6 月 24 日消息，根據國外科技媒體 MacRumors 報道，蘋果今年推出的 iPhone 15 Pro 和 iPhone 15 Pro Max 均搭載 A17 Bionic 處理器和明年推出的 A17 版本存在差異：前者采用臺積電 N3B 工藝，而后者采用增強版 N3E 工藝。

相比較基于 5nm 工藝的 A14、A15 和 A16 芯片，蘋果本次推出的 A17 Bionic 首次采用 3nm 制造工藝。

報道稱 iPhone 15 Pro 系列所用 A17 Bionic 采用 N3B 工藝，而明年推出的機型將全面切換到 N3E 工藝。

此前報道，臺積電談到了 3nm 基礎版 (N3B) 節點以及 3nm 增強型 (N3E) 的部分數據。簡單來說，N3E 是 N3B 稍微“廉價”一些的版本，放在最終芯片上可以說相比性能更注重的是功耗控制方面。對于新的 N3E 節點，高密度 SRAM 位單元尺寸并沒有縮小，依然是 0.021 μm2，這與 N5 節點的位單元大小完全相同。

在 IEDM 期間，臺積電透露 N3B 的 CGP 為 45nm，是迄今為止透露的最密集的。這領先于 Intel 4 的 50nm CGP、三星 4LPP 的 54nm CGP 和臺積電 N5 的 51nm CGP。

由于 N3B 未能達到臺積電的性能、功率和產量目標，因此開發了 N3E。其目的是修復 N3B 的缺點。

第一個重大變化是金屬間距略有放松。臺積電沒有在 M0、M1 和 M2 金屬層上使用多重圖案化 EUV，而是退縮并切換到單一圖案化。

在 IEDM 期間，臺積電透露 N3E 的位單元尺寸為 0.021 μm2，與 N5 完全相同。這對 SRAM 來說是毀滅性的打擊。由于良率，臺積電放棄了 SRAM 單元尺寸而不是 N3B。

N3B 實裝了 SRAM 縮放，其單元大小僅有 0.0199μm2，相比上一個版本縮小了 5%。N3E 的內存密度（ISO-assist circuit overhead）大約為 31.8 Mib / mm2。

相關閱讀：

《消息稱蘋果已預訂臺積電今年近 90% 的 3nm 產能，用于 iPhone 15 Pro 系列 A17 處理器》

《消息稱臺積電多家客戶修正制程計劃，已采用 4/3nm 的客戶幾乎都有 2nm 投片規劃》

總結

以上是生活随笔為你收集整理的削减成本，消息称苹果明年 A17 Bionic 芯片采用台积电 N3E 工艺的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網站內容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。