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12 月 29 日消息，據(jù)外媒 ChosunBiz 報道，SK 海力士日前在美國組建了一家名為 SK HNA（SK hynix NAND Development America）的子公司，并通過“挖英特爾墻角”招募了多位“具有數(shù)十年經(jīng)驗”的專家，以期提高自家 NAND 競爭力。

據(jù)悉，SK HNA 公司位于美國加州圣何塞，由約 30 名研究人員組成，唯一目標(biāo)是“專注于開發(fā)高性能 NAND 技術(shù)”。

外媒提到，SK 海力士本月從英特爾招募了資深主任工程師 Richard Pasto，這名工程師擁有 28 年經(jīng)驗，此前曾在 AMD、Spansion 和 Cypress Semiconductor 工作過，在半導(dǎo)體領(lǐng)域擁有包含 3D NAND 技術(shù)在內(nèi)的數(shù)十項專利。

除了 Richard Pasto 外，SK 海力士還在今年 6 月招募了一位擁有 30 年經(jīng)驗的存儲設(shè)計專家 Rezaul Haque，在今年 11 月招募了一位曾在英特爾 NAND 領(lǐng)域工作 13 年的工程師 Erika Shiple，目前上述三位人才已經(jīng)成為 SK HNA 公司的“關(guān)鍵部門負(fù)責(zé)人”。

外媒同時聲稱，SK 海力士計劃利用 SK HNA 子公司吸引更多 NAND 方面的人才，并能夠與 SK 海力士旗下另一家從英特爾收購的子公司 Solidigm 產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)，從而縮小與三星電子等對手之間的差距。

另據(jù)早前報道，SK 海力士計劃在 2024 年啟動 HBM4 研發(fā)，并推動 CXL 內(nèi)存商業(yè)化量產(chǎn)工作，計劃在 2024 年上半年完成 96GB 和 128GB 產(chǎn)品的客戶認(rèn)證，并在下半年實現(xiàn)商業(yè)化。

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• 《SK 海力士計劃 2024 年啟動 HBM4 研發(fā)、加速 CXL 內(nèi)存商業(yè)化量產(chǎn)》

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的SK 海力士在美组建闪存开发子公司 SK HNA，“挖英特尔墙角”募集工程师提升自家 NAND 竞争力的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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