先介紹板答題存儲器：據(jù)寫入特性，可粗略地將半導(dǎo)體存儲器劃分為隨機(jī)存取存儲器(RAM，Random-Access Memory)和只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)兩類。更進(jìn)一步則可以細(xì)分為Flash，ROM，SRAM，EPROM，EEPROM和DRAM等存儲器類型特征

FLASH低價(jià)格，高密度，高速體系結(jié)構(gòu)，低功耗，高可靠性

ROM(Read-Only Memory)成熟，高密度，可靠，底價(jià)格，需要耗時(shí)的掩模，適合具有固定代碼的大量產(chǎn)品

SRAM(Static Random-Access Memory)速度最快，高功耗，低密度，價(jià)格較高

EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)高密度，必須暴露在紫外線才能檫除

EEPROM or E2(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)可電字節(jié)檫除，低可靠性，高價(jià)格，密度最低

DRAM(Dynamic Random Access Memory)低價(jià)格，高密度，高速，高功耗

1.RAM：RAM是最常用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲器。RAM被認(rèn)為是“隨機(jī)存取存儲器(random access memory)”，因?yàn)槿绻阒廊魏我粋€(gè)存儲單元對應(yīng)行和列，你就能直接存取(訪問)它。

工作原理：似于微處理器，存儲芯片是一個(gè)集成電路(IC，integrated circuit)，由數(shù)以百萬記的晶體管和電容構(gòu)成。大多數(shù)計(jì)算機(jī)內(nèi)存是動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器(DRAM，dynamic random access memory)，一個(gè)晶體管和一個(gè)電容搭配起來形成一個(gè)存儲單元(memory cell)，它可以存儲一個(gè)比特的數(shù)據(jù)。電容保持這個(gè)信息比特是0還是1，晶體管則像一個(gè)開關(guān)，使存儲芯片上的控制電路讀該電容或改變電容的狀態(tài)。

一個(gè)電容好象是一個(gè)能容納電子的小桶。對于存儲1的內(nèi)存單元，桶是裝滿了電子。對于存儲0的單元來說它是空的。對于電容這個(gè)“桶”來說，問題是它有泄漏。在很短時(shí)間內(nèi)裝滿的桶會變空。因此，要使動態(tài)內(nèi)存工作，無論是CPU還是存儲控制器都不得不對所有為1的電容在它們漏電前重新充電。為了完成這個(gè)任務(wù)，內(nèi)存控制器讀內(nèi)存后再寫回去。這個(gè)更新操作在一秒內(nèi)自動進(jìn)行幾千次。

2.ROM：只讀存儲器(ROM，Read-only memory ), 也被稱作固件(firmware),當(dāng)它被制造時(shí)就被做成以指定數(shù)據(jù)編程的集成電路。ROM芯片不僅用在計(jì)算機(jī)里，而且還用在大多數(shù)電子產(chǎn)品中。有五種基本ROM 類型:

1.ROM 2.PROM 3.EPROM 4.EEPROM 5.Flash memory

工作原理：類似隨機(jī)存取儲存器(RAM)，ROM芯片包含一個(gè)由行列構(gòu)成的柵格。但是ROM芯片在行列相交處，ROM同隨機(jī)存取儲存器芯片是根本不同的。隨機(jī)存取儲存器使用晶體管來接通或斷開對各交點(diǎn)處的電容的讀取。對于ROM，如果值為1的話，就用一個(gè)二極管連接這些線；如果值是0, 那麼這些線則不被連接。

一個(gè)二極管正常情況下只允許電流向一個(gè)方向流動，而且有一個(gè)門限值，就是所稱的正向轉(zhuǎn)折(forward breakover)，它決定了二極管的擊穿電流。在例如處理器和存儲器芯片這樣的硅基器件中，正向轉(zhuǎn)折電壓約為0.6伏。利用二極管的單向性，一個(gè)ROM 芯片能送一高于正向轉(zhuǎn)折電流的電荷到相應(yīng)的列而同時(shí)讓被選中行接地，以接通一個(gè)指定的單元。如果一個(gè)二極管在那個(gè)單元導(dǎo)通，電荷將被接地，那么，在二進(jìn)位的系統(tǒng)之下，該單元將會被讀作 "ON"(取值為1)。很巧妙的一點(diǎn)是，如果單元的值是0，那么在ROM 行列相交處就沒有二極管導(dǎo)通，因此列上的電荷就不會傳到行上。

ROM芯片的這種工作方式要求芯片被產(chǎn)生的時(shí)候，就得以正確完整的數(shù)據(jù)進(jìn)行編程。你不能夠重新編程或重寫一枚標(biāo)準(zhǔn)的 ROM 芯片。如果它是不正確的, 或數(shù)據(jù)需要被修改，只得丟棄它，再重新做一個(gè)。通常，為一枚 ROM 芯片創(chuàng)造最初的模板的過程是一個(gè)艱辛的過程，充滿了嘗試和錯(cuò)誤。但是ROM芯片的優(yōu)點(diǎn)卻勝過了它的缺點(diǎn)。一旦制成模板, 制作芯片時(shí)每個(gè)芯片就只花費(fèi)很少的時(shí)間。它們耗電量很小，又非常可靠，在極小的電子裝置中，包含有控制該裝置所必需的程序。答案補(bǔ)充

半導(dǎo)體集成電路是將晶體管，二極管等有源元件和電阻器，電容器等無源元件，按照一定的電路互聯(lián)，“集成”在一塊半導(dǎo)體單晶片上，完成特定的電路或者系統(tǒng)功能。

在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上至少有一個(gè)電路塊的半導(dǎo)體集成電路裝置，在所述半導(dǎo)體襯底上有：設(shè)置在所述電路塊邊緣的多個(gè)焊盤和從所述電路塊延伸至所述焊盤之間的多條布線；所述多個(gè)焊盤跟半導(dǎo)體集成電路裝置的外部引線連接，且所述多條布線是在所述半導(dǎo)體襯底的主面上設(shè)有另一電路塊時(shí)，用以跟來自該另一電路塊的布線連接的布線，做成具有能夠與來自該另一電路塊的布線連接的形狀。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的计算机原理eprom,eprom eeprom和flash储存器的工作原理及区别的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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