256K*16告訴異步CMOS靜態RAM(支持3.3V)

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特性

• 高速訪問時間：8,10,12和15ns
• CMOS 低功耗運行
• 兼容TTL接口電平
• 單3.3V±10%供電
• 全靜止操作：不需要提供時鐘或者刷新
• 三態輸出
• 上下字節的數據控制
• 工業溫度內可用

描述

ICSILS61LV25616(后面簡稱25616)芯片是一個高速的，4 194 304 bit靜態RAM，其中包含262144個16位字長。它是通過ICSI高性能CMOS技術制造而成。這種高度可靠的工藝與電路設計技術相結合，制造出高性能，低功耗的設備。
當$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$是電平時(未被選中)，這個設備假定在等待模式狀，功耗可以降低到CMOS輸入水平。
提供簡單內存擴展，設置芯片使能和輸出使能的輸入信號，分別為$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$和$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$。低電平寫入使能$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$在內存的讀取與寫入時都有效。允許高字節($\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$)和低字節($\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$)訪問。
25616被封裝成JEDEC標準44管腳400mil SOJ和48管腳 6*8TFBGA。

功能塊框圖

管腳配置圖

管腳描述

A0-A17地址輸入

I/O0-I/O15	數據輸入輸出
$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$	芯片使能輸入
$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$	輸出使能輸入
$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$	寫入使能輸入
$\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$	低字節控制(I/O0~I/O7)
$\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$	高字節控制(I/O8~I/O15)
NC	無連接
VCC	電源
GND	地信號

真值表

狀態$\overline{\mathrm{W}\mathrm{E}}$$\overline{\mathrm{C}\mathrm{E}}$$\overline{\mathrm{O}\mathrm{E}}$$\overline{\mathrm{L}\mathrm{B}}$$\overline{\mathrm{U}\mathrm{B}}$IO0~IO7IO8~IO15V_CC

未被選	X	H	X	X	X	高阻	高阻	ISB1，ISB2
輸出禁止	H X	L L	H X	X H	X H	高阻	高阻	ICC

總結

以上是生活随笔為你收集整理的IS61LV25616芯片技术手册的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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