HBM(High Bandwidth Memory高帶寬內(nèi)存)顯存

GDDR

GDDR顯存是用于顯卡的高速DDR顆粒，有專屬的工作頻率、時鐘頻率、電壓。擁有更高的時鐘頻率，發(fā)熱量更小。針對顯卡設(shè)計的高性能DRAM有兩個主要特點，一是高密度尋址能力，也就是顆粒的容量要高，以滿足顯卡對內(nèi)存容量的要求和顯卡設(shè)計的要求；二是性能，顯存必須能提供高速傳輸。

HBM是顯存類型的一種

和其他種類的顯存一樣，HBM的作用就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中，等待GPU調(diào)用，簡而言之，就是保存你的顯示芯片處理器圖像所需要的信息。
HBM就是將很多個DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列

HBM具備先天的技術(shù)優(yōu)勢，輕松解決傳統(tǒng)顯存的問題和瓶頸

傳統(tǒng)顯存的問題和技術(shù)瓶頸

GDDR5/GDDR6和它的前身一樣都需要將DRAM(顯存)芯片直接附在PCB 板上，圍繞顯示芯片周圍。如果你需要更多的顯存和更快速度的話，你就需要放置更多的顯存芯片。再加上電路板上連接他們的數(shù)據(jù)和供電線路，不僅占用了很多的板上空間，也增加了制造難度和成本。
也造成傳統(tǒng)顯存無法滿足GPU高位寬需求，原因是PCB板空間總是有限的，無法堆太多的顯存模塊。

HBM先天的技術(shù)優(yōu)勢，輕松解決以上問題

雖然HBM和以前的顯存技術(shù)都有著相同的功能，但HBM在顯卡上的工作原理是完全不同的。

1）VRAM現(xiàn)在直接與顯示芯片相連，這意味著HBM不會占用除了GPU封裝大小之外額外的空間。
2）HBM使用能夠堆疊的3D RAM晶片，而通信使用相互連接的微型“通過硅片通道”(TSV),叫這個名字是因為TSV實際上同時穿過了全部的堆疊層。因此這些芯片能夠有更寬的位寬，加上堆疊效果，能夠讓這么小的堆達到驚人的256GBps的速度。這意味著有著4堆HBM的顯卡，能夠達到每秒整整1TB的吞吐量。

優(yōu)點和缺點

優(yōu)點：有效減小PCB板的面積，位寬更高
缺點：
1.GPU產(chǎn)生的熱量和顯存產(chǎn)生的熱量會相互影響，導(dǎo)致散熱更加困難，需要大型散熱器。HBM穩(wěn)定工作溫度50度。
2.由于GPU和顯存高度集成，基本上與非公版無緣了。
3.只有SK海力士在生產(chǎn)HBM顯存，容易出現(xiàn)因為產(chǎn)能不足導(dǎo)致的惡性循環(huán)。

性能比較

顯存每個Die容量帶寬總線位寬效率PCB面積顯存容量

GDDR5		28GB/s	32bit
第一代HBM	2GB	128GB/s	1024bit	GDDR5的3倍	比GDDR5少94%
第二代HBM	8GB	256GB/s				48GB
第三代HBM		512GB/s				64GB

第二代HBM每個堆棧能容納最多8個Die，一顆GPU核心搭配四個HBM2堆棧，那么顯存容量將最高可達32GB,帶寬可達1TB.

雖然HBM顯存性能恐怖，但是由于產(chǎn)能問題使用HBM顯存的產(chǎn)品僅限于高端顯卡，其他使用GDDR5X和GDDR6.

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的HBM显存的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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