三星固態硬盤PRO和EVO簡單來說定位有所區別，PRO定位高端旗艦型號，EVO定位親民大眾型號。我從官方客服得到答案是，EVO用的是閃存顆粒是Samsung V-NAND 3bit MLC，PRO用的閃存顆粒是Samsung V-NAND 2bit MLC，而實際Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC顆粒。

所以可以總結為：PRO主要采用的是可靠性和性能非常出色的MLC NAND顆粒，EVO而采用的是性價比且可靠性也非常高的3D TLC NAND顆粒。

到底啥是MLC啥是TLC，大家可能有些暈，我先給大家簡單普及下。

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顆粒的傳統分類：SLC、MLC、TLC

簡單來說，NAND閃存中存儲的數據是以電荷的方式存儲在每個NAND存儲單元內的，SLC、MLC及TLC就是存儲的位數不同。

SLC（Single-Level Cell）單層式存儲每個存儲單元僅能儲存1bit數據，同樣，MLC（Multi-Level Cell）可儲存2bit數據，TLC(Trinary-Level)可儲存3bit數據。一個存儲單元上，一次存儲的位數越多，該單元擁有的容量就越大，這樣能節約閃存的成本，提高NAND的生產量。

MLC的優勢在于，TLC需要識別8種信號，而MLC只需要識別4種信號，可以花更少時間來讀取數據。因此，3D NAND出現之前，MLC在性能和可靠性上，是高于TLC的。但是，隨著三星的3D TLC的出現，TLC與MLC的性能和可靠性逐漸拉小差距。

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3D NAND閃存：三星的殺手锏級產品

剛介紹的NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的制程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。雖然先進工藝雖然帶來了更大的容量，但是NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的硅基越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致于達到某個點之后制程工藝已經無法帶來優勢了。

相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，想要提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高制程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND閃存的容量、性能、可靠性都有了保證了。

由于已經向垂直方向擴展NAND密度，那就沒有繼續縮小晶體管的壓力了，所以三星可以使用相對更舊的工藝來生產3D NAND閃存，做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。現在三星已經就這樣做了，Pro是3D MLC，Evo是3D TLC。使用舊工藝的好處就是P/E擦寫次數大幅提升，而且電荷干擾的情況也因為使用舊工藝而大幅減少。

三星閃存顆粒

過去房子基本都是一層平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房間，就需要壓縮每個房間的空間。隨著租客越來越多，房間空間越來越小了，只能放一張床了，再繼續壓縮的話，人都住不了。怎么辦？聰明的建筑師想到了可以在房子上再蓋房子，拓展垂直空間。現在好了，有人可以搬到樓上去，大家再也不用擠在那么小的房間。3D NAND閃存思想就是這樣的，不是一味的在一個平面提升閃存密度，而是堆積多個平面，達到提升閃存容量的目的。將平房增加樓層蓋成高樓，單位面積內可容納的人就會更多，這點是同理的。

由此我們也可以得出結論3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC，現在不管購買三星PRO還是EVO都不用過分考慮SSD閃存壽命問題，可能電腦主機完全淘汰了SSD還健在，而從正常使用考慮三星EVO采用3D TLC技術也足以應對日常數據處理，追求更高性能的用戶則可以考慮三星PRO系列產品，性能更為出色！

總結

以上是生活随笔為你收集整理的三星固态硬盘PRO 和 EVO的区别的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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