oracle 中dummy,layout设计中dummy的作用详解（上图。好贴好贴,讲的很仔细）
嗯，老王賣(mài)瓜，自賣(mài)自夸。進(jìn)入正題！
DUMMY的用途大概有一下幾種：
1. 保證可制造性，防止芯片在制造過(guò)程中由于曝光過(guò)渡或不足而導(dǎo)致的蝕刻失敗：如在tapeout的時(shí)候會(huì)檢查芯片的density，插入dummy metal、dummy poly、dummy diff等；
2. 避免由于光刻過(guò)程中光的反射與衍射而影響到關(guān)鍵元器件物理圖形的精度進(jìn)又而影響其size：如在模擬電路的電阻、電容陣列外圍加上dummy res和dummy cap等，以及關(guān)鍵MOS附近加dummy MOS等；
3. 避免芯片中的noise對(duì)關(guān)鍵信號(hào)的影響，在關(guān)鍵信號(hào)的周?chē)由蟙ummy routing layer后者dummy元器件：如對(duì)于某些易受干擾的信號(hào)線除了盡量減小其走線長(zhǎng)度外，還應(yīng)該在其走線的左右和上下都加上dummy metal/poly并接地，保證其不受noise的影響。在cap外圍加dummy cap也有類似的作用；
CMOS 器件版圖 DUMMY 圖形
IC版圖除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗(yàn)證正確外，還要增加一些與LVS(電路匹配)無(wú)關(guān)的圖形，以減小中間過(guò)程中的偏差，我們通常稱這些圖形為dummy layer。有些dummy layer 是為了防止刻蝕時(shí)出現(xiàn)刻蝕不足或刻蝕過(guò)度而增加的，比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些則是考慮到光的反射與衍射，關(guān)鍵圖形四周情況大致相當(dāng)，避免因曝光而影響到關(guān)鍵圖形的尺寸。下面列舉了幾個(gè)例子，其中還夾雜一些其他內(nèi)容：
1. MOS dummy
在MOS 兩側(cè)增加dummy poly，避免Length受到影響。對(duì)NMOS先加P type guard ring 連接VSS，接著加N type guard ring 連接VDD。對(duì)PMOS先加N type 連接VDD，接著加P type連接VSS。拆分MOS應(yīng)為偶數(shù)根，Source端與四周guar ring就近連接。比如拆分NMOS為偶數(shù)根, 連接VSS的端在外側(cè)并直接與四周guard ring相連。
2. RES dummy
類似于MOS dummy方法增加dummy, 有時(shí)會(huì)在四周都加上。在poly/diff 電阻下面增加nwell 減輕noise 對(duì)電阻的影響，nwell連接高電位與sub反偏。Nwell電阻四周加sub cont 連接VSS。Nwell電阻為了降低光照使電阻阻值下降的影響，在上面覆蓋metal并連接高電位。其次為給nwell電阻足夠的margin 通常nwell寬度5-6um。
3. CAP dummy
增加dummy方法類似，用Nwell阻擋相自于substrate的noise，Nwell接高電位與sub 反偏。
4. 關(guān)鍵走線與左右或上下走線的屏蔽采用相同層或中間層連接VSS來(lái)處理。
總結(jié)
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