STM32中存儲區分為：隨機存取存儲器RAM和只讀存儲器ROM。?
其中：

• RAM為常說的內存，比如手機的2G內存4G內存等，就是程序跑起來的時候所占用的存儲空間，特點是掉電數據丟失。
• ROM為常說的硬盤，比如手機的64G和128G等，可以簡單的理解為硬盤的存儲空間，特點是掉電數據不丟失，所以又叫“非易失性存儲器件”。?
  • ROM又包含：EEPROM和flash。

畫個嵌入式產品存儲器件的思維導圖如下（如有什么地方不對，懇請大神們進行指正）：?

作為ROM的一份子，flash的特點自然是掉電數據不丟失。但是，flash在STM32中比較重要，程序也是保存在這個地方，所以輕易不讓用戶進行隨意的讀寫，以避免不必要的問題。

而這篇博客就先簡單記錄一下flash的訪問流程和方法（讀和寫），具體原理以后理解深刻了再做補充。

1、STM32 FLASH操作流程

Flash操作已經屬于嵌入式設備中很底層的操作了，直接對地址進行存取，簡單描述，Flash操作大致需要以下流程：

• 1、確定要寫入Flash的首地址（稍后介紹確定地址的方法）
• 2、解鎖Flash
• 3、對Flash進行操作（寫入數據）
• 4、對Flash重新上鎖

1.1 如何查找并選定要寫入Flash十六進制地址值的方法

要想選定安全的Flash地址進行讀寫，可以根據自己的STM32 MCU型號，查找數據手冊，確定FLASH的地址區段，因為起始段會存儲代碼，所以一定要避開起始段，以避免數據錯誤。（我一般是根據Flash大小計算Flash的最末尾地址，往前推一段地址空間，在這里一般不會對代碼中的數據產生覆蓋等影響）

我此次操作Flash使用的MCU是STM32103C8T6，所以以該型號MCU為例進行描述：

• 在數據手冊中，可以看到STM32103C8T6的flash起始地址是0x0800 0000（如下圖所示），而STM32103C8T6的Flash大小為64K，可以計算出STM32103C8T6的Flash地址范圍是：0x0800 0000——0x0800 FFFF（計算方法參考另一篇博客：STM32內存大小與地址的對應關系以及計算方法）。這里選取0x0800 F000作為讀寫操作的起始地址，對于C8T6這款MCU，操作這個起始地址應該算是很安全的范圍了。?
  

2、Flash基本知識點

2.1 Flash容量

Flash根據容量大小可以分為以下三種：

• 1、小容量產品：Flash大小為1-32KB（STM32F10X_LD）
• 2、中容量產品：Flash大小為64-128KB（STM32F10X_MD）
• 3、大容量產品：Flash大小為256KB以上（STM32F10X_HD）

2.2 ST庫對Flash操作的支持

ST庫中對Flash操作主要提供了以下幾類操作API函數：

• 1、Flash解鎖、鎖定函數?
  • void FLASH_Unlock(void);//解鎖函數：在對Flash操作之前必須解鎖
  • void FLASH_Lock(void);//鎖定函數：同理，操作完Flash之后必須重新上鎖
• 2、Flash寫操作函數?
  • FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);//32位字寫入函數
  • FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);//16位半字寫入函數
  • FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data);//用戶選擇字節寫入函數?
    注：這里需要說明，32 位字節寫入實際上是寫入的兩次 16 位數據，寫完第一次后地址+2，這與我們前面講解的 STM32 閃存的編程每次必須寫入 16 位并不矛盾。寫入 8位實際也是占用的兩個地址了，跟寫入 16 位基本上沒啥區別。
• 3、Flash擦除函數?
  • FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
  • FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
  • FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
• 4、獲取Flash狀態?
  • FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);?
    獲取Flash狀態函數，主要是為了獲取Flash的狀態，以便于根據狀態對Flash進行操作。該函數返回值是通過枚舉類型定義的，在代碼中可以看到FLASH_Status類型定義如下（具體含義看注釋即可）：
  • ?????????????????????????????????????????????????typedef enum?
    ?????????????????????????????????????????????????{?
    ????????????????????????????????????????????????? 　　FLASH_BUSY = 1, ???????//忙?
    ????????????????????????????????????????????????? 　　FLASH_ERROR_PG, ?????//編程錯誤?
    ????????????????????????????????????????????????? 　　FLASH_ERROR_WRP,?? //寫保護錯誤?
    ????????????????????????????????????????????????? 　　FLASH_COMPLETE, ?????//操作完成?
    ????????????????????????????????????????????????? 　　FLASH_TIMEOUT ????????//操作超時?
    ????????????????????????????????????????????????? }FLASH_Status;
• 5、等待操作完成函數?
  • FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);?
    注：在執行閃存寫操作時，任何對閃存的讀操作都會鎖住總線，在寫操作完成后讀操作才能正確地進行；既在進行寫或擦除操作時，不能進行代碼或數據的讀取操作。所以在每次操作之前，我們都要等待上一次操作完成這次操作才能開始。

3、OK，上干貨，上代碼

根據ST庫提供的上述函數，我們可以自己編寫Flash的讀寫操作代碼如下：

3.1 先定義一個Flash操作的起始地址宏定義和Flash狀態指示標志位

#define STARTADDR 0x0800F000 //STM32F103C8T6適用volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY; //Flash操作狀態變量

?

3.2 編寫各個讀寫函數

// // Name: WriteFlashOneWord // // Function: 向內部Flash寫入32位數據 // // Input: WriteAddress：數據要寫入的目標地址（偏移地址） // WriteData： 寫入的數據 // void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress, uint32_t WriteData) { FLASH_UnlockBank1();FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR); if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE) { FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(STARTADDR+WriteAddress, WriteData); //flash.c 中API函數}FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位FLASH_LockBank1(); }// // Name: WriteFlashData // // Function: 向內部Flash寫入數據 // // Input: WriteAddress：數據要寫入的目標地址（偏移地址） // data[]： 寫入的數據首地址 // num： 寫入數據的個數 // void WriteFlashData(uint32_t WriteAddress, uint8_t data[], uint32_t num) {uint32_t i = 0;uint16_t temp = 0;FLASH_UnlockBank1(); //解鎖flashFLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除整頁if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)//flash操作完成{FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位for(i=0; i<num; i++){temp = (uint16_t)data[i];FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(STARTADDR+WriteAddress+i*2, temp);//寫入數據}}FLASHStatus = 1; //清空狀態指示標志位FLASH_LockBank1(); //鎖定flash }

---

// // Name: ReadFlashNBtye // // Function: 從內部Flash讀取N字節數據 // // Input: ReadAddress：數據地址（偏移地址） // ReadBuf：讀取到的數據存放位置指針 // ReadNum：讀取字節個數 // // Output: 讀取的字節數 // int ReadFlashNBtye(uint32_t ReadAddress, uint8_t *ReadBuf, int32_t ReadNum) { int DataNum = 0;ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress; while(DataNum < ReadNum) { *(ReadBuf + DataNum) = *(__IO uint8_t*) ReadAddress++; DataNum++; }return DataNum; }// // Name: ReadFlashData // // Function: 從內部Flash讀取num字節數據 // // Input: ReadAddress：數據地址（偏移地址） // dest_Data： 讀取到的數據存放位置指針 // num： 讀取字節個數 // void ReadFlashData(uint32_t ReadAddress, uint8_t *dest_Data, uint32_t num) {int i = 0;ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR + ReadAddress; while(i < num) {*(dest_Data+i) = *(__IO uint16_t*) ReadAddress;ReadAddress += 2;i++;} }來源：https://blog.csdn.net/Ace_Shiyuan/article/details/78196648

總結

以上是生活随笔為你收集整理的STM32的Flash的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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