBM先天的技術(shù)優(yōu)勢,輕松解決以上問題
雖然HBM和以前的顯存技術(shù)都有著相同的功能,但HBM在顯卡上的工作原理是完全不同的。
1)VRAM現(xiàn)在直接與顯示芯片相連,這意味著HBM不會占用除了GPU封裝大小之外額外的空間。
2)HBM使用能夠堆疊的3D RAM晶片,而通信使用相互連接的微型“通過硅片通道”(TSV),叫這個名字是因為TSV實際上同時穿過了全部的堆疊層。因此這些芯片能夠有更寬的位寬,加上堆疊效果,能夠讓這么小的堆達到驚人的256GBps的速度。這意味著有著4堆HBM的顯卡,能夠達到每秒整整1TB的吞吐量。
優(yōu)點和缺點
優(yōu)點:有效減小PCB板的面積,位寬更高
缺點:
1.GPU產(chǎn)生的熱量和顯存產(chǎn)生的熱量會相互影響,導(dǎo)致散熱更加困難,需要大型散熱器。HBM穩(wěn)定工作溫度50度。
2.由于GPU和顯存高度集成,基本上與非公版無緣了。
3.只有SK海力士在生產(chǎn)HBM顯存,容易出現(xiàn)因為產(chǎn)能不足導(dǎo)致的惡性循環(huán)。
性能比較
| GDDR5 | 28GB/s | 32bit | ||||
| 第一代HBM | 2GB | 128GB/s | 1024bit | GDDR5的3倍 | 比GDDR5少94% | |
| 第二代HBM | 8GB | 256GB/s | 48GB | |||
| 第三代HBM | 512GB/s | 64GB |
第二代HBM每個堆棧能容納最多8個Die,一顆GPU核心搭配四個HBM2堆棧,那么顯存容量將最高可達32GB,帶寬可達1TB.
雖然HBM顯存性能恐怖,但是由于產(chǎn)能問題使用HBM顯存的產(chǎn)品僅限于高端顯卡,其他使用GDDR5X和GDDR6.
總結(jié)
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