從專業角度來說，一塊芯片的制作工藝，制作流程極其復雜繁瑣。但就從IC完整的產業鏈來說，主要分為IC設計→IC制造→封裝→測試四個部分。

芯片制作過程：

一、芯片設計

芯片屬于體積小，但高精密度極大的產品。想要制作芯片，設計是第一環節。設計需要借助EDA工具和一些IP核，最終制成加工所需要的芯片設計藍圖。

二、沙硅分離

所有的半導體工藝都是從一粒沙子開始的。因為沙子中蘊含的硅是生產芯片“地基”硅晶圓所需要的原材料。所以我們第一步，就是要將沙子中的硅分離出來。

三、硅提純

在將硅分離出來后，其余的材料廢棄不用。將硅經過多個步驟提純，已達到符合半導體制造的質量，這就是所謂的電子級硅。

?四、將硅鑄錠

提純之后，要將硅鑄成硅錠。一個被鑄成錠后的電子級硅的單晶體，重量大約為100千克，硅的純度達到了99.9999%。

?五、晶圓加工

硅錠鑄好后，要將整個硅錠切成一片一片的圓盤，也就是我們俗稱的晶圓，它是非常薄的。隨后，晶圓就要進行拋光，直至完美，表面如鏡面一樣光滑。

硅晶圓的直徑常見的有8英寸（200mm）和12英寸（300mm），直徑越大，最終單個芯片成本越低，但加工難度越高。

六、光刻

首先在晶圓上敷涂上三層材料。第一層是氧化硅，第二層是氮化硅，最后一層是光刻膠。再將設計完成的包含數十億個電路元件的芯片藍圖制作成掩膜，掩膜可以理解為一種特殊的投影底片，包含了芯片設計藍圖，下一步就是將藍圖轉印到晶圓上。這一步對光刻機有著極高的要求。

紫外線會透過掩膜照射到硅晶圓上的光刻膠上，光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉，清除后留下的圖案和掩膜上的一致。用化學物質溶解掉暴露出來的晶圓部分，剩下的光刻膠保護著不應該蝕刻的部分。蝕刻完成后，清除全部光刻膠，露出一個個凹槽。

七、蝕刻與離子注入

首先要腐蝕掉暴露在光刻膠外的氧化硅和氮化硅，并沉淀一層二氧化硅，使晶體管之間絕緣，然后利用蝕刻技術使最底層的硅暴露出來。然后把硼或磷注入到硅結構中，接著填充銅，以便和其他晶體管互連，然后可以在上面再涂一層膠，再做一層結構。一般一個芯片包含幾十層結構，就像密集交織的高速公路。

?經過上述流程，我們就得到了布滿芯片的硅晶圓。之后用精細的切割器將芯片從晶圓上切下來，焊接到基片上，裝殼密封。之后經過最后的測試環節，一塊塊芯片就做好了。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的涨知识！芯片是怎么做出来的，今天终于看懂了的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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