1.線性(放大)狀態(tài)與開關(guān)（飽和）狀態(tài)。

If 確定，則光耦副邊 電流通道大小確定，實(shí)際的Ic不能大于該通道。

開關(guān)狀態(tài)，Ic<通道寬，Vce減小以增加Ic；

線性狀態(tài)，Ic=通道寬，Vce增大以減小Ic。

當(dāng)(Vcc-0.4)/Rc<If*CTR_min時(shí)，光耦工作在開關(guān)狀態(tài)，Ic=(Vcc-0.4)/Rc,Vo=0.4V；

當(dāng)(Vcc-0.4)/Rc>If*CTR_max時(shí)，光耦工作在線性狀態(tài)，Ic=If*CTR，Vo=Vcc-Rc*Ic。

CTR值變大，通道變大，光耦可由線性狀態(tài)進(jìn)入開關(guān)狀態(tài)；

CTR值變小，通道變小，光耦可由開關(guān)狀態(tài)進(jìn)入飽和狀態(tài)。

2.CTR值

????受溫度影響，在一定范圍內(nèi)，環(huán)境溫度升高CTR值變小，可能導(dǎo)致開關(guān)狀態(tài)進(jìn)入線性狀態(tài)；

????受If影響，在一定范圍內(nèi)，If增大CTR值變大，應(yīng)用時(shí)，建議If值在5mA以上。

? ? 應(yīng)用時(shí)，CTR值應(yīng)留有裕量。

3.延時(shí) ?

??????導(dǎo)通延時(shí)Ton，關(guān)斷延時(shí)Toff。

??????受溫度影響，溫度升高，Ton、Toff均增大。

? ? ? 受Rc影響，Rc增大，Ton會減小，而Toff增大明顯。

綜上：可以理解為溫度升高，會導(dǎo)致光耦性能變差，CTR值變小、Ton/Toff均增大。

4.抗噪

? ? ??在光耦的原邊二極管串聯(lián)開關(guān)管的應(yīng)用中，為防止開關(guān)管的關(guān)斷漏電流導(dǎo)致光耦原邊出現(xiàn)微導(dǎo) 通的情況，

??????原邊二極管兩端并聯(lián)1k或2k的電阻+陶瓷電容(pF級)。

5.防反接（擊穿）

? ? ? 光耦的原邊二極管的反向耐壓，通常很低，只有幾伏，典型值是：6V。

? ? ? 因此，在原邊二極管兩端反向并聯(lián)一個(gè)開關(guān)二極管，能起到防反接、防擊穿等作用。

? ? ? 例如：在伺服驅(qū)動(dòng)器中，光耦往往用在I/O接口處，當(dāng)選用本身不防靜電的I/O端子，反向并聯(lián)二極管就十分必要。

6.普通光耦與高速光耦

普通光耦：

? ? ? ?典型電路應(yīng)用中，開通時(shí)間2~3us、短，關(guān)斷時(shí)間30us以上、長，關(guān)斷時(shí)間中?存儲時(shí)間?影響最大。

? ? ? ?普通光耦雖然開關(guān)速度慢，但也能用在一些特殊的高速響應(yīng)場合，例如：變頻器的過流保護(hù)隔離電路，其特點(diǎn)是觸發(fā)保護(hù)快，恢復(fù)正常狀態(tài)慢。

高速光耦：

? ? ? ?普通光耦的結(jié)構(gòu)是光敏三極管，上升下降時(shí)間是us級，而高速光耦的結(jié)構(gòu)是光敏二極管(+放大驅(qū)動(dòng)電路)，上升下降時(shí)間是ns級。

? ? ? ?高速光耦常用的帶寬有10M、20M，并不是越大越好，越大越容易引入噪聲；

? ? ? ?副邊需要供電；原邊開通閥值電流典型值是：5mA，建議應(yīng)用中留有裕量；

? ? ? ?此外應(yīng)用中應(yīng)留意：VIORM——Maximum Working Insulation Voltage

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?RL——Output Pull-up Resistor

? ? ? ?高速光耦的典型應(yīng)用電路圖：

7.三極管的存儲時(shí)間

? ? ? ? 飽和導(dǎo)通~截止，Rc越大、飽和深度越大，則存儲時(shí)間越長，可以理解為寄生集電極—基極電容的充電時(shí)間變長（受基極電阻、集電極電阻阻值影響）。

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的简记_光耦的主要参数及应用的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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