在工程應(yīng)用中，如何去正確使用MOS管，我們從應(yīng)用角度來介紹MOS管的使用及選型。

一，分類 ：mos管分為PMOS和NMOS管，分別有G--柵極 S 源極 D 漏極

原理圖中如何區(qū)分管腳：

G---柵極

S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是源極

D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的

pmos管箭頭指示往出流，nmos管箭頭指示往里流

二. 開通關(guān)斷原理

1. Nmos的電流回路是從D流向S,導(dǎo)通條件為VGS有導(dǎo)通電壓, G電位高于S電位。

NMOS管適合源極接地的情況（低端驅(qū)動），柵極高電平即可導(dǎo)通，低電平關(guān)閉。

2.Pmos的電流回路是從S流向D,導(dǎo)通條件為VGS有導(dǎo)通電壓, S電位高于G電位。

PMOS管適合源極接VCC的情況（高端驅(qū)動），VGS小于一定值時(shí)導(dǎo)通。

若S極接電源，G-柵極低電平導(dǎo)通，高電平關(guān)閉。

3. pmos應(yīng)用示例

? P13為高電平時(shí)，mos管Q1導(dǎo)通。? P13低電平時(shí)，VGS上電壓相等，Q1截止。

三 .MOS管的重要參數(shù)

1. VDS表示漏極與源極之間所能施加的最大電壓值。VGS表示柵極與源極之間所能施加的最大電壓值。

2. ID表示漏極可承受的持續(xù)電流值，如果流過的電流超過該值，會引起擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。IDM表示的是漏源之間可承受的單次脈沖電流強(qiáng)度，如果超過該值，會引起擊穿的風(fēng)險(xiǎn)。

3..?RDS(ON)表示MOS的導(dǎo)通電阻，一般來說導(dǎo)通電阻越小越好，其決定MOS的導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電阻越大損耗越大，MOS溫升也越高。

4.gfs表示正向跨導(dǎo)，反映的是柵極電壓對漏源電流控制的能力，gfs過小會導(dǎo)致MOSFET關(guān)斷速度降低，關(guān)斷能力減弱，過大會導(dǎo)致關(guān)斷過快，EMI特性差，同時(shí)伴隨關(guān)斷時(shí)漏源會產(chǎn)生更大的關(guān)斷電壓尖峰。

5.?IGSS表示柵極驅(qū)動漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率有較小程度的影響。

6.VGS(th)表示的是MOS的開啟電壓(閥值電壓) ,NMOS:? ? ?Vg>Vs?>VGS(th)?

? ? ? ? PMOS: |Vg<Vs|>VGS(th)

? 在使用mos管進(jìn)行大電流控制時(shí)，為了防止導(dǎo)通和關(guān)斷對電容充放電時(shí)間過長引起的器件發(fā)熱問題，驅(qū)動mos管柵極，使用推挽電路，可以快速對Ciss電容充電，放電，讓MOS管快速進(jìn)入飽和區(qū)。

? ? ? Vout接mos管的柵極

2.兩個(gè)重要曲線?

2.1? ?pmos管轉(zhuǎn)移曲線

說明：vgs在負(fù)坐標(biāo)，表示vgs為負(fù)，即Vg<Vs? ? ?|Vg-Vs |大于開啟電壓時(shí)，管子有電流ID流過，即導(dǎo)通。vgs在正坐標(biāo)，vgs大于0.? Vg>Vs,管子截止，無ID電流.

2.2 NMOS管特性曲線? ?VG>VS大于開啟電壓，管子導(dǎo)通

?

3.PMOS管的常用電路，防反接電路

基本原理：

1. 當(dāng)正向接通時(shí)，VIN通過PMOS管的寄生電容從D到S極，這是S極上有電壓，G極上的電壓是從分壓電阻上取得，Vg<Vs MOS管導(dǎo)通。

2.當(dāng)電源接反時(shí)，Vg 上的電壓大于Vs, MOS管截止。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的MOS管应用详解的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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