5月4日消息，英飛凌科技股份公司（后稱(chēng)“英飛凌”）5月3日官網(wǎng)發(fā)布消息，公司與中國(guó)碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“天科合達(dá)”）簽訂了一份長(zhǎng)期供貨協(xié)議，天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來(lái)長(zhǎng)期預(yù)測(cè)需求的兩位數(shù)份額。

公開(kāi)信息顯示，英飛凌是國(guó)際知名的半導(dǎo)體公司。此前，英飛凌制訂了遠(yuǎn)景目標(biāo)，表示將在2030年達(dá)成30%全球SiC市場(chǎng)份額。

天科合達(dá)股東包括深創(chuàng)投、中科創(chuàng)星、國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時(shí)代、潤(rùn)科基金等。公司成立于2006年，成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所，主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來(lái)源于新疆天富集團(tuán)。在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域，天科合達(dá)在2021年國(guó)際市場(chǎng)占有率排名第四。

據(jù)介紹，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的碳化硅工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)天科合達(dá)將會(huì)有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍表示，碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料，具有禁帶寬度大、飽和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢(shì)，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。未來(lái)碳化硅器件將會(huì)覆蓋更高電壓等級(jí)器件，可應(yīng)用于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

陳小龍?zhí)岬剑蓟瑁⊿iC）晶體生長(zhǎng)極其困難，上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家掌握SiC晶體生長(zhǎng)和加工技術(shù)，我國(guó)起步較晚。為推動(dòng)SiC晶體國(guó)產(chǎn)化，避免我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”，團(tuán)隊(duì)從1999年開(kāi)始，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，自主研發(fā)突破了從生長(zhǎng)設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)和加工等關(guān)鍵技術(shù)，形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，進(jìn)而推動(dòng)國(guó)內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。

對(duì)于這次簽約，陳小龍表示，國(guó)際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長(zhǎng)約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能，即有利于推動(dòng)天科合達(dá)技術(shù)進(jìn)步，也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng)，是一個(gè)雙贏的選擇。“目前物理所研發(fā)團(tuán)隊(duì)還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長(zhǎng)技術(shù)，希望基礎(chǔ)研究上跟進(jìn)一步，為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)。”（一橙）

總結(jié)

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