K9F2G08U0A是三星公司生產(chǎn)的總?cè)萘繛?56M的NandFlash，常用于手持設(shè)備等消費(fèi)電子產(chǎn)品。還是那句話，搞底層就得會(huì)看datasheet，我們就從它的datasheet看起。

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??????? 這就是 K9F2G08U0A的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，具體的各個(gè)部件的介紹，就不詳細(xì)介紹了，想了解的話可以參考偉東山的《嵌入式linux應(yīng)用開發(fā)完全手冊(cè)》。

????? 現(xiàn)在就看一下重點(diǎn)的，NandFlash的存儲(chǔ)單元的組織結(jié)構(gòu)，K9F2G08U0A的存儲(chǔ)單元的組織結(jié)構(gòu)如下：

結(jié)合上面的圖，我們現(xiàn)在來分析一下：

????? NandFlash的存儲(chǔ)單元是由Block組成的，Block又是由Page組成的，數(shù)據(jù)就是存儲(chǔ)在Page上。

?? K9F2G08U0A的總?cè)萘渴?56M，由圖可以看出，它一共有2048塊，每一塊有64頁，每一頁有（2K+64）Bytes。每一頁又分為main區(qū)和spare區(qū)，2K就是指main區(qū)，64就是指spare區(qū)。

2K是指每一頁上存放數(shù)據(jù)的有效空間，64是指每一頁附加的空間，它不能用來存放我們寫入的數(shù)據(jù)，它主要是用來存放ECC校驗(yàn)和壞塊標(biāo)記的信息數(shù)據(jù)。

????? 還有一個(gè)比較重要的知識(shí)就是對(duì)NandFlash的訪問，你不會(huì)訪問它，那你肯定不會(huì)用它!

??? 首先要明白NandFlash是以頁（Page）為最小單位進(jìn)行讀寫的，以塊（Block）為最小單位進(jìn)行擦除的，也就是說當(dāng)我們給定了讀取的起始位置后，讀操作將從該位置開始，連續(xù)讀取到本Page的最后一個(gè) Byte為止（可以包括Spare Field）。

??? 在弄清楚怎么讀寫NandFlash之前，還有一個(gè)準(zhǔn)備工作要做，那就是我們要告訴NandFlash，我要讀寫哪個(gè)地方的數(shù)據(jù)，如果我們不告訴它地址，那它就不知道我們到讀哪些數(shù)據(jù)。那如何計(jì)算我們要傳入的地址呢？以一個(gè)例子來說明

???? 以K9F2G08U0A為例，此nand flash，一共有2048個(gè)塊，每個(gè)塊內(nèi)有64頁，每個(gè)頁是2K+64 Bytes，假設(shè)，我們要訪問其中的第1500個(gè)塊中的第25頁中的1208字節(jié)處的地址，此時(shí)，我們就要先把具體的地址算出來：
物理地址=塊大小×塊號(hào)+頁大小×頁號(hào)+頁內(nèi)地址=1500×128K+25×2K+1208=0xBB8CCB8（196660408）,接下來，我們就看看，怎么才能把這個(gè)實(shí)際的物理地址，轉(zhuǎn)化為nand Flash所要求的格式。在解釋地址組成之前，先要來看看其datasheet中關(guān)于地址周期的介紹：

???

由上圖可以看出，K9F2G08U0A是用5個(gè)周期來實(shí)現(xiàn)，由于NAND flash以頁為單位讀寫數(shù)據(jù)，而以塊為單位擦除數(shù)據(jù)。按照這樣的組織方式可以形成所謂的三類地址：
Column Address：Starting Address of the Register. 翻成中文為列地址，地址的低8位 ，即頁內(nèi)偏移地址
Page Address ：頁地址
Block Address ：塊地址

? 我們知道K9F2G08U0A的每一頁有（2K+64）=2112Byte，2112byte 需要12bit來表示，對(duì)于2112byte系列的NAND，這2112byte被分成1st half Page Register和2nd half Page Register，各自的訪問由地址指針命令來選擇，A[11:0]就是所謂的column address（列地址），在進(jìn)行擦除操作時(shí)不需要它，因?yàn)橐詨K為單位擦除。64個(gè)page需要6bit來表示，占用A[17:12]，即該page在塊內(nèi)的相對(duì)地址，也就是確定位于哪一頁。A11這一位地址被用來設(shè)置2048byte的1st half page還是2nd half page，0表示1st，1表示2nd。Block的地址是由A18以上的bit來表示，也就是確定位于哪一塊。用A[0:28]這29位，就可以將K9F2G08U0A這256M的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間全部訪問到。

2的29次方是2GBit,256MByte=2GBit。

?????NAND Flash 的地址表示為： Block Address|Page Address in block|Column Address 地址傳送順序是Column Address,Page Address,Block Address。
由于地址只能在I/O[7:0]上傳遞，因此，必須采用移位的方式進(jìn)行。 以K9F2G08U0A 為例：
第1 步是傳遞column address，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可傳遞到I/O[7:0]上。
第2 步就是將NAND_ADDR 右移8位，將NAND_ADDR[11:8]傳到I/O[7:0]上；
第3 步將NAND_ADDR[19:12]放到I/O上；
第4步需要將NAND_ADDR[27：20]放到I/O上；

第5步需要將?NAND_ADDR[28]放到I/O上；
因此，整個(gè)地址傳遞過程需要5步才能完成，即5-step addressing。 如果NAND Flash 的容量是32MB（256Mbit）以下，那么，block adress最高位只到bit24，因此尋址只需要3步。

?? 簡(jiǎn)單解釋完了地址組成，那么就很容易分析上面例子中的地址了：
0xBB8CCB8 = 00001011? 1011 1000? 1100 1100??1011 1000，分別分配到5個(gè)地址周期就是：

??????????????? B????? B???? 8????C???C????B???? 8????

第一個(gè)周期：A[0:7]? 也就是B8

第二個(gè)周期：A[8:11]? 取四位 1100， 再添4位0，也就是0000 1100?? 即0C

第三個(gè)周期：A[12:19]? 取八位 1000 1100? 即8C

第四個(gè)周期：A[20:27]? 取八位 1011 1011? 即BB

第五個(gè)周期：A[28]???? 取一位 0，補(bǔ)齊八位 即 0000 0000 也就是00

再往回分析，NandFlash收到前兩個(gè)周期的地址A[0:11]?也就是0CB8，即 1100 1011 1000，分析：A[10:0]= 100 1011 1000=1208， 表示第1208個(gè)Byte

? 收到后三個(gè)周期后，即 0000 0000 1011 1011 1000 1100，A[16:11]=011001=25，表示第25頁

????? 0000 0000 1011 1011 100 處理后為????0101 1101 1100 =1500，表示第1500塊

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的nand flash地址机制的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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