BC66F3652研发笔记
BC66F3652研發(fā)筆記
- 一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
- 1. 產(chǎn)品主要參數(shù)
- 2. 芯片周邊特性
- MCU特性
- RF收發(fā)器特性
- 3. 芯片結(jié)構(gòu)
- 4. 單點(diǎn)喚醒詳解
- 5. 多功能IO口介紹
- 6. PLL外部電感
- 二、各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置
- 1. 存儲(chǔ)器介紹
- 2. 輸出功率設(shè)置
- 3. 頻率設(shè)置
- 4. 數(shù)據(jù)速率設(shè)置
- 5. 頻率偏移設(shè)置
- 6. 數(shù)據(jù)包格式設(shè)置
- 7. 晶振負(fù)載C~L~設(shè)置
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
- E330-915T13S是基于BC66F3652的一款小體積、低功耗、低成本的超高性價(jià)比FSK串口模塊，收發(fā)一體，覆蓋900.125 MHz ~ 932.125 MHz頻段。
- 模塊支持透?jìng)鳌⒍c(diǎn)傳輸模式，支持LDC單點(diǎn)喚醒，軟件多級(jí)空速可調(diào)，多級(jí)功率可調(diào)，可適用多種無(wú)線傳輸應(yīng)用，同時(shí)模塊簡(jiǎn)單易用，無(wú)需復(fù)雜配置即可快速上手，做到真正的即拿即用。
- 官方數(shù)據(jù)手冊(cè)下載：BC66F3652數(shù)據(jù)手冊(cè)
- 官方數(shù)據(jù)手冊(cè)下載：BC3602數(shù)據(jù)手冊(cè)
1. 產(chǎn)品主要參數(shù)
| 供電范圍 | 3 V | 3.3 / 5 V | 5 V |
| 頻段范圍 | 900.125MHz | 915.125MHz | 932.125MHz |
| 發(fā)射功率 | 4 dBm | 13 dBm | 13 dBm |
| 空中速率 | 2K | 2K | 25K |
| 波特率 | 1.2K | 9.6K | 38.4K |
| 封包長(zhǎng)度 | - | 58字節(jié) | - |
| 發(fā)射電流 | - | 30 mA | - |
| 接收電流 | - | 7mA | - |
| WOR電流 | - | 7 μA | - |
| 休眠電流 | - | 2 μA | - |
| 最大距離 | - | 1.2 KM | - |
2. 芯片周邊特性
MCU特性
● 系統(tǒng)時(shí)鐘：
? Fsys = 8MHz ： 1.9V~3.6V
? Fsys = 12MHz：2.7V~3.6V
? Fsys = 16MHz：3.3V~3.6V
● Flash 程序存儲(chǔ)器：8K×16
● 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器：512×8
● True EEPROM 存儲(chǔ)器：128×8
● 看門狗定時(shí)器功能
● 支持在線應(yīng)用編程 – IAP
● 22 個(gè)雙向 I/O 口
● 兩個(gè)與 I/O 口共用的外部中斷引腳
● 可編程 I/O 口源電流可用于LED 驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
● 多個(gè)定時(shí)器模塊用于時(shí)間測(cè)量、比較匹配輸出、PWM 輸出及單脈沖輸出
● 串行接口模塊 – SIM，用于 SPI 或 I2C 通信
● 全雙工通用異步收發(fā)器接口 – UART
● 軟件控制 18 個(gè) SCOM/SSEG 口和 4 個(gè) SSEG 口的 1/3bias LCD 驅(qū)動(dòng)
● 帶可編程內(nèi)部參考電壓 VR 的 12 個(gè)外部通道 12-bit 分辨率 A/D 轉(zhuǎn)換器
● 一個(gè)比較器功能
● 雙時(shí)基功能用以產(chǎn)生固定的時(shí)間中斷信號(hào)
● 低電壓復(fù)位功能
● 低電壓檢測(cè)功能
● 封裝類型：46-pin QFN
RF收發(fā)器特性
● 頻率帶寬：315/433/470/868/915MHz
● FSK/GFSK 調(diào)制
● 支持 3 線或 4 線 SPI 接口
● 輸入電壓范圍寬：1.9V~3.6V
● 可編程數(shù)據(jù)速率：2Kbps~250Kbps
● 可編程 TX 輸出功率：高達(dá) 13dBm
● 低電流損耗
? Deep Sleep 模式電流 0.4μA，支持?jǐn)?shù)據(jù)保存
? RX 電流損耗 ( AGC 開啟 & 低數(shù)據(jù)速率 ) @ 868.3MHz：5.5mA
? TX 電流損耗 @ 868.3 MHz： 24mA @ 10dBm POUT
● RX高靈敏度-118dBm @ 2Kbps 無(wú)線數(shù)據(jù)速率 (868.3MHz)
● 片上 VCO 以及帶內(nèi)置回路濾波器的小數(shù) N 分頻合成器
● 支持低成本 16MHz 晶振，內(nèi)置負(fù)載電容
● 可編程數(shù)字通道濾波器，實(shí)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)速率條件下較佳性能
● AGC ( 自動(dòng)增益控制 ) 功能實(shí)現(xiàn)寬輸入范圍，高達(dá) +10dBm
● AFC ( 自動(dòng)頻率補(bǔ)償 ) 功能用于補(bǔ)償晶振老化造成的頻漂
● 片上低功率 RC 振蕩器用于 WOR ( 從 RX 喚醒 ) 和 WOT ( 從TX 喚醒 ) 功能
● 物理 TX/RX FIFO 緩沖器：TX 64 字節(jié)，RX 64 字節(jié)
● Simple FIFO/Block FIFO/Extend FIFO ( 高達(dá) 255 字節(jié) )/Infinite FIFO 模式
● 可編程載波檢測(cè)閾值
● FIFO 模式和Direct 模式支持幀同步識(shí)別
● 數(shù)據(jù)包處理
● ATR ( 自動(dòng)發(fā)送 / 接收 )
● 數(shù)據(jù)包過(guò)濾
3. 芯片結(jié)構(gòu)
- BC66F3652是一塊CHIP IC，內(nèi)部由HT66F3185和BC3602組成，其IC內(nèi)部綁線如圖所示：
- 由上圖可見，PA1 與 IRQ 也已經(jīng)連接，故 PA1 需要設(shè)置為中斷輸入上拉。
4. 單點(diǎn)喚醒詳解
-
E330-915T13S采用的數(shù)據(jù)封包為：
前導(dǎo)碼 Preamble（1）+ 同步字 SYNC （4） + 動(dòng)態(tài)長(zhǎng)度 PLEN（1）+ 數(shù)據(jù) DATA（64）
-
較其他傳統(tǒng)模塊不同，E330-915T13S模塊使用了比較特殊的WOR喚醒方式：
傳統(tǒng)模塊在WOR模式下會(huì)一直發(fā)射前導(dǎo)碼，持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，如此做法會(huì)導(dǎo)致在一定范圍內(nèi)所有的接收模塊會(huì)全部被喚醒，整個(gè)系統(tǒng)間的功耗會(huì)比較高。
-
E330-915T13S的單點(diǎn)喚醒則不同（硬件WOR）：
其采用短前導(dǎo)碼（1）+ 同步字（4）+ 0x00 的格式（空封包），其中 同步字（4）= 短前導(dǎo)碼（2）+ 模塊地址（2）
當(dāng)接收到同步字不同時(shí)（即模塊地址不同），接收方會(huì)立即進(jìn)入IDEL模式不再接收后續(xù)的DATA，從而達(dá)到省電的效果。
5. 多功能IO口介紹
- BC3602 上搭載了2個(gè)多功能IO口，可以配置位于公共區(qū)控制寄存器的 IO2 以得到所需的功能：
例如：
- Bit 7~4 GIO4S[3:0]：GIO4 引腳功能選擇 ( 僅通過(guò) POR 復(fù)位 )
- Bit 3~0 GIO3S[3:0]：GIO3 引腳功能選擇 ( 僅通過(guò) POR 復(fù)位 )
6. PLL外部電感
- BC3602 鎖相環(huán)的電感并未集成到IC內(nèi)部，而是采用了外部電感的方式，所以客戶在硬件設(shè)計(jì)時(shí)需要去自行將外部電感調(diào)整到合適的電感值：
- PLL的外部電感 在 BC66F3652 的 EXTLN 和 EXTLP 之間（即 PIN11 ~ PIN12 之間），如下所示。
- 除此之外，官方還隱藏了許多寄存器，下圖的 VCO Control Register 2寄存器 位于BANK 2的 2CH。
| VC2 | 2CH | RW | DFCSF | VCO_DFC [4:0] | DFC_OW | |
| Reset | 0 | 0 | 1 0 0 0 0 | 0 |
- DFC_OW：
0: VCO_DFC set by channel selection.
（0：通過(guò)通道選擇設(shè)置VCO_DFC）
1: overwrite VCO_DFC by TWIF.
（1：用TWIF覆蓋VCO_DFC） - VCO_DFC [4:0]: VCO DFC curve trim value.
(VCO DFC曲線微調(diào)值)
二、各項(xiàng)參數(shù)設(shè)置
1. 存儲(chǔ)器介紹
- 公用區(qū)：包含 32 字節(jié)空間。無(wú)論存儲(chǔ)區(qū)指針為何值，訪問(wèn)地址 00h~1Fh 都意
味著訪問(wèn)公用區(qū)。 - Bank 0~2：每個(gè) Bank 包含 32 字節(jié)空間。通過(guò)存儲(chǔ)區(qū)指針選擇 Bank。
存儲(chǔ)區(qū)指針，即 BANK[1:0]，定義在公用區(qū)，可通過(guò)設(shè)置寄存器存儲(chǔ)區(qū)命令直
接設(shè)置，且可通過(guò)控制寄存器命令進(jìn)行讀 / 寫。
2. 輸出功率設(shè)置
- TX2 寄存器位于 BANK 0 的 3FH
- CT_PAD[3:0]：
輸出功率等級(jí)，設(shè)置為 0x0F 則輸出最大功率（13 dBm）
3. 頻率設(shè)置
- OM 寄存器位于 BANK 0 的 20H
- 設(shè)置頻段范圍：
BAND_SEL[6:5]：
00：315MHz 頻段
01：433MHz 頻段
10：470~510MHz 頻段
11：868/915MHz 頻段 - 設(shè)置完頻段范圍后，還需要調(diào)整PLL的外部電感值
- 不同的 PCB 需要根據(jù) VCO_DFC 值來(lái)判斷是外部電感值是否合理
- 不同的元器件電感值也會(huì)存在差異
- 參考外部電感值：
315MHz 頻段：33nH
433MHz 頻段：15nH
470~510MHz頻段：13nH
868/915MHz 頻段：2.0nH
Note：VCO_DFC 應(yīng)盡量使靠近中間，避免 VCO_DFC 受 溫度 或者 頻率范圍過(guò)大 導(dǎo)致無(wú)法鎖住特定頻率。
- 設(shè)置頻率：
- SX1、SX2、SX3、SX4位于 BANK 0 的 22H ~25H
- 頻率由SX1、SX2、SX3、SX4四個(gè)寄存器共同來(lái)控制
- 頻率計(jì)算公式：
D_N[6:0] = floor { fRF / [ fXTAL / ( XODIV2 + 1) ] }
其中fXTAL = 16 MHz（外部晶振頻率），fRF為設(shè)定頻率
D_K[19:0]=floor { ( fRF / [ fXTAL / (XODIV2 + 1) ] - D_N[6:0]) × 220}
4. 數(shù)據(jù)速率設(shè)置
- 數(shù)據(jù)速率設(shè)置：
- MOD1 、MOD2 位于Common BANK 的 14H 和 15H
- 速率由 MOD1、MOD2 兩個(gè)寄存器控制
- 計(jì)算公式：
- RXIFOS[11:0] = floor { fIF / [ fXTAL / ( XODIV2 + 1 ) ] × 217 }，XODIV2 = 0
其中 fIF = 數(shù)據(jù)速率；fXTAL= 16 MHz （外部晶振） - 數(shù)據(jù)速率 = fXTAL/ [(XODIV2+1)×32×(DTR[8:0] +1)]，
→DTR[8:0] = ( fXTAL / 數(shù)據(jù)速率 -1 ) / 32
數(shù)據(jù)速率 MOD2 & MOD1的參考設(shè)定值:
| 2K | 8K | 60 F9 H |
| 5K | 20K | 60 63 H |
| 10K | 40K | 60 31 H |
| 25K | 50K | 60 13 H |
| 50K | 18.75K | 60 09 H |
| 125K | 46.875K | 90 03 H |
| 250K | 93.75K | 90 01 H |
5. 頻率偏移設(shè)置
- 頻率偏移設(shè)置：
頻率偏移由FCF2、FCF3兩個(gè)寄存器控制
- 計(jì)算公式：
- FSCALE[11:0] = round { h × fS / [ fXTAL / ( XODIV2 + 1 ) ] × 215 }，
且 h = ( 2 × 頻率偏移 ) / ( 數(shù)據(jù)速率 )；
→ FSCALE[11:0] = round { h × 2 / [ fXTAL / ( XODIV2 + 1 ) ] × 215 }， - 其中 fs = 數(shù)據(jù)速率；fXTAL = 16 MHz （外部晶振）
- FSCALE[11:0] = round { h × fS / [ fXTAL / ( XODIV2 + 1 ) ] × 215 }，
頻率偏移 FCF3 & FCF2 的參考設(shè)定值：
| 2K | 8K | 00 21 H |
| 5K | 20K | 00 52 H |
| 10K | 40K | 00 A4 H |
| 25K | 50K | 00 CD H |
| 50K | 18.75K | 00 4D H |
| 125K | 46.875K | 01 19 H |
| 250K | 93.75K | 02 94 H |
6. 數(shù)據(jù)包格式設(shè)置
-
數(shù)據(jù)包格式由 PKT1 ~ PKT9 控制
-
PKT1 ~ PKT9 位于 Common BANK 的 0B H ~ 13 H
-
TXPMLEN[7:0]：TX 前導(dǎo)碼長(zhǎng)度
發(fā)送前導(dǎo)碼長(zhǎng)度 = (TXPMLEN[7:0]+1) 字節(jié) -
RXPMLEN[1:0]：RX 前導(dǎo)碼檢測(cè)長(zhǎng)度選擇
00：0 字節(jié) – 無(wú)前導(dǎo)碼檢測(cè)
01：1 字節(jié)
10：2 字節(jié)
11：4 字節(jié) -
SYNCLEN[1:0]：TX/RX 模式同步碼長(zhǎng)度選擇
00：保留 ( 2 字節(jié) )
01：4 字節(jié)
10：6 字節(jié)
11：8 字節(jié) -
TRAILER_EN：連接碼字段使能（復(fù)位默認(rèn)使能）
0：除能
1：使能 -
PLH_EN：有效載荷頭碼域使能
0：除能
1：使能 -
PLLEN_EN：有效載荷長(zhǎng)度域使能（動(dòng)態(tài)長(zhǎng)度）
0：除能
1：使能 -
CRC_EN：CRC 域使能
0：除能
1：使能 -
TXDLEN[7:0]：
TX 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 ( 單位：字節(jié)；僅用于 Burst 模式 ) -
RXDLEN[7:0]：RX 數(shù)據(jù)長(zhǎng)度 ( 單位：字節(jié)；僅用于 Burst 模式 )
當(dāng) PLLEN_EN 位清零時(shí)，接收的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度取決于此字段。
當(dāng)此寄存器被讀取時(shí)，所讀出的數(shù)值表示 RX FIFO 中的數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。
此寄存器被讀取出的默認(rèn)值是 00 H。
7. 晶振負(fù)載CL設(shè)置
- XO1位于 BANK0 的 3EH
- XO_TRIM[4:0]：XO 負(fù)載電容微調(diào)
總結(jié)
以上是生活随笔為你收集整理的BC66F3652研发笔记的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。
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