led芯片行业现状分析,led芯片制造工艺流程
led芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析,led芯片制造工藝流程
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科技大佬
推薦于:2023-04-17 15:12:34
LED(Light Emitting Diode)芯片作為能夠?qū)崿F(xiàn)電能向光能的轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵器件,具有綠色環(huán)保、高效節(jié)能等優(yōu)良特性,在照明、顯示、通訊等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。目前,國(guó)際上控制LED芯片生產(chǎn)技術(shù)的主要國(guó)家有日本、韓國(guó)、臺(tái)灣等,國(guó)內(nèi)也有不少LED芯片生產(chǎn)企業(yè),而且隨著LED市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,LED芯片行業(yè)也逐漸走向了成熟和規(guī)范。下面就詳細(xì)分析LED芯片行業(yè)的現(xiàn)狀和制造工藝流程。
一、LED芯片行業(yè)現(xiàn)狀分析
1. 市場(chǎng)規(guī)模和增長(zhǎng)速度
據(jù)悉,2019年全球LED市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到289.9億美元,同比增長(zhǎng)13.4%;而2024年,全球LED市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到419.5億美元,年均增長(zhǎng)率將達(dá)到7.7%。可見(jiàn),LED市場(chǎng)的前景非常廣闊,而LED芯片作為L(zhǎng)ED產(chǎn)品的核心,同樣具備了廣闊的市場(chǎng)空間。
2. 技術(shù)進(jìn)展和創(chuàng)新
近年來(lái),各個(gè)國(guó)家的LED芯片企業(yè)紛紛加快技術(shù)研發(fā)與投入,LED芯片的工藝和性能得到了快速提升,成為了研究熱點(diǎn)。目前,新一代高亮度 LED 芯片已經(jīng)開(kāi)始流行。此外,國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究團(tuán)隊(duì)也在探索新的材料和技術(shù),如量子點(diǎn)技術(shù)和炭化硅技術(shù)等領(lǐng)域的創(chuàng)新,為L(zhǎng)ED芯片行業(yè)提供了新的思路和可能性。
3. 行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)和未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
國(guó)內(nèi)LED芯片制造行業(yè)存在著技術(shù)層次較低,產(chǎn)業(yè)集中度不高等問(wèn)題,而國(guó)際上大型LED芯片制造商擁有完備的專(zhuān)利技術(shù)和體系。因此,國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)應(yīng)當(dāng)在技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴(kuò)大、所屬產(chǎn)業(yè)鏈條加強(qiáng)等方面作出努力,扭轉(zhuǎn)不利局勢(shì)。
二、LED芯片制造工藝流程
1. P暗電極制備技術(shù)
P暗電極制備技術(shù)是LED芯片制造工藝的重要環(huán)節(jié),P暗電極的制作工藝涉及到P型半導(dǎo)體和金屬之間的反應(yīng)與耗材,通俗的說(shuō)就是材料的堆疊和熔融,其中反應(yīng)分為兩個(gè)部分,一是在溫度較高的環(huán)境下,P型半導(dǎo)體起反應(yīng)改變其原本的性質(zhì);二是在較低溫度下,金屬錫起到融合半導(dǎo)體材料的作用,最終P暗電極就形成了。
2. 發(fā)光結(jié)制備技術(shù)
發(fā)光結(jié)是LED芯片的核心部分,在芯片的制備過(guò)程中必須非常高度重視。方便說(shuō)了,發(fā)光結(jié)的制備技術(shù)主要包含四個(gè)方面:制備n型金屬有機(jī)化合物(MOCVD),半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng),發(fā)光層的制備和n型電極的制備。
3. 氮化鋁晶體制備技術(shù)
氮化鋁晶體制備技術(shù)是LED芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),氮化鋁作為高亮度LED芯片的基礎(chǔ)材料。氮化鋁的制備主要有氮化鋁薄膜法生長(zhǎng)和低壓反應(yīng)室法生長(zhǎng)兩種方法。
總體來(lái)看,LED芯片的制造工藝流程十分復(fù)雜、多樣,需要借助高通量等特殊成分材料、微加工技術(shù)、特殊的氣氛、真空技術(shù)等,才能達(dá)到理想的成效。隨著市場(chǎng)需求的增加,LED芯片制造技術(shù)也將不斷發(fā)展,LED芯片行業(yè)也將進(jìn)入更高層次的競(jìng)爭(zhēng)和發(fā)展。
總結(jié)
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