IT 之家 6 月 2 日消息，據外媒 Hardwaretimes 報道，下一代英偉達旗艦顯卡 RTX 5090 將使用臺積電的 3nm 工藝，預計將在明年年底推出。

英偉達在去年推出的 RTX 40 系顯卡代號為 Ada Lovelace，而外媒 Hardwaretimes 稱下一代英偉達 RTX 顯卡的代號為 Balckwell，并表示這些 GPU 將在臺積電的 3nm（N3）節點上制造，晶體管數量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm2，核心時鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達到 512 bits。

根據早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個 CUDA（假設每組 SM 還是 128 個 CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級緩存，匹配 GDDR7 顯存（384bit 位寬），支持 PCIe 5.0 x16。

而近日在臺北 Computex 電腦展上，微星也一并展示了下一代英偉達 RTX 旗艦顯卡的散熱設計。據介紹，微星使用了動態雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質鰭片中也嵌入了銅片，進一步增強散熱，而顯存區域也有對應的銅片。

認為，結合當下所曝光的信息，結合如此散熱條件，RTX 5090 的原始功耗和發熱應該會給人留下深刻的印象。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的下一代英伟达旗舰显卡 RTX 5090 曝光：3nm 工艺、代号 Blackwell的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。