18650锂电池保护板接线图_锂电池保护板的原理介绍保护板的构成和主要作用
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一、保護(hù)板的構(gòu)成
鋰電池(可充型)之所以需要保護(hù),是由它本身特性決定的。由于鋰電池本身的材料決定了它不能被過充、過放、過流、短路及超高溫充放電,因此鋰電池鋰電組件總會跟著一塊精致的保護(hù)板和一片電流保險器出現(xiàn)。鋰電池的保護(hù)功能通常由保護(hù)電路板和PTC協(xié)同完成,保護(hù)板是由電子電路組成,在-40℃至+85℃的環(huán)境下時刻準(zhǔn)確的監(jiān)視電芯的電壓和充放回路的電流,即時控制電流回路的通斷;PTC在高溫環(huán)境下防止電池發(fā)生惡劣的損壞。保護(hù)板通常包括控制IC、MOS開關(guān)、電阻、電容及輔助器件NTC、ID存儲器等。其中控制IC,在一切正常的情況下控制MOS開關(guān)導(dǎo)通,使電芯與外電路溝通,而當(dāng)電芯電壓或回路電流超過規(guī)定值時,它立刻(數(shù)十毫秒)控制MOS開關(guān)關(guān)斷,保護(hù)電芯的安全。NTC是Negative temperaturecoefficient的縮寫,意即負(fù)溫度系數(shù),在環(huán)境溫度升高時,其阻值降低,使用電設(shè)備或充電設(shè)備及時反應(yīng)、控制內(nèi)部中斷而停止充放電。ID 存儲器常為單線接口存儲器,ID是Identification 的縮寫即身份識別的意思,存儲電池種類、生產(chǎn)日期等信息。可起到產(chǎn)品的可追溯和應(yīng)用的限制。二、保護(hù)板的主要作用
一般要求在-25℃~85℃時Control(IC)檢測控制電芯電壓與充放電回路的工作電流、電壓,在一切正常情況下C-MOS開關(guān)管導(dǎo)通,使電芯與保護(hù)電路板處于正常工作狀態(tài),而當(dāng)電芯電壓或回路中的工作電流超過控制IC中比較電路預(yù)設(shè)值時,在15~30ms內(nèi)(不同控制IC與C-MOS有不同的響應(yīng)時間),將CMOS關(guān)斷,即關(guān)閉電芯放電或充電回路,以保證使用者與電芯的安全。保護(hù)板主要零件的功能介紹R1:基準(zhǔn)供電電阻;與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路,控制內(nèi)部過充、過放電壓比較器的電平翻轉(zhuǎn);一般在阻值為330Ω、470Ω比較多;
當(dāng)封裝形式(即用標(biāo)準(zhǔn)元件的長和寬來表示元件大小,如0402封裝標(biāo)識此元件的長和寬分別為1.0mm和0.5mm)較大時,會用數(shù)字標(biāo)識其阻值,如貼片電阻上數(shù)字標(biāo)識473, 即表示其阻值為47000Ω即47KΩ(第三位數(shù)表示在前兩位后面加0的位數(shù))。
R2:過流、短路檢測電阻;通過檢測VM端電壓控制保護(hù)板的電流 ,焊接不良、損壞會造成電池過流 、短路無保護(hù),一般阻值為1KΩ、2KΩ較多。
R3:ID識別電阻或NTC電阻(前面有介紹)或兩者都有。
總結(jié):電阻在保護(hù)板中為黑色貼片,用萬用表可測其阻值,當(dāng)封裝較大時其阻值會用數(shù)字表示,表示方法如上所述,當(dāng)然電阻阻值一般都有偏差,每個電阻都有精度規(guī)格,如10KΩ電阻規(guī)格為+/-5%精度則其阻值為9.5KΩ -10.5KΩ范圍內(nèi)都為合格。電容:C1、C2:由于電容兩端電壓不能突變,起瞬間穩(wěn)壓和濾波作用。
總結(jié):電容在保護(hù)板中為黃色貼片,封裝形式0402較多,也有少數(shù)0603封裝(1.6mm長,0.8mm寬);用萬用表檢測其阻值一般為無窮大或MΩ級別;電容漏電會產(chǎn)生自耗電大,短路無自恢復(fù)現(xiàn)象。
FUSE:普通FUSE或PTC(Positive Temperature Coefficient的縮寫,意思是正溫度系數(shù));防止不安全大電流和高溫放電的發(fā)生,其中PTC有自恢復(fù)功能。
總結(jié):FUSE在保護(hù)板中一般為白色貼片,LITTE公司提供FUSE會在FUSE上標(biāo)識字符D-T,字符表示意思為FUSE能承受的額定電流,如表示D額定電流為0.25A,S為4A,T為5A等。各類器件:U1:控制IC;保護(hù)板所有功能都是IC通過監(jiān)視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執(zhí)行開關(guān)動作來實(shí)現(xiàn)的。
Cout:過充控制端;通過MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。
Dout:過放、過流、短路控制端;通過MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。
VM:過流、短路保護(hù)電壓檢測端;通過檢測VM端的電壓實(shí)現(xiàn)電路的過流、短路保護(hù)
(U(VM)=I*R(MOSFET))
總結(jié):IC在保護(hù)板中一般為6個管腳的封裝形式,其區(qū)別管腳的方法為:在封裝體上標(biāo)識黑點(diǎn)的附近為第1管腳,然后逆時針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳;如封裝體上無黑點(diǎn)標(biāo)識,則正看封裝體上字符左下為第1管腳,其余管腳逆時針類推)C-MOS:場效應(yīng)開關(guān)管;保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)者 ;連焊、虛焊、假焊、擊穿時會造成電池?zé)o保護(hù)、無顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象。總結(jié):CMOS在保護(hù)板中一般為8個管腳的封裝形式,它時由兩個MOS管構(gòu)成,相當(dāng)于兩個開關(guān),分別控制過充保護(hù)和過放、過流、短路保護(hù);其管腳區(qū)分方法和IC一樣。在保護(hù)板正常情況下,Vdd為高電平,Vss、VM為低電平,Dout、Cout為高電平;當(dāng)Vdd、Vss、VM任何一項參數(shù)變換時,Dout或Cout的電平將發(fā)生變化,此時MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動作(開、關(guān)電路),從而實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)和恢復(fù)功能。喜歡就在文末點(diǎn)個“再看”或者分享到“朋友圈”,這樣可以讓更多的人學(xué)習(xí)到哦!!!感謝更多優(yōu)質(zhì)文章請點(diǎn)擊下方的“往期精選”,☆ END ☆往期精選
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總結(jié)
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